【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体
，尤其涉及一种碳化硅单晶生长炉中的提纯及压 力控制系统。
技术介绍
碳化硅作为一种新型的宽禁带半导体材料，具有优异的物理和电学性能，特别适 合于制造高温、高频、大功率、抗辐照、短波长发光及光电集成器件，在微电子和光电子领域 具有极好的应用前景。通常碳化硅单晶的生长采用物理汽相传输工艺PVT。由于PVT工艺 中碳化硅源粉的升华决定了单晶的生长，而生长室内的气压值决定了源粉升华的速率，因 此对于压力的控制就尤为重要。然而，目前在碳化硅单晶生长炉中确没有比较稳定、可靠的 压力控制系统。
技术实现思路
本技术提供一种碳化硅单晶生长炉中的提纯及压力控制系统，达到了能够对 碳化硅单晶生长前的提纯工艺以及对碳化硅单晶生长过程中所涉及的各工艺提供稳定可 靠的压力控制的目的。具体的，本技术提供的一种碳化硅单晶生长炉中的提纯及压力控制系统，包 括真空室，以及分别与真空室相连的抽真空链路和充气链路，所述抽真空链路包括主要由 机械泵组成的低真空链路和主要由分子泵和真空计组成的高真空链路；所述充气链路包括 针阀、质量流量控制计和气动阀，其特征在于，所述碳化硅单晶生长炉中的...
【技术保护点】
一种碳化硅单晶生长炉中的提纯及压力控制系统，包括：真空室，以及分别与真空室相连的抽真空链路和充气链路，所述抽真空链路包括主要由机械泵组成的低真空链路和主要由分子泵和真空计组成的高真空链路；所述充气链路包括针阀、质量流量控制计和气动阀，其特征在于，所述碳化硅单晶生长炉中的提纯及压力控制系统还包括： 布置在所述机械泵与真空室间的压力控制系统，所述压力控制系统包括： 测量所述真空室内压力值的压力传感器； 将预设的压力值与所述压力传感器测量的压力值进行比较计算并输出压力控制指令的比例－积分－微分ＰＩＤ控制电路； 以及，根据所述ＰＩＤ控制电路输出的压力控制指令调节所述低真空链...
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅单晶生长炉中的提纯及压力控制系统，包括真空室，以及分别与真空 室相连的抽真空链路和充气链路，所述抽真空链路包括主要由机械泵组成的低真空链路和 主要由分子泵和真空计组成的高真空链路；所述充气链路包括针阀、质量流量控制计和气 动阀，其特征在于，所述碳化硅单晶生长炉中的提纯及压力控制系统还包括布置在所述机械泵与真空室间的压力控制系统，所述压力控制系统包括测量所述真空室内压力值的压力传感器；将预设的压力值与所述压力传感器测量的压力值进行比较计算并输出压力控制指令 的比例-积分-微分PID控制电路；以及，根据所述PID控制电路输出的压力控制指令调节所述低真空链路与所述真空室...
【专利技术属性】
技术研发人员：王利杰，郝建民，王香泉，孟大磊，洪颖，郭俊敏，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十六研究所，
类型：实用新型
国别省市：12
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