【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种适于用于光刻设备的真空环境中的气体压力计的领域。
技术介绍
光刻技术是一种用于在衬底的表面上形成特征的工艺。这种衬底可以包括用在制 造平板显示器、电路板、各种集成电路以及类似装置中的那些衬底。经常用于这些应用的衬 底是半导体晶片。本领域技术人员将会认识到，此处的描述也可以应用到其他类型的衬底。在光刻过程中，被设置在晶片台(WS)上的晶片被曝光到由位于光刻系统内的曝 光系统投影到晶片表面的图像。曝光系统包括用于将图像投影到晶片上的掩模版(也称为 掩模)。掩模版通常安装在掩模版台(RS)上并且通常位于晶片和光源之间。在光刻技术 中，掩模版被用作光掩模例如用于在晶片上印刷电路。光刻光照射通过掩模，然后通过缩小 图像的一系列光学透镜。然后这种小的图像被投影到晶片上。这个过程类似于照相机如何 弯曲光以在胶片上形成图像。在光刻过程中光起着主要的作用。例如，在制造微处理器(也 称为计算机芯片)时，形成功能更强的微处理器的关键是光的波长的尺寸。波长越短，在晶 片上可以形成越多的晶体管。具有许多晶体管的晶片产生功能更强大、更快的微处理器。当芯片制造商已经能够使...
【技术保护点】
一种用于真空环境中的气体压力计，具有测量气流通道，所述气体压力计包括：在测量气流通道中的测量喷嘴，所述测量喷嘴配置成在来源于连接到所述测量气流通道的气体源的体积流动的音速阻扼流动条件下操作；和压力传感器，其可操作地连接到测量气流通道、在所述体积流动的音速阻扼流动条件的下游，以便测量所述体积流动的压差，用于提供对所述测量喷嘴的末端和与其邻近的目标表面之间的间隙的指示。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：GA斯库尔特兹，
申请(专利权)人：ASML控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]
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