新型NTC热敏电阻烧结垫块制造技术

技术编号:5236187 阅读:268 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术公开了一种新型NTC热敏电阻烧结垫块,用于垫设在高温陶瓷匣钵内,其特征在于,所述高温陶瓷匣钵的侧壁下方开有通气孔;所述新型NTC热敏电阻烧结垫块为由高温陶瓷做成的瓦棱结构;所述新型NTC热敏电阻烧结垫块的高度为12mm,每条棱的宽度为10mm,每条棱的厚度为5mm;所述新型NTC热敏电阻烧结垫块的相邻棱边间的角度为60°。该新型NTC热敏电阻烧结垫块有利于增强在烧结过程中空气的流动和热量的传递,使NTC热敏芯片的成瓷均匀,改善芯片阻值和B值的一致性。这种垫块的价格仅为常用锆板的1/10,而且可以双面使用,是功率型NTC热敏电阻芯片烧结理想垫块。(*该技术在2019年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及敏感元件制造
,具体涉及一种用于制造功率型NTC热敏 电阻的新型烧结垫块。
技术介绍
功率型NTC热敏电阻(系指圆片型热敏电阻)通常是将过度金属氧化粉料装入 成型模具中压制成圆形坯体,然后将坯体盛入高温陶瓷匣钵中放进高温电炉中烧成具有尖 晶石结构半导体陶瓷芯片。目前使用的匣钵为平底形的方形或圆形匣钵。实践表明,用这 种匣钵烧结的芯片靠着钵底部份与钵上面部分晶粒大小,光亮度有很大差异,甚至出现靠 近匣钵边沿部分的芯片过烧,而钵中心部位的芯片却未成瓷。电阻值和B值测量表明匣钵 不同部位的芯片的电参数差异很大,致使产品的一致变差。导致这种现象发生的主要原因 是匣钵内空气不流通,热量不均衡,升温时匣钵边沿的坯体升温快,中心部位降温慢,使得 匣钵内不同部位的芯片中的杂质分布,热应力状态不完全相同,使得材料的电阻率呈现极 大差异;同时由于芯片中的内能不等,所以材料中的电子状态不同(即电子处的能级位置 不同)形成不同的B值。 提高产品的对号率,提高良品率是制造者追求的目标。研究表明NTC热敏电阻的 电阻率与烧结时氧气浓度的关系可写成P = P。e_fc—")t,式中P。为C二Co本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型NTC热敏电阻烧结垫块,用于垫设在高温陶瓷匣钵(2)内,其特征在于,所述高温陶瓷匣钵(2)的侧壁下方开有通气孔(1);所述新型NTC热敏电阻烧结垫块(3)为由高温陶瓷做成的瓦棱结构;所述新型NTC热敏电阻烧结垫块(3)的高度为12mm,每条棱的宽度为10mm,每条棱的厚度为5mm;所述新型NTC热敏电阻烧结垫块(3)的相邻棱边间的角度为60°。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陶明德唐本栋周军有
申请(专利权)人:四川西汉电子科技有限责任公司
类型:实用新型
国别省市:90[中国|成都]

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