一种高灵敏度电子元件封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种电子元件，尤其是涉及一种高灵敏度电子元件封装结构。其主要是解决现有技术所存在的塑封体上部的厚度较厚，晶片的磁感应面距离塑封体上部表面的尺寸也较大，即使磁环表面紧贴塑封体上部表面，晶片的磁感应面距离磁环表面的尺寸也有０．９～１．０５毫米，霍尔元件的实际应用灵敏度较小等的技术问题。包括连接在一起的塑封体上部与塑封体下部，其特征在于所述的塑封体上部与塑封体下部的内部连接有霍尔元件晶片，霍尔元件晶片连接有管脚，管脚伸出塑封体上部与塑封体下部之外，霍尔元件晶片的厚度为０．２～０．３５ｍｍ，霍尔元件晶片的磁感应面与塑封体上部表面之间的距离ｄ↓［１］为０．２５～０．６ｍｍ。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电子元件，尤其是涉及一种高灵敏度电子元件封装结构。
技术介绍
内置在电子元件中的霍尔元件可感应到磁环磁场的大小，当电子元件采用嵌入式安装到 线路板上的孔中后，电子元件中霍尔元件芯片的磁感应面接近磁环表面，从而获得磁感应强 度。中国专利公开了一种带有霍尔元件的磁场传感器(授权公告号CN 100388523C)，其 霍尔元件具有沿着一条直线排列的两个内部触点和两个外部触点，其中两个内部触点具有相 同的宽度，两个外部触点具有相同的宽度，触点排列在一个具有第一种导电类型的阱的表面 上，阱嵌在一个具有第二种导电类型的基片中，而且两个外部触点通过电阻相连接，电阻由 具有第一种导电类型的阱构成，电阻在霍尔元件的阱中形成，并具有在对着阱的相邻边缘的 一侧设置在霍尔元件的两个外部触点之一的旁边的触点；或者电阻在霍尔元件的阱中形成， 并具有分别在对着阱的相邻边缘的一侧位于霍尔元件的两个外部触点之一的旁边的两个触点 ，电阻的这两个触点通过一个导线通路相连接。但这种霍尔元件和图l所示的的一样，封装 后，塑封体上部的厚度为l. 25 (+0.05,-0. 05)毫米，晶片的磁感应面距离塑封体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高灵敏度电子元件封装结构，包括连接在一起的塑封体上部（１）与塑封体下部（２），其特征在于所述的塑封体上部（１）与塑封体下部（２）的内部连接有霍尔元件晶片（３），霍尔元件晶片连接有管脚（４），管脚伸出塑封体上部与塑封体下部之外，霍尔元件晶片的厚度为０．２～０．３５ｍｍ，霍尔元件晶片的磁感应面与塑封体上部（１）表面之间的距离ｄ１为０．２５～０．６ｍｍ。

【技术特征摘要】
1.一种高灵敏度电子元件封装结构，包括连接在一起的塑封体上部(1)与塑封体下部(2)，其特征在于所述的塑封体上部(1)与塑封体下部(2)的内部连接有霍尔元件晶片(3)，霍尔元件晶片连接有管脚(4)，管脚伸出塑封体上部与塑封体下部之外，霍尔元件晶片的厚度为0.2～0.35mm，霍尔元件晶片的磁感应面与塑封体上部(...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈占胜，
申请(专利权)人：浙江博杰电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：86[中国|杭州]