硅片器件的低温掺杂方法技术

本发明专利技术公开了一种用于在所选级别的硅衬底上沉积掺杂硅层的低温方法和系统的结构。硅衬底用作光吸收体，而掺杂硅层用作发射体。该方法包括以下操作：将硅衬底定位到适于在该硅衬底上化学气相沉积掺杂硅层的沉积室中，该硅衬底的外表面适用于促进晶体膜生长；使用多个工艺参数调节所述掺杂硅层的生长，该多个工艺参数包括，第一工艺参数，用于抑制掺杂物原子扩散进入该硅衬底外表面的工艺温度，和第二工艺参数，用于提供影响掺杂硅层原子结构的层结晶度的过量氢原子的氢稀释度；把沉积室中的硅衬底的所述外表面暴露于合适环境的化学气相沉积条件下的蒸气，该蒸气包括硅原子、掺杂物原子和过量氢原子，该原子用于生长掺杂硅层；在外表面上开始掺杂硅层的生长以形成掺杂硅层和硅衬底之间的一个界面，以使掺杂硅层包括第一原子结构区域与相邻的第二原子结构区域，该第一原子结构区域具有仅次于界面的高的层结晶度质量，该第二原子结构区域具有低的层结晶度质量，伴随晶体缺陷的密集度的增加，界面上的掺杂硅层的厚度增加。所获得的硅衬底和掺杂层（或薄膜）可以用于太阳能电池的生产。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及生产硅薄膜和硅片器件的方法。
技术介绍
人们对于使用环境友好的、可持续的能源技术的需求与曰俱 增。光生伏打(PV)技术是太阳光直接被转换成电能的能源转换技 术的一种引人注目的形式。尽管PV被认为是可再生能源部分中成 长最快的产业之一，但是在制造人们能够承担得起的PV方面仍然 存在4兆战，即U武予其成本竟争性来对抗传统的基于矿物燃^"的电 能。部分影响是受不同国家颁布的各种电能关斩J支策，目前PV电 能的成本比传统电能贵了 2-4倍。就此范围，市场波动也4艮大程度 上有助于降低PV的成本。在系统水平上，每年成长超过30%比例 的市场降低了 5%的成本。尽管PV市场持续上涨，但是还需要进一 步降低PV成本，以实现可负担性的持续(发展)。基于晶片的晶体 硅(Si)太阳能电池占据了 90%-95%的PV市场。在基于晶体硅的 商业化PV模式上，材料自身成本(多晶Si原料、硅锭的生长和切 片)占了总成本的40%-50%,而电池的制造和才莫块组装每一项占了 总成本的25%-30%。 4吏用通过低成本方法、有效的器件i殳计和相容 的器件加工技术的开发而生产的Si基材料，抓住了满足成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于在所选级别的硅衬底上沉积掺杂硅层的低温方法，所述硅衬底用作光吸收体，而所述掺杂硅层用作发射体；所述方法包括以下操作：　将所述硅衬底定位到适于在所述硅衬底上化学气相沉积所述掺杂硅层的沉积室中，所述硅衬底的外表面适于促进晶体膜生长 ；　使用多个工艺参数调节所述掺杂硅层的生长，所述多个工艺参数包括第一工艺参数，用于抑制掺杂物原子扩散进入所述硅衬底的所述外表面的工艺温度，和第二工艺参数，用于提供影响所述掺杂硅层的原子结构层结晶度的过量氢原子的氢稀释度；　将所述 沉积室中的所述硅衬底的所述外表面暴露于适合环境的化学气相沉积条件下的蒸气，所述蒸气包括硅原子、掺杂物原...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：西瓦西沃思撒曼，迈赫迪法鲁克巴鲁吉，
申请(专利权)人：阿里斯技术公司，
类型：发明
国别省市：CA[加拿大]