【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶显示技术，尤其涉及一种TFT-IXD (薄膜晶体管液晶显示器)阵列 基板、制造方法及断线维修方法。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display, TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射、制造成本相对较低等特点，在当前的平板显示器市 场占据了主导地位。TFT-LCD的主体结构包括对盒在一起并将液晶夹设其间的阵列基板和彩膜基板， 阵列基板上形成有提供扫描信号的栅线、提供数据信号的数据线以及形成像素点的像素电 极。TFT-IXD的制备工艺主要包括制备阵列基板和彩膜基板的阵列工艺、将阵列基板 和彩膜基板对盒并注入液晶的成盒工艺以及后续的模组工艺。在上述阵列工艺过程中，断 线是一种常见的不良，而且相比于像素点不良，断线不良发生的比率非常高；这当中包括栅 线断线和数据线断线。栅线断线和数据线断线的发生会导致一整行或列的像素不能正常地 工作，进而影响画面的成像。针对可能出现栅线断线的情况而言，由于栅线在整个TFT结构的最底层，如果在 完成所有的TFT工艺之后，再对其栅线上的断线不良...
【技术保护点】
一种ＴＦＴ－ＬＣＤ阵列基板，包括由栅线和数据线限定的数个像素单元，每个像素单元内形成有薄膜晶体管和像素电极，其特征在于，在所述像素单元中导电图案上或者与导电图案邻接的区域形成有至少两处穿刺结构，所述穿刺结构包括基底以及形成在该基底上的穿透绝缘层的尖刺。
【技术特征摘要】
1.一种TFT-IXD阵列基板，包括由栅线和数据线限定的数个像素单元，每个像素单元 内形成有薄膜晶体管和像素电极，其特征在于，在所述像素单元中导电图案上或者与导电 图案邻接的区域形成有至少两处穿刺结构，所述穿刺结构包括基底以及形成在该基底上的 穿透绝缘层的尖刺。2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述基底与所述像素单元中 的栅线或者数据线电性连接。3.根据权利要求2所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述基底与所述栅线同层设 置；或者，所述基底与所述数据线同层设置。4.根据权利要求2所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述至少两处穿刺结构形成 在所述栅线或者数据线的至少一侧，且所述栅线或者数据线直接与所述至少两处穿刺结构 的基底进行连接。5.根据权利要求2所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，在所述像素单元内还形成有 挡光条，所述栅线或者数据线通过所述挡光条与所述至少两处穿刺结构的基底进行电性连接。6.根据权利要求4或5所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，在所述绝缘层上与所述 尖刺对应的区域形成有过孔，所述尖刺位于所述过孔内。7.根据权利要求1至5中任一项所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，在绝缘层上方 对应所述穿刺结构的区域还形成有完全覆盖所述尖刺的导电膜。8.根据权利要求7所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述导电膜与所述像素电极 同层设置。9.一种TFT-IXD阵列基板的制造方法，其特征在于，包括步骤1、在基板上形成栅线层、有源层、数据线层、绝缘层及像素电极层，其中，在形成栅 线或者数据线的同时通过构图工艺形成与所述栅线或者数据线电性连接的穿刺结构的基 底；该穿刺结构的基底上方未覆盖金属阻挡层，且该穿刺结构形成在导电图案上或者与导...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭建，周伟峰，明星，陈永，肖光辉，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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