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一种ＥＳＤ保护装置，所述装置为多指ＭＯＳ保护装置，包括：矩阵式排列的多个增强型ＭＯＳ管；ＭＯＳ管的源极和栅极接地；每个ＭＯＳ管的寄生三极管的基极通过基极电阻接地；多指形金属层，金属层覆盖每一列ＭＯＳ管的漏极并与漏极相邻的两列栅极交叠，金属层...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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