沉积石英舟涉及ＳＩＰＯＳ膜加工专用的石英舟。能确保相邻晶片之间不接触。石英舟包括左上梁、右上梁和至少一根底梁，左上梁、右上梁和底梁的轴心分布在同一圆周线上，且左上梁、右上梁和底梁朝向圆周线圆心方向均布有若干凹槽，右上梁位于圆周线的０～－５°范围之间，左上梁位于圆周线的１８０－１８５°范围之间。本实用新型专利技术相对于现有技术，提高了原有ＳＩＰＯＳ石英舟两边固定晶片的上梁高度，使之上移，这样能更好的定位晶片，使晶片不易翘曲，造成相互接触。这样就能有效的避免因ＳＩＰＯＳ沉积时由于晶片翘曲严重使沉积时气体沉积速率发生变化而导致膜厚不均匀，进而提高保证ＳＩＰＯＳ沉积时膜的均匀度。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及低压化学气相沉积工艺中的晶片承载工具，尤其涉及SIPOS膜 加工专用的石英舟。
技术介绍
SIPOS (英文 Semi-Insulate Polycry stalline)石英舟是运用在LPCVD 系统(又名低压化学气象沉积)，此系统主要是在裸露的PN结上长一层SIPOS膜即半绝缘多晶硅膜， SIPOS不仅可以钝化可动离子，而且对其它界面电荷也有补偿或消除作用，也可彻底消 除击穿电压需变现象，提高PN结的击穿电压，SIPOS膜具有较高的信赖性，在高温、高 湿、强电场等恶劣条件下也能长时间工作。市场上的高压半导体分立器件均采用某种钝化结构来保护PN结，目前普遍采用 的是LPCVD系统在PN结上长一层SIPOS膜来提高芯片的反向击穿电压。在LPCVD系 统通入一定比例的硅烷和笑气，不同的气体比例将导致不同的Si和O的比例，膜的性质 将发生改变。因此气体在PN结上沉积的速率也显得非常重要，膜的厚度将会影响芯片的 反向击穿电压VB和反向漏电流IR。为此，生产者设计出一种石英管、石英舟的专用承载工具来实现上述工艺，其 方式是石英管卧式放置，石英舟从石英管的一端进出；石英管管壁上开设若干孔，晶 片相互留间隙地竖立放置在石英舟上。为实现相互留有间隙，石英舟设四条轴向支撑 杆，四杆向内的表面上间隔开设略大于晶片厚度的凹槽，晶片卡在槽中。如图3所示， 四杆中一对下梁12设在石英舟底部，一对上梁11设在晶片高度的1/4处。由于晶片较 薄且晶片的翘曲度比铰大，使两片晶片的上沿部分贴的过紧，以至SIPOS膜沉积的不够 均勻。因此为了保证SIPOS膜沉积的均勻度，研究一种新的SIPOS沉积石英舟具有很 重要的意义。
技术实现思路
本技术针对以上问题，提供了一种能确保相邻晶片之间不接触的沉积石英舟。本技术的技术方案是所述石英舟包括左上梁、右上梁和至少一根底梁， 左上梁、右上梁和底梁的轴心分布在同一圆周线上，且左上梁、右上梁和底梁朝向圆周 线圆心方向均布有若干凹槽，所述右上梁位于所述圆周线的O -5°范围之间，所述左 上梁位于所述圆周线的180-185°范围之间。所述底梁设有一对。圆周线的半径为晶片半径与凹槽底至上梁轴心距离之和。本技术相对于现有技术，提高了原有SIPOS石英舟两边固定晶片的上梁高 度，使之上移，这样能更好的定位晶片，使晶片不易翘曲，造成相互接触。这样就能有3效的避免因SIPOS沉积时由于晶片翘曲严重使沉积时气体沉积速率发生变化而导致膜厚 不均勻，进而提高保证SIPOS沉积时膜的均勻度。附图说明图1是本技术的结构示意图图中1是石英舟，2是晶片，3是石英管，4是凹槽；图2是图1中A-A剖视图图中10是圆周线，111是左上梁，112是右上梁，12是下梁。图3是本技术
技术介绍
的示意图具体实施方式本技术如图1、2所示，石英舟1置于石英管3内，石英舟1包括左上梁 111、右上梁112和至少一根底梁12，左上梁111、右上梁112和底梁12的轴心分布在同 一圆周线10上，且左上梁111、右上梁112和底梁12朝向圆周线10圆心方向均布有若干 凹槽4，所述右上梁112位于所述圆周线10的O -5°范围之间，所述左上梁111位于 所述圆周线10的180-185°范围之间。所述底 梁12设有一对。圆周线10的半径为晶片2的半径与凹槽4的底面至上梁(左上梁111、右上梁 112)轴心距离之和。权利要求1.沉积石英舟，所述石英舟包括左上梁、右上梁和至少一根底梁，左上梁、右上梁 和底梁的轴心分布在同一圆周线上，且左上梁、右上梁和底梁朝向圆周线圆心方向均布 有若干凹槽，其特征在于，所述右上梁位于所述圆周线的O -5°范围之间，所述左上 梁位于所述圆周线的180-185°范围之间。2.根据权利要求1所述的沉积石英舟，其特征在于，所述底梁设有一对。3.限据权利要求1或2所述的沉积石英舟，其特征在于，圆周线的半径为晶片半径与 凹槽底至上梁轴心距离之和。专利摘要沉积石英舟涉及SIPOS膜加工专用的石英舟。能确保相邻晶片之间不接触。石英舟包括左上梁、右上梁和至少一根底梁，左上梁、右上梁和底梁的轴心分布在同一圆周线上，且左上梁、右上梁和底梁朝向圆周线圆心方向均布有若干凹槽，右上梁位于圆周线的0～-5°范围之间，左上梁位于圆周线的180-185°范围之间。本技术相对于现有技术，提高了原有SIPOS石英舟两边固定晶片的上梁高度，使之上移，这样能更好的定位晶片，使晶片不易翘曲，造成相互接触。这样就能有效的避免因SIPOS沉积时由于晶片翘曲严重使沉积时气体沉积速率发生变化而导致膜厚不均匀，进而提高保证SIPOS沉积时膜的均匀度。文档编号H01L21/673GK201793734SQ20102053655公开日2011年4月13日 申请日期2010年9月19日 优先权日2010年9月19日专利技术者裘立强, 邵伟祥 申请人:扬州杰利半导体有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
沉积石英舟，所述石英舟包括左上梁、右上梁和至少一根底梁，左上梁、右上梁和底梁的轴心分布在同一圆周线上，且左上梁、右上梁和底梁朝向圆周线圆心方向均布有若干凹槽，其特征在于，所述右上梁位于所述圆周线的０～－５°范围之间，所述左上梁位于所述圆周线的１８０－１８５°范围之间。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：邵伟祥，裘立强，
申请(专利权)人：扬州杰利半导体有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32
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