【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及光束加工装置、光束加工方法和经光束加工的基板,该基板具有已经 被上述光束加工装置加工过的待加工层(薄膜)。该光束加工装置、光束加工方法和经光束 加工的基板可适用于如下情形中在诸如玻璃基板等基板上形成用作利用例如光电效应的 发电系统的半导体器件时,通过光束(激光等)将用于形成半导体器件的薄膜图形化。
技术介绍
通常,在使用硅基非晶膜的上述发电系统的制造过程中,在大玻璃基板上首先图 形化地形成透明电极(例如氧化铟、氧化锡、氧化锌等)层,然后,在该玻璃基板上图形化地 形成非晶硅层(光电转换层),此后在该玻璃基板上图形化地形成金属电极。目前已制定了一种在此情形下利用由激光束进行的激光图形化来实施每一图形 化过程的方法,但其不是湿式方法。这里的激光图形化是通过在依次形成于玻璃基板上的各薄膜层中按顺序形成凹 槽(狭缝),使得这些薄膜层凭借着作为边界的凹槽而彼此电绝缘,从而将各薄膜层分别划 分成许多个电池单元,该激光图形化亦称为激光划刻。在这种激光划刻中,通过使用激光束从玻璃基板侧照射形成于玻璃基板上的透明 电极来形成凹槽(例如,参见专利文献1)。亦即,不是从玻 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:仲田悟基,山冈裕,木野本亮,
申请(专利权)人:丸文株式会社,
类型:发明
国别省市:JP
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