金球对金球连结（ＧＧＩ）焊接制程用的覆晶元件制造技术

一种金球对金球连结（ＧＧＩ）焊接制程用的覆晶元件，是包含有元件本体及多个多边形凸柱，该元件本体表面是形成有多边形凸柱，该多边形凸柱为金材料；所以，由于本实用新型专利技术凸柱是形成于元件本体表面，且呈多边形，故可以电镀等制程加以形成的，为元件本体提供较大散热面积，形成凸柱良率亦大幅提升，更有效提高整体导电性及导热性。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

金球对金球连结(GGI)焊接制程用的覆晶元件
本技术是关于一种覆晶元件，特别是关于一种金球对金球连结(GGI)焊接制 程用的覆晶元件。
技术介绍
由于电子元件尺寸进入微小化时代，构装制程亦随之演变，近期覆晶(Flip chip) 构装制程不仅能够达到晶片等及的构装尺寸，亦能与电路板表面粘着，提高焊接良率。然 而，近期部份电子元件(如高功率电子元件及高亮度的发光二极管元件)对于高导电率及 高导热率有更高规格的要求，以维持其运作顺利，因此使用锡球凸块的覆晶元件已难以满 足相关要求。 是以，目前业界针对此一构装需求，已推出一种金球对金球连结(GGI)的焊 接制程，诚如图5A、5B所示，为应用于GGI焊接制程的覆晶元件30结构，其是以一钢 嘴(c即illary)321配合金线，于一元件本体31表面311进行结合及拉断动作，以于 其表面形成多个金球32，而这些金球32即可直接作为连结用凸块，不必再上一层助焊 剂。所以，用于GGI焊接制程的覆晶元件30不必如锡球覆晶元件构装再执行一回焊步骤 (solder-bumpreflow)，因此用于GGI焊接制程的覆晶元件的构装制程相较锡球覆晶元的 构装制程更为干净。此外，由于回焊温度达之摄氏220-230度高温，因此用于GGI焊接制程 的覆晶元件可降低因高温而损坏的机率。 请进一步参阅图6所示，为上述覆晶元件30与一电路板40进行GGI焊接制程的 流程图，其中该电路板40上是形成有对应覆晶元件30的金球32的金块焊垫41 ;所以，GGI 焊接制程是首先准备覆晶元件30与一电路板40，再令覆晶元件的金球32对准电路板上的 金块焊垫41，而后施以超音波热熔金球32与金块焊垫41，使两者热熔后相互结合，由于均 为金(Au)材料，故导电性及导热性最佳。 然而，目前使用GGI焊接制程的覆晶元件金球因以钢嘴配合金线形成的，因此目 前金球覆盖覆晶元件表面最多仅达覆晶元件表面的30% 40% ，虽然采用导电性及导热 性最佳的金材料，对于降低覆晶元件散热效果成效仍有限。若欲试图增加元件表面上金球 密度，却又会使得钢嘴碰撞到金球而良率无法提高的问题。
技术实现思路
因此，对于上述应用于GGI焊接制程的覆晶元件的缺点，本技术提出一种改 良的覆晶元件结构，具更佳的导电性及导热性。 欲达上述目的所使用的主要技术手段是令该应用于GGI焊接制程的覆晶元件包 含有—元件本体；及 多个多边形凸柱，是形成于该元件本体的其中一表面上，各多边形凸柱是由金 (Au)材料形成的; 上述本技术是因凸柱是形成于元件本体表面，且呈多边形而非球状，故可以电镀等制程取代钢嘴以形成的，所以，该多边形凸柱不受限钢嘴尺寸，故可较金球具有更大 的散热面积，形成速度快，有效提高导电性及导热性，且多边形凸柱良率亦能大幅提升。附图说明图1 :是本技术第一较佳实施例的仰视图。 图2:是图1的纵剖图。 图3 :是本技术第二较佳实施例的仰视图。 图4:是图3的纵剖图。 图5A :是现有形成一种应用于GGI焊接制程的覆晶元件金球成形示意图。 图5B :是现有形成一种应用于GGI焊接制程的覆晶元件金球的底视图。 图6 :是现有GGI焊接制程流程图。(10)覆晶元件(11)元件本体(111)表面(12)凸柱(20)覆晶元件(21)元件本体(211)表面(22)凸柱(23)凸柱(30)覆晶元件(31)元件本体(311)表面(32)金球(321)钢嘴(322)金线(40)电路板(41)金块焊垫具体实施方式请参阅图1及图2所示，为本技术覆晶元件10第一较佳实施例，其包含有 —元件本体11，为一高功率晶片；及 多个多边形凸柱12，是以矩形排列方式形成于该元件本体11的其中一表面111 上，又，各多边形凸柱12是由金(Au)形成的，且其厚度均一；于本实施施例中，多个多边形 凸柱均呈一矩形凸柱，且尺寸相同。 承上所述，以5mmX 5mm高功率晶片来说，多边形凸柱12数最多可达1024个，又多 个多边形凸柱12之间的间隙最小达75微米。 请参阅图3及图4所示，为本技术第二较佳实施例，该覆晶元件20为一发光 二极管元件，其中该元件本体21表面211是形成有一大面积L形凸柱22及一小面积矩形 凸柱23，分别作为发光二极管的正负电极之用。 由上述说明可知，本技术是因凸柱是形成于元件本体表面，且呈多边形，故可 以电镀等制程加以形成的，并依据各覆晶元件特性，形成大小不同面积的多边形凸柱，不仅 能为元件本体提供较大散热面积，具有更佳的导电性及导热性外，形成多边形凸柱的良率 亦大幅提升。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金球对金球连结（ＧＧＩ）焊接制程用的覆晶元件，其特征在于：包含：　　一元件本体；及　　多个多边形金凸柱，是形成于该元件本体的其中一表面上。

【技术特征摘要】
一种金球对金球连结(GGI)焊接制程用的覆晶元件，其特征在于包含一元件本体；及多个多边形金凸柱，是形成于该元件本体的其中一表面上。2. 如权利要求1所述的金球对金球连结(GGI)焊接制程用的覆晶元件，其特征在于相邻多边形凸柱的间隙最小达75微米。3. 如权利要求1或2所述的金球对金球连结(GGI)焊接制程用的覆晶元件，其特征在于该多个多边形凸柱是排列成一矩阵。4. 如权利要求3所述的金球对金球连结(GGI)...

【专利技术属性】
技术研发人员：江大祥，廖彦博，
申请(专利权)人：同欣电子工业股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]