平板倒装焊ＧａＮ基ＬＥＤ芯片结构制造技术

本发明专利技术提出了一种平板倒装焊ＧａＮ基ＬＥＤ芯片结构，包括衬底，在衬底的下方自上至下依次设有Ｎ型ＧａＮ层、量子阱ＱＷ有源区、Ｐ型ＧａＮ层、电流扩展层和光反射层；光反射层上刻蚀有至Ｎ型ＧａＮ层的台阶面，在该台阶面的Ｎ型ＧａＮ层上制作有Ｎ电极，在光反射层上制作有Ｐ电极，Ｎ电极与Ｐ电极的外端处于同一水平面；在Ｐ电极焊盘和Ｎ电极焊盘所在面的除Ｐ电极焊盘和Ｎ电极焊盘以外的其它区域上镀有一层透明绝缘介质膜，Ｐ电极焊点外端制作有Ｐ焊板，Ｎ电极焊点外端制作有Ｎ焊板，Ｐ焊板和Ｎ焊板共晶或合金焊接到导热Ｓｉ或者ＳｉＣ衬底的Ｐ电极区和Ｎ电极区上。本发明专利技术在ＰＮ焊盘外区域涂绝缘介质膜，防止了ＰＮ连通短路，将有限Ｎ区电极导热平板搭至Ｐ区台面上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种GaN基蓝光LED (发光二极管)的结构，属于发光二极管结构技术 领域。
技术介绍
传统的蓝宝石衬底GaN基LED (发光二极管)芯片的结构如图1所示，在衬底1上 由下至上依次设有N型GaN层2、量子阱QW有源区3、P型GaN层4和电流扩展层5，在N型 GaN层2上设有N电极7。电极刚好位于芯片的出光面。在这种结构中，小部分P型GaN层 4和“发光”层被刻蚀，以便与下面的N型GaN层2形成电接触。光从上面的P型GaN层4 取出。P型GaN层4有限的电导率要求在其表面再沉淀一层电流扩散层5。这个电流扩散层 5太厚会吸收部分光，从而降低出光效率，过薄会限制电流在P型GaN层4的表面均勻和扩 散大电流的能力。这种结构制约了 LED芯片的工作功率，这种结构pn结的热量通过蓝宝石 衬底导出去，导热路径长，且蓝宝石的热导系数较金属低(为35W/m K)，这种结构的LED 芯片热阻大。同时，这种结构的P电极和引线挡住部分光线。这种正装LED芯片的器件功 率、出光效率和热性能均不可能是最优的。为了克服上述传统芯片的这些不足，Lumileds Lighting公司专利技术了倒装芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种平板倒装焊ＧａＮ基ＬＥＤ芯片结构，包括衬底，在衬底的下方自上至下依次设有Ｎ型ＧａＮ层、量子阱ＱＷ有源区、Ｐ型ＧａＮ层、电流扩展层和光反射层；光反射层上刻蚀有至Ｎ型ＧａＮ层的台阶面，在该台阶面的Ｎ型ＧａＮ层上制作有Ｎ电极，在光反射层上制作有Ｐ电极，其特征在于：Ｎ电极与Ｐ电极的外端处于同一水平面；在Ｐ电极焊盘和Ｎ电极焊盘所在面的除Ｐ电极焊盘和Ｎ电极焊盘以外的其它区域上镀有一层透明绝缘介质膜，Ｐ电极焊点外端制作有Ｐ焊板，Ｎ电极焊点外端制作有Ｎ焊板，Ｐ焊板和Ｎ焊板共晶或合金焊接到导热Ｓｉ或者ＳｉＣ衬底的Ｐ电极区和Ｎ电极区上。

【技术特征摘要】
1. 一种平板倒装焊GaN基LED芯片结构，包括衬底，在衬底的下方自上至下依次设有 N型GaN层、量子阱QW有源区、P型GaN层、电流扩展层和光反射层；光反射层上刻蚀有至 N型GaN层的台阶面，在该台阶面的N型GaN层上制作有N电极，在光反射层上制作有P电 极，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈燕，徐现刚，徐化勇，郑鹏，
申请(专利权)人：山东华光光电子有限公司，
类型：发明
国别省市：88[中国|济南]