微电子封装元件及其制备方法技术

本申请公开了具有介电层（２２０）的微电子封装元件（２０２）和封装（２８０），以及制备该元件（２０２）和封装（２８０）的方法。所述元件（２０２）和封装（２８０）可有利地用于具有高布线密度的微电子组件中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体涉及微电子封装，并且特别涉及封装微电子元件的方法和制备微电子 封装中使用的封装元件的方法。
技术介绍
微电子封装或封装元件(如基板)在电子组件中广泛使用。典型的封装和封装元 件通常包括介电材料片或板形式的介电材料，其具有大量在片或板上延伸的导电迹线。所 述迹线可设在一个层或多个层中，并由介电材料层隔开。所述封装或封装元件还可以包括 导电元件，如延伸穿过介电材料层以对不同层中的迹线进行互连的通孔衬套(liner)。在一 些情况中，将电路面板作为微电子封装的元件使用。 微电子封装通常包括具有一个或多个微电子器件的一个或多个基板，所述微电子 器件例如安装在该基板上的一个或多个半导体芯片。基板的导电元件可以包括用于与较大 的基板或电路面板进行电连接的导电迹线和端子，由此便于获得所期望的器件功能所需要 的电连接。芯片可以与迹线电连接，并因此与端子连接，以使所述封装可通过将端子与较大 的电路面板上的接触焊盘接合而安装至较大的电路面板。例如，一些用于微电子封装的基 板具有从介电元件延伸的引脚或触点形式的端子。 尽管迄今本领域已投入了相当大的努力以开发微电子封装和封装元件及制备这 种器件的方法，但仍然需要进一步的改进。
技术实现思路
本专利技术的一个方面是制备封装元件的方法。封装元件可以具有顶部表面和远离顶部表面的底部表面。所述封装元件可以通过将金属片变形形成多个空心触点而形成。所述空心触点可以包括朝上的第一触点，所述第一触点暴露在所述顶部表面处，以及多个朝下的第二触点，所述第二触点暴露在底部表面处并可与所述第一触点连接。所述第一和第二触点中的一些触点可以与所述第一和第二触点中的其他触点电绝缘。可在所述第一和第二触点中的一些或所有触点之间的空间内涂布介电材料。所述第一触点中的一些触点可以暴露在顶部表面处，并且所述第二触点中的一些触点可以暴露在底部表面处。 本专利技术的另一方面是封装微电子元件的方法。所述微电子元件可以通过形成封装元件来进行封装。所述封装元件可以具有顶部表面和远离顶部表面的底部表面。可以通过将金属片变形形成多个空心触点而形成所述封装元件。所述空心触点可以包括朝上的第一触点，所述第一触点暴露在所述顶部表面处，以及多个朝下的第二触点，所述第二触点暴露在所述底部表面处并可与所述第一触点连接。所述第一和第二触点中的一些触点可以与所述第一和第二触点中的其他触点电绝缘。可在所述第一和第二触点中的一些或所有触点之 间的空间内涂布介电材料。所述第一触点中的一些触点可以暴露在顶部表面处，并且所述 第二触点中的一些触点可以暴露在底部表面处。微电子元件可以安装在所述封装元件的顶 部表面，并且可以将所述微电子元件与所述第一触点或所述第二触点中的至少一个触点相 互电连接。 在本专利技术的另一方面中，封装元件具有顶部表面和远离顶部表面的底部表面。所 述封装元件可包括具有多个空心触点的变形的金属片。所述空心触点可以包括朝上的第一 触点，以及多个朝下的第二触点，所述第二触点可与所述第一触点连接。所述第一和第二触 点中的一些触点可以与所述第一和第二触点中的其他触点电绝缘。可在所述第一和第二触 点中的一些或所有触点之间的空间内布置介电材料。所述第一触点中的一些触点可以暴露 在顶部表面处，并且所述第二触点中的一些触点可以暴露在底部表面处。 在本专利技术的另一方面中，经封装的微电子元件包含封装元件。封装元件具有顶部 表面和远离顶部表面的底部表面。所述封装元件可包括具有多个空心触点的变形的金属 片。所述空心触点可以包括朝上的第一触点，以及多个朝下的第二触点，所述第二触点可与 所述第一触点连接。所述第一和第二触点中的一些触点可以与所述第一和第二触点中的其 他触点电绝缘。可在所述第一和第二触点中的一些或所有触点之间的空间内布置介电材 料。所述第一触点中的一些触点可以暴露在顶部表面处，并且所述第二触点中的一些触点 可以暴露在底部表面处。微电子元件可以安装在所述封装元件的顶部表面，并且可以与所 述第一触点或所述第二触点中的至少一个触点进行相互电连接。 上述
技术实现思路
既不意味也不应该被理解为代表本专利技术的全部内容和范围，从专利技术 详述部分中，特别是当结合附图时，本专利技术的其他方面将变得更明显。附图说明 图1是说明根据本专利技术的一个实施方案的方法的流程图； 图2A-2D是在图1方法的制备步骤中，金属片部分的平面图(图2A、2D)和截面图 (图2B、2C); 图3A-3B是在根据本专利技术的实施方案的方法的后续步骤期间所制备的微电子元 件部分的示意性截面图； 图4A-4C是根据本专利技术的实施方案的方法的后续步骤期间所制备的微电子元件 部分的示意性截面图和平面图(图4C); 图5是根据本专利技术的实施方案的方法的后续步骤期间所制备的微电子元件部分 的示意图； 图6A-6B是根据本专利技术的实施方案的方法的后续步骤期间所制备的微电子元件 部分的截面图和平面图；以及 图7A-7D是根据本专利技术的另外实施方案制备的微电子封装的部分的示意性截面 图。 在此，在可能的情况下，使用相同的附图标记来表示各图中共有的相同元件。为了举例说明的目的而简化这些附图中的图像，且这些图像不是按比例绘制的。 附图显示本专利技术的示例性实施方案，因此不能认为是对本专利技术的范围的限制，本6专利技术的范围也包括其他效果相同的实施方案。 专利技术详述 图1示出了根据本专利技术的一个实施方案制备封装元件的方法100的流程图。所述 方法100包括在微电子元件封装期间进行的处理步骤。在一些实施方案中，这些处理步骤 以所描绘的次序进行。在可选的实施方案中，这些步骤中的至少两个步骤可同时进行或以 不同的次序进行。尽管在图1中没有示出，可以在图1中描绘的步骤之间(例如在封装过程 中)进行例如子步骤和辅助步骤(如在处理反应器间的转移、清洗子步骤、过程控制子步骤 等)。附图中的截面图任意地沿使用方法100制备的微电子封装的金属片的中心线A-A(仅 在图2A中示出)取得。 在根据本专利技术的一个实施方案的方法的步骤104中，提供了导电金属片200。金属 片200具有周边202 (图2A-2B)。理想地，所述片200主要由金属组成。所述片200的厚度 204通常选自约5至75 ii m的范围。所述金属片主要由铜组成，并且可以包括铜合金(如铜 和锌、铜和锡、铜和铝、铜和硅、铜和镍和/或铜和银的合金)，并且包括但不限于黄铜、磷青 铜、铝青铜和硅青铜。也可以使用主要由铝或铝合金组成的金属片。 在步骤106中，通过将片200变形而形成多个空心触点210 (图2C)。形成朝上的 第一触点210A，其暴露在顶部表面210B处。多个朝下的第二触点210C暴露在底部表面 210D处。所述第一触点210A和第二触点210C通过在所述变形过程中产生的金属壁205连 接。以箭头206指示的触点210的宽度通常在约100至1000 P m的范围内选择，如200至 300iim。触点210A、210C可以在以箭头207指示的厚度上基本均匀。在图2D的平面图中 显示了触点210A和210C的示例性排布。 在步骤106中，触点210通过使用冲压操作来使片200变形而形成。所述冲压操 作可以包括对片200施加热和/或压力，任选地，如图3A和3B所示，将所述片200在第一 压模2本文档来自技高网...

【技术保护点】
制备封装元件的方法，所述封装元件具有顶部表面和远离所述顶部表面的底部表面，所述方法包括以下步骤：（ｉ）使金属片变形以形成多个空心触点，所述空心触点包括朝上的第一触点和多个朝下的第二触点，所述第一触点暴露在所述顶部表面处，所述第二触点暴露在所述底部表面处并与所述第一触点连接，所述第一和第二触点中的至少一些触点与所述第一和第二触点中的其他触点电绝缘；并（ｉｉ）在所述第一和第二触点中的至少一些触点之间的空间内涂布介电材料，所述第一触点暴露在所述顶部表面处，并且所述第二触点暴露在所述底部表面处。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：B哈巴，
申请(专利权)人：泰塞拉公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]