发光二极管结构制造技术

一种发光二极管结构，包括一发光二极管芯片、一支撑发光二极管芯片且与发光二极管芯片电性连接的导线架以及一包覆发光二极管芯片及部分导线架的透镜。透镜的上方形成有一凹槽，凹槽具有一阶梯状的内侧壁，其中内侧壁的一上倾斜壁部的斜度大于一下倾斜壁部的斜度，内侧壁的一连接壁部连接上倾斜壁部及下倾斜壁部，连接壁部的斜度分别大于上倾斜壁部及下倾斜壁部的斜度。本发明专利技术具有改良的光型，以适合作为装饰灯之用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是涉及一种发光二极管结构，特别涉及一种具有改善光型以适合作为装饰 灯的发光二极管结构。
技术介绍
请参阅图1，图1是公知侧向发光二极管结构的示意图。如图所示，公知侧向发光 二极管结构100包括一发光二极管芯片130、一导线架120、以及一透镜110，各元件分述如 下导线架120用于支撑发光二极管芯片130，并且提供发光二极管芯片130与外部电 路(未图示)的电性连接。透镜110包覆发光二极管芯片130以及一部分的导线架120。透镜110的材质为 透明的树脂，其形状大致上为圆柱形。在透镜110的顶部设置有一圆锥形凹槽112，亦即其 横截面为圆形，但在较深处的半径比在较浅处的半径为小。操作时，发光二极管芯片130向上发射光线，在到达凹槽112的内侧壁时，大部分 光线被反射成为侧向光，只有少部分光线穿透成为正向光。由于公知侧向发光二极管结构的正向光较为微弱，因此不利于作为装饰灯的使用。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种发光二极管结构，具有改良的光型，以适合作为装饰灯 Z用ο在本专利技术的一实施例中，发光二极管结构包括一发光二极管芯片、一导线架、以及 一透镜。导线架与发光二极管芯片电性连接，且导线架支撑发光二极管芯片，透镜包覆发光 二极管芯片及部分的导线架。透镜的上方形成有一凹槽，凹槽具有一阶梯状的内侧壁，内侧 壁的一上倾斜壁部的斜度大于一下倾斜壁部的斜度。在本专利技术的一实施例中，透镜的凹槽的内侧壁还包括一连接壁部，连接壁部连接 上倾斜壁部及下倾斜壁部，连接壁部的斜度大于上倾斜壁部及下倾斜壁部的斜度。在本专利技术的一实施例中，透镜包括一柱状透镜。在本专利技术的一实施例中，透镜还包括一导角，导角设置于凹槽的内侧壁与透镜的 外侧壁的交界处。其中，导角为圆角或斜角。在本专利技术的一实施例中，透镜的凹槽的横截面为圆形，且凹槽的内径由上而下渐缩。在本专利技术的一实施例中，透镜的材质为树脂。在本专利技术的一实施例中，发光二极管结构包括一发光二极管芯片、一导线架、以及 一柱状透镜。导线架与发光二极管芯片电性连接，且支撑发光二极管芯片，柱状透镜包覆发光二极管芯片及部分的导线架，且其上方形成有一凹槽，其中凹槽具有一阶梯状的内侧壁， 内侧壁的一上倾斜壁部的斜度大于一下倾斜壁部的斜度，内侧壁的一连接壁部连接上倾斜 壁部及下倾斜壁部，连接壁部的斜度大于上倾斜壁部及下倾斜壁部的斜度。在本专利技术的一实施例中，透镜还包括一导角，导角设置于凹槽的内侧壁与柱状透 镜的外侧壁的交界处。其中，导角为圆角或斜角。在本专利技术的一实施例中，柱状透镜的凹槽的横截面为圆形，且凹槽的内径由上而 下渐缩。在本专利技术的一实施例中，柱状透镜的材质为树脂。为使本专利技术的上述目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例并配合 附图做详细说明。附图说明图1是公知侧向发光二极管结构的示意图。图2是依据本专利技术的发光二极管结构的第一实施例的示意图。图3是图2的发光二极管结构的局部放大图。图4是图2的发光二极管结构的另一局部放大图。图5是以电脑模拟本专利技术的第一实施例与公知侧向发光二极管结构所得到的发 光角度分布图。图6是依据本专利技术的发光二极管结构的第二实施例的局部放大图。并且，上述附图中的附图标记说明如下公知技术100 侧向发光二极管结构110 透镜112 凹槽120 导线架130 发光二极管芯片本专利技术第一实施例200 发光二极管结构210 透镜212 凹槽214 内侧壁的下倾斜壁部215 内侧壁的连接壁部216 内侧壁的上倾斜壁部217 导角218 外侧壁220 导线架230 发光二极管芯片θ --内侧壁的连接壁部的倾斜角 内侧壁i的下倾斜！I部的倾斜角 内侧壁i的上倾斜！I部的倾斜角第二实施例216'‘ 内侧壁217'‘ 导角218'‘ 外侧壁具体实施例方式请参阅图2，图2是依据本专利技术的发光二极管结构的第一实施例的示意图。如图所 示，发光二极管结构200包括一发光二极管芯片230、一导线架220、以及一透镜210，各元件 分述如下导线架220支撑发光二极管芯片230，并且提供发光二极管芯片230与外部电路 (未图示)的电性连接。透镜210包覆发光二极管芯片230以及一部分的导线架220。在本专利技术实施例中， 透镜210的材质可为透明的树脂，其形状大致上为圆柱形。在透镜210的顶部设置有一阶 梯状的凹槽212，此凹槽212虽然不是圆锥形，但其横截面仍然为圆形，且在较深处的内径 仍然比在较浅处的内径为小。上述凹槽212的内侧壁包括有一上倾斜壁部216、一下倾斜壁部214及一连接壁部 215，连接壁部215连接上倾斜壁部216及下倾斜壁部214，其中连接壁部215的倾斜角θ 大于上倾斜壁部216的倾斜角θ 2及下倾斜壁部214的倾斜角θ1()操作时，发光二极管芯片230向上发射光线，在到达凹槽212的内侧壁的下倾斜壁 部214及上倾斜壁部216时，一部分光线被反射成为侧向光，另一部分光线则穿透成为正向 光。请参阅图3，图3是图2的发光二极管结构的局部放大图。其中，凹槽的内侧壁的 上倾斜壁部216与透镜的外侧壁218交界处设置有一导角217，可用于增加正向光的强度。 在本实施例中，此导角217为一圆角，在本专利技术另一实施例中，此导角217例如是一斜角。另外，凹槽212采阶梯状设计，可以在视觉上产生发光部分被拉长的效果。请同时 参阅图2以及图4，图4是图2的发光二极管结构的另一局部放大图。其中，凹槽212在较 深处的内侧壁的下侧壁部214的倾斜角θ工比在较浅处的内侧壁的上侧壁部216的倾斜角 θ2为小。经由以上结构设计，可使发光二极管结构200的光型更加适合作为装饰灯的使 用，以下以电脑模拟来说明本专利技术的第一实施例与公知侧向发光二极管结构的光型差异请参阅图5，图5是以电脑模拟本专利技术的第一实施例与公知侧向发光二极管结构 所得到的发光角度分布图。由图可知，本专利技术的第一实施例在发光二极管结构下方(90°以 上，-90°以下)的光量减少，而在0°方向的光量增加，符合预期。请参阅图6所示的本专利技术的发光二极管结构的第二实施例，其中，在凹槽的内侧 壁的上倾斜壁部216’与透镜的外侧壁218’交界处设置有一斜角217’，亦能增加正向光的 强度。至于其他构造与第一实施例相同，因此省略说明。 虽然本专利技术已以较佳实施例公开如上，然而其并非用以限定本专利技术，任何本领域 普通技术人员，在不脱离本专利技术的精神和范围内，当可作任意的更动与润饰，因此本专利技术的 保护范围当视随附的权利要求所界定的范围为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管结构，包括：一发光二极管芯片；一导线架，与该发光二极管芯片电性连接，该导线架支撑该发光二极管芯片；以及一透镜，包覆该发光二极管芯片及部分的该导线架，该透镜的上方形成有一凹槽，该凹槽具有一阶梯状的内侧壁，该内侧壁的一上倾斜壁部的斜度大于一下倾斜壁部的斜度。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管结构，包括一发光二极管芯片；一导线架，与该发光二极管芯片电性连接，该导线架支撑该发光二极管芯片；以及一透镜，包覆该发光二极管芯片及部分的该导线架，该透镜的上方形成有一凹槽，该凹 槽具有一阶梯状的内侧壁，该内侧壁的一上倾斜壁部的斜度大于一下倾斜壁部的斜度。2.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该透镜的凹槽的内侧壁还包括一连接壁 部，该连接壁部连接该上倾斜壁部及该下倾斜壁部，该连接壁部的斜度大于该上倾斜壁部 及该下倾斜壁部的斜度。3.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该透镜包括一柱状透镜。4.如权利要求3所述的发光二极管结构，其中该透镜还包括一导角，该导角设置于该 凹槽的内侧壁与该透镜的外侧壁的交界处。5.如权利要求4所述的发光二极管结构，其中该导角为圆角。6.如权利要求4所述的发光二极管结构，其中该导角为斜角。7.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该凹槽的横截面为圆形，且该凹槽的内 径由上而下渐缩。8.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：许嘉芸，徐志宏，
申请(专利权)人：亿光电子工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]