一种ＥＳＤ保护装置制造方法及图纸

一种ＥＳＤ保护装置，所述装置为多指ＭＯＳ保护装置，包括：矩阵式排列的多个增强型ＭＯＳ管；ＭＯＳ管的源极和栅极接地；每个ＭＯＳ管的寄生三极管的基极通过基极电阻接地；多指形金属层，金属层覆盖每一列ＭＯＳ管的漏极并与漏极相邻的两列栅极交叠，金属层连接ＰＡＤ并与漏极连接；金属层与栅极交叠形成寄生电容。本发明专利技术的ＥＳＤ保护装置，在出现ＥＳＤ脉冲时，寄生电容将栅极电压耦合到一个非零电位，产生足够的漏电流，使ＥＳＤ保护装置的寄生三极管同时导通放电，降低了导通电压，导通均匀性好，ＥＳＤ保护能力得到提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路的保护电路设计领域，尤其是涉及一种ESD保护装置。
技术介绍
在集成电路芯片的制造、封装和使用过程中，都会出现ESD(Electro StaticDischarge,静电放电)现象。ESD表现为瞬间的高压脉冲，这种瞬间释放的大量电荷极 有可能破坏集成电路内部的功能器件。因此，通常在内部电路和外部信号源或电源之间 设置一个保护装置。现有的一种ESD保护装置采用多指NMOS设计。如图1所示，其中外围的矩 形框上布满了 Buck(简称B，即P阱接触，对于NMOS管一般接地)，每个黑色方块代 表B的一个通孔；矩形框内呈矩阵式排列的每一列都包括并联的多个增强型NMOS管 10’ (每个NMOS管的连接电路如图2所示)；一个多指形的金属层20’ (通常为铜或 铝材质)覆盖在图中NMOS管10，的漏极D上，所述金属层20，与NMOS管10，漏 极D通过填充漏极通孔的钨插塞进行连接，金属层20’连接PAD30’ (即电路引脚)。 图3所示为每行NMOS管10’的截面，相邻两个NMOS管10’共用一个漏极D或源极 S，其中源极S和栅极G接地，漏极D接PAD30’，左右两侧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＥＳＤ保护装置，其特征在于，所述装置为位于Ｐ阱中的多指ＮＭＯＳ保护装置，所述装置包括：矩阵式排列的多个增强型ＮＭＯＳ管；所述ＮＭＯＳ管的源极和栅极接地；每个所述ＮＭＯＳ管的寄生ＮＰＮ管的基极通过基极电阻接地；多指形金属层，所述金属层覆盖每一列所述ＮＭＯＳ管的漏极并与所述漏极相邻的两列栅极交叠，所述金属层连接ＰＡＤ并与所述漏极连接；所述金属层与所述栅极交叠形成寄生电容；当ＰＡＤ上出现正的ＥＳＤ脉冲时，所述寄生电容将栅极电压耦合到正电位，增大漏极到Ｐ阱的漏电流，提高寄生ＮＰＮ管基极和发射极的压降，促进寄生ＮＰＮ管的基极和发射极正偏，使所述寄生ＮＰＮ管同时导通放电。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：单毅，何军，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]