光激发半导体和使用它的设备制造技术

本发明专利技术的光激发半导体，是钙钛矿型氧化物的半导体，具有由通式：ＢａＺｒ１－ｘＭｘＯ３－α（式中，Ｍ为从３价元素中选出的至少一种元素，ｘ是比０大、低于０．８的数值，α是氧欠缺量且是比０大、低于１．５的数值。）表示的组成，晶系为立方晶、正方晶或斜方晶，所述晶系的晶格常数设为ａ、ｂ、ｃ（其中ａ≤ｂ≤ｃ）时，满足０．４１７２７ｎｍ≤ａ、ｂ、ｃ≤０．４２７１６ｎｍ，ａ／ｃ≥０．９８的条件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及光激发半导体和使用了它的设备。
技术介绍
从削减二氧化碳排放、能源清洁化的观点出发，氢能源系统受到注目。通过将氢用 于能量媒介，能够由燃料电池作为电和热使用、且由直接燃烧作为热和动力使用。这时，最 终生成物是无害安全的水，能够创造出清洁的能量循环再生。作为能量媒介的氢，虽然也天 然存在，但大部分是从石油和天然气经催化剂的裂化而被制造的。另外，通过水的电解也可 以制造氢和氧，但需要用于进行电解的电能，称不上根本性的解决对策。还有，也可以是由 太阳能电池将光能变成电且由该电力进行电解的系统。但是，若考虑太阳能电池的制造成 本、能源消耗量和蓄电技术，则利用这一系统的氢的制造方法未必是有效的方法。针对于此，就有了使用光催化剂的氢生成系统，其中从水和太阳光直接制造氢，能 够将太阳能有效地转换成氢能量(参照专利文献1、2和幻。但是，即使使用代表性的光催 化剂锐钛矿型的氧化钛，太阳光转换效率也不过0. 5%左右，还是需要提高效率。这一课题 在于，氧化钛光催化剂自身仅吸收太阳光之中波长400nm以下的紫外线而激发。因此，材料 的可见光激发化，即可见光响应型光催化剂材料有待开发。另一本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种光激发半导体，是钙钛矿型氧化物的半导体，具有由通式ＢａＺｒ１－ｘＭｘＯ３－α表示的组成，式中，Ｍ为从３价元素中选出的至少一种元素，ｘ是比０大、低于０．８的数值，α是氧欠缺量且是比０大、低于１．５的数值，所述半导体的晶系为立方晶、正方晶或斜方晶，在所述晶系的晶格常数设为ａ、ｂ、ｃ，并且ａ≤ｂ≤ｃ时，满足０．４１７２７ｎｍ≤ａ、ｂ、ｃ≤０．４２７１６ｎｍ，ａ／ｃ≥０．９８的条件。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：谷口昇，德弘宪一，铃木孝浩，黑羽智宏，野村幸生，羽藤一仁，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]