【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件制造
，特别是涉及一种。
技术介绍
在半导体晶圆的制造工艺中，采用湿法清洗的步骤后，常常会采用异丙醇(IPA) 来达到较好的干燥效果。通常而言，干燥步骤如下(1)开始时采用一段时间的去离子水清 洗，同时向去离子水的页面通入IPA ； (2)移除清洗晶圆的去离子水，然后进行一干燥步骤；最后使残留的IPA完全蒸发。这种方法能达到很好的干燥效果，但是在某些制程，如Al 刻蚀之后的EKC清洗工艺中，裸露在外的Al线如果与去离子水接触的时间过长，会有发生 Al线空洞缺陷的可能，这是因为Al在水中有可能发生原电池反应，造成Al离子化。具体而言，在Al制程中，由于Al会与Cu形成一种Al2Cu合金相，当浸入水中时， 就会产生如下原电池反应阴极=Al2Cuθ 相H2O +\ O2 +2e- — 20H"阳极Cu沉积，AlAl — Al3++3e"该原电池反应造成了 Al的离子化，也就是说，此时裸露在外的Al线发生了空洞缺陷。
技术实现思路
本专利技术的目的在于解决现有技术中存在的上述问题，提供一种半导体晶圆的干燥 方法，防止晶圆上裸露的金属线因发生原电...
【技术保护点】
一种晶圆的干燥方法，该方法至少包含如下步骤：提供一晶圆；以去离子水清洗所述晶圆，同时向该去离子水的液面通入异丙醇；移除所述去离子水；以及去除所述晶圆表面的残留液体，使晶圆干燥；其特征在于，所述以去离子水清洗所述晶圆的步骤在二氧化碳气氛中实施。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：汤舍予，周祖源，李健，杨兆宇，
申请(专利权)人：无锡华润上华半导体有限公司，无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]
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