一种轻质高导热电子封装材料制造技术

本发明专利技术公开了一种轻质高导热电子封装材料，包括的原料有：改性环氧树脂颗粒、纳米氧化镁粉末、二氧化硅粉末，按照质量百分比计算，所述改性环氧树脂颗粒占75%‑80%、纳米氧化镁粉末12%‑18%、二氧化硅粉末7%‑9%。通过上述方式，本发明专利技术具有优异的导热性和气密性，能阻止高温、高湿等有害环境对电子器件的影响。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种轻质高导热电子封装材料，包括的原料有：改性环氧树脂颗粒、纳米氧化镁粉末、二氧化硅粉末，按照质量百分比计算，所述改性环氧树脂颗粒占75%?80%、纳米氧化镁粉末12%?18%、二氧化硅粉末7%?9%。通过上述方式，本专利技术具有优异的导热性和气密性，能阻止高温、高湿等有害环境对电子器件的影响。【专利说明】一种轻质高导热电子封装材料
本专利技术涉及电子元器件封装材料领域，特别是涉及一种轻质高导热电子封装材料。
技术介绍
随着电子元器件朝着尺寸更小、质量更轻、运算速度更快的方向发展，对电子封装材料也相应地提出了更高的要求。随着集成电路集成度的增加，芯片发热量成指数关系上升，从而使芯片的寿命降低，芯片温度每升高10°C，GaAs或Si半导体芯片寿命就会缩短三倍。这主要是因为在微电子集成电路及大功率整流器件中，材料间散热性能不好而导致的。解决这个问题最重要的手段就是使用具有更好性能的封装材料。塑料封装器件占世界商用芯片封装市场的90%以上，不过塑料导热性能很差，且塑料封装吸水受热易膨胀，会导致塑料封装器件爆裂。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种轻质高导热电子封装材料，具有优异的导热性和气密性，能阻止高温、高湿等有害环境对电子器件的影响。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是:提供一种轻质高导热电子封装材料，包括的原料有:改性环氧树脂颗粒、纳米氧化镁粉末、二氧化硅粉末，按照质量百分比计算，所述改性环氧树脂颗粒占75%-80%、纳米氧化镁粉末12%-18%、二氧化娃粉末7%-9%； 所述改性环氧树脂颗粒包括如下质量份的成分:环氧树脂87-92份、聚丙烯酸正丁酯3-5份、邻苯二甲酸酐1-4份、硅氧烷4-6份； 所述纳米氧化镁粉末包括如下质量份的成分:氯化镁65-70份、碳酸钠20-25份、聚乙烯醇10-12份。在本专利技术一个较佳实施例中，所述纳米氧化镁粉末的粒径为20-40nm。在本专利技术一个较佳实施例中，所述改性环氧树脂颗粒的粒径为5-8μηι。在本专利技术一个较佳实施例中，所述改性环氧树脂颗粒的含水率<0.01%。本专利技术的有益效果是:通过在改性环氧树脂颗粒中添加合理配比的高导热纳米氧化镁粉末和二氧化硅粉末，使获得的材料具有优异的导热性和气密性，能阻止高温、高湿等有害环境对电子器件的影响。【具体实施方式】下面结合对本专利技术的较佳实施例进行详细阐述，以使本专利技术的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本专利技术的保护范围做出更为清楚明确的界定。实施例一: 一种轻质高导热电子封装材料，包括的原料有:改性环氧树脂颗粒、纳米氧化镁粉末、二氧化硅粉末，按照质量百分比计算，所述改性环氧树脂颗粒占75%、纳米氧化镁粉末18%、二氧化硅粉末7%; 所述改性环氧树脂颗粒包括如下质量份的成分:环氧树脂87份、聚丙烯酸正丁酯5份、邻苯二甲酸酐4份、硅氧烷4份； 所述纳米氧化镁粉末包括如下质量份的成分:氯化镁65份、碳酸钠25份、聚乙烯醇10份。其中，所述纳米氧化镁粉末的粒径为20nm。所述改性环氧树脂颗粒的粒径为5μπι。所述改性环氧树脂颗粒的含水率< 0.01%。实施例二: 一种轻质高导热电子封装材料，包括的原料有:改性环氧树脂颗粒、纳米氧化镁粉末、二氧化硅粉末，按照质量百分比计算，所述改性环氧树脂颗粒占77%、纳米氧化镁粉末14%、二氧化硅粉末9%; 所述改性环氧树脂颗粒包括如下质量份的成分:环氧树脂88份、聚丙烯酸正丁酯4份、邻苯二甲酸酐2份、硅氧烷6份； 所述纳米氧化镁粉末包括如下质量份的成分:氯化镁66份、碳酸钠22份、聚乙烯醇12份。其中，所述纳米氧化镁粉末的粒径为30nm。所述改性环氧树脂颗粒的粒径为6μπι。所述改性环氧树脂颗粒的含水率<0.01%。实施例三: 一种轻质高导热电子封装材料，包括的原料有:改性环氧树脂颗粒、纳米氧化镁粉末、二氧化硅粉末，按照质量百分比计算，所述改性环氧树脂颗粒占80%、纳米氧化镁粉末12%、二氧化硅粉末8%; 所述改性环氧树脂颗粒包括如下质量份的成分:环氧树脂92份、聚丙烯酸正丁酯3份、邻苯二甲酸酐I份、硅氧烷4份； 所述纳米氧化镁粉末包括如下质量份的成分:氯化镁70份、碳酸钠20份、聚乙烯醇10份。 其中，所述纳米氧化镁粉末的粒径为40nm。 所述改性环氧树脂颗粒的粒径为8μπι。所述改性环氧树脂颗粒的含水率< 0.01%。本专利技术揭示了一种轻质高导热电子封装材料，通过在改性环氧树脂颗粒中添加合理配比的高导热纳米氧化镁粉末和二氧化硅粉末，使获得的材料具有优异的导热性和气密性，能阻止高温、高湿等有害环境对电子器件的影响。以上所述仅为本专利技术的实施例，并非因此限制本专利技术的专利范围，凡是利用本专利技术说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的
，均同理包括在本专利技术的专利保护范围内。【主权项】1.一种轻质高导热电子封装材料，其特征在于，包括的原料有:改性环氧树脂颗粒、纳米氧化镁粉末、二氧化硅粉末，按照质量百分比计算，所述改性环氧树脂颗粒占75%-80%、纳米氧化儀粉末12%_18%、一■氧化娃粉末7%-9%; 所述改性环氧树脂颗粒包括如下质量份的成分:环氧树脂87-92份、聚丙烯酸正丁酯3-5份、邻苯二甲酸酐1-4份、硅氧烷4-6份； 所述纳米氧化镁粉末包括如下质量份的成分:氯化镁65-70份、碳酸钠20-25份、聚乙烯醇10-12份。2.根据权利要求1所述的轻质高导热电子封装材料，其特征在于，所述纳米氧化镁粉末的粒径为20-40nm。3.根据权利要求1所述的轻质高导热电子封装材料，其特征在于，所述改性环氧树脂颗粒的粒径为5-8μπι。4.根据权利要求1所述的轻质高导热电子封装材料，其特征在于，所述改性环氧树脂颗粒的含水率<0.01%。【文档编号】C08K3/16GK105838032SQ201610271698【公开日】2016年8月10日【申请日】2016年4月28日【专利技术人】龚文明 【申请人】太仓市金毅电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种轻质高导热电子封装材料，其特征在于，包括的原料有：改性环氧树脂颗粒、纳米氧化镁粉末、二氧化硅粉末，按照质量百分比计算，所述改性环氧树脂颗粒占75%‑80%、纳米氧化镁粉末12%‑18%、二氧化硅粉末7%‑9%；所述改性环氧树脂颗粒包括如下质量份的成分：环氧树脂87‑92份、聚丙烯酸正丁酯3‑5份、邻苯二甲酸酐1‑4份、硅氧烷4‑6份；所述纳米氧化镁粉末包括如下质量份的成分：氯化镁65‑70份、碳酸钠20‑25份、聚乙烯醇10‑12份。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：龚文明，
申请(专利权)人：太仓市金毅电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32