一种电流传感器的电子元件封装结构制造技术

技术编号:5174722 阅读:277 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术涉及一种电流传感器的零部件,尤其是涉及一种电流传感器的电子元件封装结构。其主要是解决现有技术所存在的霍尔元件的塑封体厚度较大,相匹配的磁芯环气隙因此也较大,磁泄漏较多,磁芯环内部的磁感应强度较小,从而使内置在磁芯环气隙中的霍尔元件的霍尔输出电压即灵敏度较小等的技术问题。包括连接在一起的塑封体上部(1)与塑封体下部(2),其特征在于所述的塑封体上部(1)与塑封体下部(2)内部封装有芯片,芯片连接有若干管脚(3),管脚另一端伸出封装的塑封体上部或塑封体下部之外;所述的塑封体上部(1)与塑封体下部(2)封装后的厚度为0.85~1.05mm。(*该技术在2019年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电流传感器的零部件,尤其是涉及一种电流传感器的电子元件封装 结构。
技术介绍
电流传感器的工作原理是当被检测导线上有电流通过时,在导线周围将产生磁场,通过 磁芯环聚集磁场,内置在磁芯环气隙中的霍尔元件可检测到磁场的大小,并输出相应的霍尔 电压,后续电路将该霍尔电压按比例计算出导线中的电流大小。磁芯环的气隙越小,磁场泄 漏越少,磁芯环内部的磁感应强度越大,磁力线分布越均匀,即磁力线分布均匀的区域越大。中国专利公开了一种霍尔电流传感器(授权公告号CN 201145706Y),其包括环状的绝 缘壳体,该绝缘壳体的环内空间供被测导线穿设;在环上带有径向空隙的环形铁心,被封装 在该绝缘壳体内部且该环形铁心的环内侧壁包围该绝缘壳体的环内侧壁;霍尔器件,其位于 该绝缘壳体内部且设置于该环形铁心的空隙处;以及载有检测电路的电路板,其与该霍尔器 件电连接;该霍尔电流传感器还包括封装在该绝缘壳体内的屏蔽环,该屏蔽环位于该环形铁 心的环内侧壁内侧且包围该绝缘壳体的环内侧壁;该屏蔽环是非磁性的导电材质,缠绕在该 绝缘壳体的环内侧壁或该环形铁心的环内侧壁上,或者镀在该绝缘壳体的环内侧壁或该环形 铁心的环内侧壁上;该绝缘壳体内还封装有补偿线圈,其套设于该铁心上并与该电路板电连 接;还包括伸出于该绝缘壳体的线缆,该线缆的一端与该电路板电连接,另一端用以连接外 部电路。但这种传感器和一般市售的传感器一样,采用的霍尔元件的塑封体如图l所示,厚 度为1.2mm,相匹配的磁芯环气隙较大,须大于1.3mm,因此磁泄漏较多,磁芯环内部的磁感 应强度较小,从而使内置在磁芯环气隙中的霍尔元件的霍尔输出电压即灵敏度也较小。
技术实现思路
本技术需要解决的技术问题是提供一种电流传感器的电子元件封装结构,其主要是 解决现有技术所存在的霍尔元件的塑封体厚度较大,相匹配的磁芯环气隙因此也较大,磁泄 漏较多,磁芯环内部的磁感应强度较小,从而使内置在磁芯环气隙中的霍尔元件的霍尔输出 电压即灵敏度较小等的技术问题。本技术的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的本技术的一种电流传感器的电子元件封装结构,包括连接在一起的塑封体上部与塑 封体下部,其特征在于所述的塑封体上部与塑封体下部内部封装有芯片,芯片连接有若干管 脚,管脚另一端伸出封装的塑封体上部或塑封体下部之外;所述的塑封体上部与塑封体下部封装后的厚度为0.85 1.05mm。塑封体内部封装的芯片可以是霍尔元件。将电子元件的塑封 体设计的更薄,比市售的型号为THS119的霍尔元件薄约0. 25mm。因此用本设计制作的电流传 感器的磁芯环气隙可更小,磁场泄漏更少,磁芯环聚集的磁力线更多,磁芯环内部的磁感应 强度更大,因而内置在磁芯环气隙中的霍尔元件的霍尔输出电压即灵敏度更大,即在标准磁 场下灵敏度相同的元件,在安装到电流传感器上后,采用本结构设计的电子元件比THS119的 霍尔输出电压即灵敏度更高。而且磁芯环内的磁场分布更均匀,即使元件安装时略有位置偏 差,元件检测到的磁感应强度也变化很小,即仍能获得基本相同的霍尔输出电压,使电流传 感器的检测精度一致性更好。作为优选,所述的塑封体上部的厚度为0.5 0.65mm。电子元件的管脚可以从塑封体下 部的下方伸出。作为优选,所述的管脚为平直形或者由弯折段和平直段组成。因此,本技术具有电流传感器的磁芯环气隙变小,磁泄漏减少,磁芯环内部的磁感 应强度更大,同时磁场分布更均匀,从而使内置在磁芯环气隙中的霍尔元件的霍尔输出电压 即灵敏度更大,结构简单、合理等特点。附图说明附图l是原霍尔元件的塑封体的一种结构示意附图2是本技术的一种结构示意附图3是图2的侧面结构示意附图4是安装本技术的电流传感器的一种结构示意图。图中零部件、部位及编号塑封体上部l、塑封体下部2、管脚3、磁芯环4、导线5。具体实施方式下面通过实施例,并结合附图,对本技术的技术方案作进一步具体的说明。 实施例本例的电流传感器的电子元件封装结构,如图2、图3,有连接在一起的塑封体 上部1与塑封体下部2,塑封体上部与塑封体下部的内部中空,其内装有芯片,芯片为霍尔元 件。塑封体上部的厚度为O. 5mm,塑封体上部l与塑封体下部的总厚度为0.85mm。芯片连接有 管脚3,管脚伸出封装的塑封体下部之外,管脚3由弯折段和平直段组成。使用时,如图4,将本技术电子元件放入磁芯环4的气隙中,磁芯环上缠绕导线5,当被检测导线上有电流通过时,在导线周围会产生磁场,然后通过磁芯环4聚集磁场,内置 在磁芯环气隙中的霍尔元件可检测到磁场的大小,并输出相应的霍尔电压,后续电路将该霍尔 电压按比例即可计算出导线中的电流大小。由于塑封体的厚度较小,因此磁芯环气隙也较小 ,仅为l.lmm。本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种电流传感器的电子元件封装结构,包括连接在一起的塑封体上部(1)与塑封体下部(2),其特征在于所述的塑封体上部(1)与塑封体下部(2)内部封装有芯片,芯片连接有若干管脚(3),管脚另一端伸出封装的塑封体上部或塑封体下部之外;所述的塑封体上部(1)与塑封体下部(2)封装后的厚度为0.85~1.05mm。

【技术特征摘要】
1.一种电流传感器的电子元件封装结构,包括连接在一起的塑封体上部(1)与塑封体下部(2),其特征在于所述的塑封体上部(1)与塑封体下部(2)内部封装有芯片,芯片连接有若干管脚(3),管脚另一端伸出封装的塑封体上部或塑封体下部之外;所述的塑封体上部(1)与塑封体下部(2)封装后的...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈占胜
申请(专利权)人:浙江博杰电子有限公司
类型:实用新型
国别省市:86[中国|杭州]

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