互连结构及其制造方法技术

一种在层间介电（ＩＬＤ）材料中形成互连结构的方法，该方法包括步骤：在ＩＬＤ材料中建立一个或多个通孔开口；形成覆盖一个或多个通孔开口中的至少一个的第一内衬；在由第一内衬覆盖的一个或多个通孔开口中的至少一个的顶上建立一个或多个沟槽开口；以及形成覆盖一个或多个沟槽开口中的至少一个和至少部分第一内衬的第二内衬。还提供了一种通过该方法形成的互连结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体器件制造领域。特别地，本专利技术涉及一种具有 沟槽和通孔的。
技术介绍
在半导体器件制造领域中，诸如以晶体管为例的有源半导体器件 通常是通过熟知的前端工艺过程(FEOL)技术制造的。形成有源器 件后，可以使用熟知的后端工艺过程(BEOL)技术形成或建立互连 或者互连结构(在本申请中通篇作为可以相互替换使用的术语)。互 连可以包括例如沟槽和/或通孔，由导电和/或金属材料制成，并且可 以用于选择性地连接一组有源器件从而实现期望的功能或性能或其 组合。另外，可以将两层或更多层互连结构形成在一起，形成互连模 块，此处称为互连单元。通常，互连结构或互连结构层可以通过在ILD材料层中首先建立 一个或多个通孔开口来形成。ILD层可以诸如通过本领域熟知的传统 CVD或MOCVD技术在前级互连层或互连结构表面上形成或沉积。接 着，在同一ILD层中已经建立了至少一个或多个通孔开口的范围或区 域中形成一个或多个沟槽开口。沟槽开口因此可以至少部分地与通孔 开口交叠。形成通孔和沟槽开口结构后，在用特定类型的导电材料填 充该些开口之前，可以向ILD层中开口的底和/或侧壁上沉积可以是金7属内本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在层间介电（ＩＬＤ）材料层中形成互连结构的方法，该方法包括以下步骤：　在所述ＩＬＤ材料层（４２）中建立一个或多个通孔开口（４３）；形成覆盖所述一个或多个通孔开口中的至少一个的第一内衬（５０）；　在由所述第一内衬覆盖的所述一个 或多个通孔开口中的至少一个的顶上建立一个或多个沟槽开口（５５）；以及　形成覆盖所述一个或多个沟槽开口中的至少一个和所述第一内衬的至少一部分的第二内衬（５１）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：TE斯坦达尔特，PM戴维斯，约翰A费兹西蒙斯，斯蒂芬E格里科，泽曼考，NE勒斯蒂格，李M尼科尔森，苏加萨桑卡兰，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]