晶圆研磨用清洗剂制造技术

本发明专利技术公开一种制备方法简单、成本低、对环境无污染且可满足直径为３００ｍｍ晶圆研磨清洗要求的晶圆研磨用清洗剂。所用原料及重量百分比是表面活性剂５％～２０％，含氟羧酸０．１％～１０％，氟化物盐０．０１～５％、ｐＨ调节剂５％～２０％，渗透剂２％～５％，螯合剂０．１％～２％，纯水余量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种晶圆研磨工艺用清洗剂，尤其是--种制备方法简单、成本低、对环境无污染且可满足直径为300mm晶圆研磨清洗要求的晶圆研磨用清洗 剂。
技术介绍
-晶圆是半导体和集成电路中使用最广泛的材料之一。随着超大规模集成电 路的不断发展，集成电路的线宽尺寸不断减小，而晶圆的直径不断增大，尤其 是直径为300mm晶圆将成为超大规模集成电路的主流，因此对晶圆的质量要 求也越来越高。由于晶圆表面状态及洁净度是影响器件质量与可靠性的最重要 的因素之一，在晶圆制造过程中，必须对晶圆基材进行研磨处理，以得到均匀 平整的表面。在研磨过程中，晶圆表面很容易吸附研磨下来的残留物以及研磨 液中的金属、颗粒、有机物以及金属离子等污染物，严重影响下道工序中的产 品质量和成品率。因此，晶圆研磨的清洗，是晶圆制造工艺中的重要步骤。目前采用的清洗方式基本上是采用Kem和Puotinen提出的RCA清洗法，该清 洗法所涉及的工艺复杂、操作步骤多，且需要在较高的温度条件下进行，导致 清洗成本过高；而且需要消耗大量的酸、碱、氧化剂等化学试剂，对环境污染 严重；另外，RCA清洗法已无法满是300mm晶圆研磨清洗要求本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆研磨用清洗剂，其特征在于原料及重量百分比如下：　　　　表面活性剂　　５％～２０％　　　　含氟羧酸　　０．１％～１０％　　　　氟化物盐　　０．０１％～５％　　　　ｐＨ调节剂　　５％～２０％　　　　渗透剂　　２％～５％　　　　螯合剂　　０．１％～２％　　　　纯水　　余量。

【技术特征摘要】
1. 一种晶圆研磨用清洗剂，其特征在于原料及重量百分比如下表面活性剂5％～20％含氟羧酸 0.1％～10％氟化物盐 0.01％～5％pH调节剂 5％～20％渗透剂2％～5％螯合剂0.1％～2％纯水 余量。2.根据权利要求1所述的晶圆研磨用清洗剂，其特征在于原料及重量百分比如下5% 20% 0.1% 10% 0.01% 5% 5%~20% 2% 5% 0.1%~2%表面活性剂氟化物盐 pH调节剂 渗透剂 螯合剂 纯水10% 3%0.05% 10% 3%0.5%3. 根据权利要求1或2所述的晶圆研磨用清洗剂，其特征在于所述表面活 性剂是脂肪醇聚氧乙烯醚，分子通式分别为R,0(C2H40)m，其中R,为C10 C18 的垸基，m:环氧乙烷基聚合数，聚合数为3 20。4. 根据权利要求1或2所述的晶圆研磨用清洗剂，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯军，吕冬，
申请(专利权)人：大连三达奥克化学股份有限公司，
类型：发明
国别省市：91[中国|大连]