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本发明的光激发半导体，是钙钛矿型氧化物的半导体，具有由通式：ＢａＺｒ１－ｘＭｘＯ３－α（式中，Ｍ为从３价元素中选出的至少一种元素，ｘ是比０大、低于０．８的数值，α是氧欠缺量且是比０大、低于１．５的数值。）表示的组成，晶系为立方晶、正方晶或斜...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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