切割／芯片接合薄膜制造技术

本发明专利技术提供即使在工件为薄型的情况下将工件切割时的保持力与将通过切割得到的芯片状工件和该芯片接合薄膜一体地剥离时的剥离性的平衡特性也优良的切割／芯片接合薄膜。本发明专利技术的切割／芯片接合薄膜，具备在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和设置在该粘合剂层上的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合剂层含有包含作为主单体的丙烯酸酯、相对于丙烯酸酯含量在１０～３０摩尔％范围内的含羟基单体和相对于含羟基单体含量在７０～９０摩尔％范围内的具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物而构成的聚合物，所述芯片接合薄膜含有环氧树脂而构成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及将用于固着芯片状工件(半导体芯片等)与电极构件的胶粘剂在切割 前附着在工件(半导体晶片等)上的状态下供给工件切割的切割/芯片接合薄膜。
技术介绍
形成有电路图案的半导体晶片(工件)，在根据需要通过背面研磨而调节厚度后， 切割为半导体芯片(芯片状工件)(切割工序)。在切割工序中，为了除去切割层，一般在适 度的液压(通常约2kg/cm2)下清洗半导体晶片。然后，将前述半导体芯片利用胶粘剂固着 到引线框等被粘物上(安装工序)后，移至接合工序。在所述安装工序中，将胶粘剂涂布到 引线框或半导体芯片上。但是，该方法中胶粘剂层的均勻化比较困难，另外胶粘剂的涂布需 要特殊装置和长时间。因此，提出了在切割工序中胶粘保持半导体晶片并且还提供安装工 序所需要的芯片固着用胶粘剂层的切割/芯片接合薄膜(例如，参考专利文献1)。专利文献1中记载的切割/芯片接合薄膜，在支撑基材上可剥离地设置有胶粘剂 层。即，在胶粘剂层的保持下切割半导体晶片后，拉伸支撑基材将半导体芯片与胶粘剂层一 起剥离，将其分别回收后通过该胶粘剂层固着到引线框等被粘物上。对于此种切割/芯片接合薄膜的胶粘剂层，希望具有对半导体晶片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种切割／芯片接合薄膜，具备在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和设置在该粘合剂层上的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合剂层含有包含作为主单体的丙烯酸酯、相对于丙烯酸酯含量在１０～３０摩尔％范围内的含羟基单体和相对于含羟基单体含量在７０～９０摩尔％范围内的具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物而构成的聚合物，所述芯片接合薄膜含有环氧树脂而构成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2007-11-8 2007-291056;JP 2007-12-5 2007-314899一种切割/芯片接合薄膜，具备在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和设置在该粘合剂层上的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合剂层含有包含作为主单体的丙烯酸酯、相对于丙烯酸酯含量在10～30摩尔％范围内的含羟基单体和相对于含羟基单体含量在70～90摩尔％范围内的具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物而构成的聚合物，所述芯片接合薄膜含有环氧树脂而构成。2.如权利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述丙烯酸酯为CH2 = CHCOOR,式中，R为碳原子数6 10的烷基。3.如权利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述含羟基单体为选自由(甲基)丙烯酸-2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基丙...

【专利技术属性】
技术研发人员：神谷克彦，松村健，村田修平，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]