平面基板上滤波器的接地策略制造技术

技术编号:5391887 阅读:276 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供电子部件的接地策略。具体地说,本发明专利技术通过将第一组一个或多个谐振器连接到一个接地连接,以及将第二组一个或多个谐振器连接到另一接地连接,提供薄膜电子部件中的接地连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电子部件的接地策略,更具体地涉及平面基板上滤波器的接地策略
技术介绍
利用微带(microstrip)技术或带状线(stripline)技术建立在基板上的电子部件、尤其是电子滤波器通常具有连接到在芯片衬底的不同层次上的系统接地平面的片上电路接地。通常,在不利用近年来发展的复杂倒装片技术的情况下,可以利用通孔、接合线或侧壁金属终端来实现这些接地连接,如图1所示。在滤波器应用中,这些接地连接带来会使滤波器性能劣化的伴生寄生电感,尤其在上止带处,因为寄生电感更大地影响较高频率的信号。这是因为电感器电抗与频率之间的成比例关系。在通孔应用中,可使用更多将电路节点接地的通孔以减少与接地连接伴生的总接地寄生电感。因为可以使用通孔将部件更直接地接地,所以可以实现更低的总寄生电感。然而,制造通孔的工艺慢且昂贵,尤其是蚀刻工艺。同样,在接合线应用中,会使用额外的接线来将电路节点接地。然而,额外的接合线需要扩大的焊盘表面和该焊盘的接入空间。至于侧壁终端应用,通常在矩形部件的每一侧有四个侧壁。在这四个侧壁终端中,通常两个用于输入和输出信号端口,而仅两个终端用于接地连接。因此可能的接地连接数量是有限的。
技术实现思路
考虑到上述情况,本专利技术提供电子部件的接地策略。具体地说,本专利技术通过将第一组一个或多个谐振器连接到一个接地连接,以及将第二组一个或多个谐振器连接到另一接地连接,减少了薄膜电子部件中与公共接地连接伴生的反馈效应。这种策略减少了公共接地电感对所有谐振器的反馈效应。减少了由公共接地电感引起的滤波器带外抑制性能劣化。因为这样分离的接地路径,另外的传输零点会在止带中产生,并可单独地被调制到需要最大衰减的频率位置。根据一个实施例,本专利技术提供一种电子部件,包括位于第一组两个或多个薄膜层中的第一组一个或多个谐振器、位于第二组两个或多个薄膜层中的第二组一个或多个谐振器、第一接地连接、以及第二接地连接。第一组一个或多个谐振器中的各个谐振器连接到第一接地连接,而第二组一个或多个谐振器中的各个谐振器连接到第二接地连接。以这种方式,可减少由电子部件的寄生接地电感引起的谐振器之间的干涉,并可提高部件的性能。根据本专利技术的另一实施例,第一组两个或多个薄膜层和第二组两个或多个薄膜层是相同的。根据本专利技术又一实施例,第一接地连接和第二接地连接可被实现为侧壁终端。根据本专利技术又一实施例,第一组一个或多个谐振器与第一接地连接的连接具有第一接地电感,而第二组一个或多个谐振器与第二接地连接的连接具有第二接地电感,第一接地电感与第二接地电感不同。根据本专利技术另一实施例,第一组一个或多个谐振器彼此具有基本相同的大小和形状,而第二组一个或多个谐振器具有与第一组一个或多个谐振器不同的大小和/或形状。根据本专利技术又一实施例,第一组一个或多个谐振器包括两个谐振器,第二组一个或多个谐振器包括一个谐振器,第一组两个或多个薄膜层包括两个薄膜层,以及第二组两个或多个薄膜层包括两个薄膜层。根据本专利技术又一实施例,电子部件还包括具有两长边和两短边的矩形外壳、输入连接、以及输出连接。第一和第二接地连接被构造为外壳两长边上的侧壁终端,而输入连接和输出连接被构造为外壳两短边上的侧壁终端。根据本专利技术又一实施例,电子部件还包括具有两长边和两短边的矩形外壳、输入连接、以及输出连接。第一和第二接地连接被构造为外壳两短边上的侧壁终端,而输入连接和输出连接被构造为外壳两长边上的侧壁终端。根据另一实施例,本专利技术提供一种用于确定薄膜滤波器中谐振器的形状和大小的方法,其中第一组预估形状和大小的一个或多个谐振器连接到第一接地连接,而第二组预估形状和大小的一个或多个谐振器连接到第二接地连接。该方法包括以下步骤(1)为薄膜滤波器选择中心通带频率,(2)估计第一和第二组谐振器中电感器的起始大小和形状,(3)基于所选择的中心通带频率计算薄膜滤波器的二次和三次谐波频率,(4)分别为第一和第二接地连接选择路线,(5)确定与第一和第二接地连接伴生的相应接地电感,(6)确定与第一接地连接伴生的寄生电感,(7)根据二次谐波频率、接地电感、以及寄生电感中计算第一组中谐振器的电容,(8)根据对第一组中的谐振器所选择的中心通带频率和所计算的电容计算第一组中谐振器的电感,(9)基于对第一组谐振器所计算的电容和电感调节第一组中谐振器的形状和大小,(10)确定与第二接地连接伴生的寄生电感,(11)根据三次谐波频率、接地电感、以及寄生电感计算第二组中谐振器的电容,(12)根据对第二组中谐振器所选择的中心通带频率和所计算的电容计算第二组中谐振器的电感,以及(13)基于对第二组谐振器所计算的电容和电感调节第二组中谐振器的形状和大小。应当理解本文中本专利技术的描述仅是例示性和说明性的,而不是限制所要求保护的本专利技术。附图说明图l示出常规接地连接策略。图2a示出带通滤波器的物理布局的立体图。图2b示出图2a中所示的带通滤波器的上金属层的物理布局。图3示出图2a中所示的带通滤波器的示意图。图4示出根据本专利技术一个实施例的带通滤波器的频率响应。图5示出根据本专利技术一个实施例的带通滤波器的示意图。图6a示出根据本专利技术一个实施例的带通滤波器的物理布局的立体图。图6b示出根据本专利技术一个实施例的图6a中所示的带通滤波器的上金属层的物理布局。图6c示出根据本专利技术一个实施例的图6a中所示的带通滤波器的下金属层的物理布局。图7示出根据本专利技术一个实施例的带通滤波器的频率响应比较。图8示出根据本专利技术一个实施例的谐振器的示意图。图9a示出根据本专利技术一个实施例的带通滤波器的物理布局的立体图。图9b示出根据本专利技术一个实施例的图9a中所示的带通滤波器的上金属层的物理布局。图9c示出根据本专利技术一个实施例的图9a中所示的带通滤波器的下金属层的物理布局。图10示出根据本专利技术一个实施例的图9a中所示的带通滤波器的示意图。图lla示出根据本专利技术一个实施例的带通滤波器的物理布局的立体图。图llb示出根据本专利技术一个实施例的图lla中所示的带通滤波器的上金属层的物理布局。图llc示出根据本专利技术一个实施例的图lla中所示的带通滤波器的下金属层的物理布局。图12示出根据本专利技术一个实施例的图lla中所示的带通滤波器的示意图。实施例描述现在将具体参考本专利技术的现有示例性实施例,其示例在附图中示出。本专利技术提供电子部件的接地策略,更具体地提供具有平面基板的滤波器的接地策略。例如,此接地策略可应用于以任意薄膜技术构造的电子部件。对于外壳大小为1 mmXO.5 mm以及基板厚度为0.3 mm,具有侧壁终端的常规薄膜滤波器通常呈现出约0.16 nH的接地电感。图2a和2b示出具8有三个谐振器的这样的带通滤波器的示例结构,而图3示出它的电路示意图。图2a中的带通滤波器具有分别通过电感器L6连接到接地170的三个LC谐振器130。接地170被配置为侧壁终端。其它的三个侧壁终端用作为输入端子150、输出端子160、以及空闲的另一接地连接171。图2a中的部分140担当用于将三个谐振器耦合到一起并耦合到输入和输出端子的耦合网络。图2b示出图2a中所示的带通滤波器的上层的俯视图。图2b更清楚地示出三个LC谐振器(L1/C1/L11、 L2/C2/L21、 L3/C3/L31)中的每一个通过电感器L6连接到接地连接17本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子部件,包括: 位于第一组两个或多个薄膜层中的第一组一个或更多个谐振器; 位于第二组两个或多个薄膜层中的第二组一个或更多个谐振器; 第一接地连接;以及 第二接地连接, 其中所述第一组一个或更多个谐振器中的 各个谐振器连接到所述第一接地连接,以及 所述第二组一个或更多个谐振器中的各个谐振器连接到所述第二接地连接。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:QR陈
申请(专利权)人:TDK股份有限公司
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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