【技术实现步骤摘要】
本技术涉及集成电路工艺装置,特别涉及一种承漏盘以及晶圆刻蚀系统。
技术介绍
在半导体工艺制造中,为了将晶圆的掩膜上的图形转移到下埋层上,需要对晶圆 进行刻蚀工艺。下埋层的某些部分经过与刻蚀剂发生化学反应被去除,而其余部分由于掩 膜层的保护没有接触刻蚀剂从而得以保留。目前,最主要的刻蚀方法有两种湿法化学刻 蚀和干法等离子刻蚀。在湿法刻蚀中,刻蚀剂是液态化学混合物,它与晶圆衬底发生化学反 应,产生可溶性物质,从而溶解于溶液中。进行半导体湿法刻蚀工艺的设备有酸槽。将待刻 蚀晶圆置于酸槽中,在酸槽的刻蚀液中浸没一段特定的时间,便可刻蚀掉晶圆上不需要的 部分衬底。完成了上述刻蚀工艺后的晶圆,需要对其进行清洗,以去除残留在晶圆表面的光 阻和酸液。利用去离子水的湿法清洗工艺是去除晶圆表面杂质颗粒和酸液的一种常用方 法,所述清洗方法通过将待清洗晶圆置于水槽中,在水槽的去离子水中浸没一段特定的时 间,同时可以辅以声波装置,利用超声波或者兆声波,清洗晶圆表面,去除晶圆表面的杂质 颗粒及酸液。可利用机械手来搬运晶圆,以将晶圆从酸槽移入水槽中。由于从酸槽中移出的晶 圆上带有比较多的杂 ...
【技术保护点】
一种承漏盘,其特征在于,包括底壁以及由所述底壁边缘向外延伸的多个侧壁,所述底壁与所述多个侧壁形成一个具有开口的容置空间,所述容置空间用以承接从晶圆上滴下的酸液或杂质颗粒。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:朱建野,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:实用新型
国别省市:31
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