【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及微电子设备和封装用于微电子封装和组装的微电子部件。
技术介绍
微电子装置通常包括半导体材料(例如硅或砷化镓)的薄片，常常称为裸片或半 导体芯片。半导体芯片常常作为单个的预封装单元来提供。在一些单元设计中，半导体芯 片被安装在基板或芯片载具上，基板或载具继而安装在诸如印刷电路板的电路面板上。有源电路制造在半导体芯片的一个面部上。为了利于电连接到有源电路，芯片在 相同的面部上配置有键合焊盘。键合焊盘通常放置成规则阵列，或者在裸片的边缘周围，或 者对于许多记忆装置来说在裸片中心处。键合焊盘通常由大约0.5 μ m厚的导电材料制成， 例如金或铝。键合焊盘的尺寸随着装置类型而不同，但是典型地在一侧上为数十个至数百 个微米。倒装芯片互连通常用于将半导体芯片上的键合焊盘导电地连接到基板上的触头 焊盘上的方案中。在倒装芯片互连中，金属块通常放置在每个键合焊盘上。接着，裸片被倒 置以便金属块同时提供键合焊盘与基板之间的电通路以及裸片到基板的机械附连。存在倒装芯片工艺的许多变型，但是一种常见配置是使用用于金属块的焊料并将 焊料熔合作为将金属块紧固到键合焊盘和基板上的方...
【技术保护点】
一种封装微电子元件，包括：微电子元件，所述微电子元件具有前表面和远离前表面延伸的多个第一固态金属凸块，每个所述凸柱具有在前表面的方向上的宽度和从前表面延伸的高度，其中高度是所述宽度的至少一半；和基板，所述基板具有顶表面和多个第二固态金属凸柱，所述多个第二固态金属凸柱从顶表面延伸且用可熔合金属结合到第一固态金属凸柱，所述第二凸柱具有顶表面和远离所述顶表面以陡峭角度延伸的边缘表面。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2007-9-28 60/995,849一种封装微电子元件，包括微电子元件，所述微电子元件具有前表面和远离前表面延伸的多个第一固态金属凸块，每个所述凸柱具有在前表面的方向上的宽度和从前表面延伸的高度，其中高度是所述宽度的至少一半；和基板，所述基板具有顶表面和多个第二固态金属凸柱，所述多个第二固态金属凸柱从顶表面延伸且用可熔合金属结合到第一固态金属凸柱，所述第二凸柱具有顶表面和远离所述顶表面以陡峭角度延伸的边缘表面。2.根据权利要求1所述的封装微电子元件，其特征在于，所述多个第一和第二固态金 属凸柱主要包括铜。3.根据权利要求1所述的封装微电子元件，其特征在于，所述第一凸块的直径与所述 第一凸柱之间的间距的比率不大于3 4。4.根据权利要求1所述的封装微电子元件，还包括位于所述第一凸块下面的凸块下金属化层。5.根据权利要求1所述的封装微电子元件，其特征在于，所述第一凸块的直径小于每 个所述第一凸块之间的间距的一半。6.根据权利要求1所述的封装微电子元件，其特征在于，所述第一凸块或第二凸柱被 蚀刻。7.一种封装微电子元件，包括微电子元件，所述微电子元件具有前表面和远离前表面延伸的多个第一固态金属凸 柱，每个凸柱具有在前表面方向上的宽度和从前表面延伸的高度，其中高度是所述宽度的 至少一半；和基板，所述基板具有顶表面和多个第二固态金属凸柱，所述多个第二固态金属凸柱从 顶表面延伸且结合到第一固态金属凸柱，其中所述第一和第二凸柱扩散连接在一起。8.根据权利要求7所述的封装微电子元件，其特征在于，所述第一凸柱的直径与所述 第一凸柱之间的间距的比率不大于3 4。9.根据权利要求7所述的封装微电子元件，其特征在于，所述微电子元件的所述前表 面与所述基板的所述顶表面之间的距离大于80微米。10.根据权利要求7所述的封装微电子元件，其特征在于，所述第一凸柱的每个的直径 等于所述第二金属凸柱的每个的直径。11.根据权利要求7所述的封装微电子元件，还包括在所述微电子元件的所述前表面 与所述基板的所述顶表面之间的底部填充材料。12.一种封装微电子元件，包括微电子元件，所述微电子元件具有前表面和远离前表面延伸的多个第一固态金属凸 柱，每个凸柱具有在前表面方向上的宽度和从前表面延伸的高度，所述凸柱主要包括除了 焊料、铅或锡之外的金属；和基板，所述基板具有顶表面和多个第二固态金属凸柱，所述多个第二固态金属凸柱从 顶表面延伸且用可熔合金属结合到第一固态金属凸柱，其中所述第一或第二固态金属凸柱的直径与所述多个第一或第二固态金属凸柱之间 的间距的比率不大于3 4。13.根据权利要求12所述的封装微电子元件，其特征在于，所述第一凸柱的每个的直 径等于所述第二金属凸柱的直径。14.根据权利要求12所述的封装微电...
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