沟槽型双扩散金属氧化物半导体晶体管的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种Ｔｒｅｎｃｈ　ＤＭＯＳ的制作方法，用以解决现有技术ＴｒｅｎｃｈＤＭＯＳ制作效率低、周期长的问题。该方法在栅氧化层处理后的Ｔｒｅｎｃｈ中沉积ＰＯＬＹ层，沉积的每个ＰＯＬＹ柱子的高度较Ｔｒｅｎｃｈ的水平面高；在ＢＯＤＹ层中注入第一类型的离子；根据每个ＰＯＬＹ柱子的高度，及相邻的两个ＰＯＬＹ柱子的间距，调整离子注入机的注入角度，使第二类型的离子以一定的角度注入ＳＲＣ层得到Ｔｒｅｎｃｈ　ＤＭＯＳ。如本发明专利技术提出的方案，使第二类型的离子以一定的角度注入ＳＲＣ层，由于具有一定的角度注入，因此实现了在ＢＯＤＹ层部分阻挡ＳＲＣ层离子注入的目的，从而省去了做ＳＲＣ层光刻的工序，从而缩短了Ｔｒｅｎｃｈ　ＤＭＯＳ的制造周期，并提高了生产效率，降低了制作成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体芯片制造工艺
，尤其涉及一种沟槽型双扩散金属氧 化物半导体晶体管(Trench Double Diffuse Metal Oxide SemiconductorTransistor, Trench DMOS)的制作方法。
技术介绍
目前在对Trench DMOS产品制作时，Trench DMOS的源极(Source，SRC)层需 要与Trench DMOS的体区(BODY)层短接，因此，为了实现SRC层与BODY层的短接，在现有技术中有两种方法可以实现第一种实现方法，如图1所示，需要在SRC层进行 光刻，在BO DY区域中做出阻挡SRC注入的胶块PR，然后再进行SRC注入，并在SRC 层中垂直角度的注入离子，如图1中箭头所示。被胶块阻挡住的区域，未形成SRC，这 样后续工序，可以用金属(Metal)将SRC与BODY区域连接起来，如图2所示。第二种实现方法，如图3所示，采取接触孔(CONT)层次Si衬底刻蚀的办法。 做SRC结构时，不需要进行光刻，直接注入，形成SRC在上，BODY在下的结构。后 续在SRC区域刻出一个槽，槽的深度要达到SRC区域下面的BODY区域，如图4所示。 然后，用Metal将SRC与BODY区域连接起来，如图5。现有技术中第一种实现方法，需要在SRC层进行一次光刻，从而实现在BODY 区域采用胶块PR进行阻挡，此种方法必须进行SRC层光刻，这就降低了 Trench DMOS 产品的制作效率，增加了制作成本和周期。第二种实现方法需要做硅(Silicon，Si)衬 底刻蚀处理，但是Si衬底刻蚀的过程存在一定难度，并且周期长，同时也会增加制造成 本。从而也影响了 Trench DMOS产品的制作效率。因此上述两种方法造成现有技术中 TrenchDMOS的制作效率低，周期长，成本高的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种Trench DMOS的制作方法，用以解决现有技 术在Trench DMOS产品制作过程中效率低、周期长的问题。本专利技术实施例提供的一种Trench DMOS的制作方法，该Trench DMOS包括多晶硅POLY层、体区BODY层和源极SRC层，沟槽Trench用于承载各层，该制作方法包 括在栅氧化层处理后的Trench中沉积POLY层，使沉积的每个POLY柱子的高度 较Trench的水平面高；在BODY层中注入第一类型的离子；根据每个POLY柱子的高度，以及相邻的两个POLY柱子的间距，调整离子注入 机的注入角度，使第二类型的离子以一定的角度注入SRC层得到TrenchDMOS。本专利技术实施例提供了一种Trench DMOS的制作方法，该方法包括在栅氧化层 处理后的Trench中沉积POLY层，使沉积的每个POLY柱子的高度较Trench的水平面高，根据每个POLY层的高度，以及相邻的两个POLY柱子的间距，调整离子注入机的注 入角度，使第二类型的离子以一定的角度注入SRC层得到Trench DMOS。本专利技术实施 例中在进行SRC层注入时调整离子注入机的角度，使第二类型的离子以一定的角度注入 SRC层，由于具有一定的角度注入，因此实现了在BODY层部分阻挡SRC层离子注入的 目的，省去了做SRC层光刻的工序，从而缩短了 TrenchDMOS的制造周期，提高了生产 效率，并且由于光刻工序的节省也达到了降低成本的目的。附图说明图1 为现有技术中利用SRC光刻进行SRC注入的结构示意图；图2为现有技术中用Metal将SRC与BODY区域短接的结构示意图；图3为现有技术中SRC覆盖在BODY区域上部的结构示意图；图4为现有技术中在SRC区域刻出槽的结构示意图；图5为现有技术中通过槽中的metal将SRC与BODY区域连接的结构示意图；图6A为本专利技术实施例提供的Trench DMOS的制作过程；图6B为本专利技术实施例提供的利用厚氧化层做屏蔽进行trench刻蚀；图7为本专利技术实施例提供的POLY淀积；图8为本专利技术实施例提供的POLY回刻；图9为本专利技术实施例提供的去除厚氧化层；图10为本专利技术实施例提供的BODY结构；图11为本专利技术实施例提供的用倾斜注入的方式形成SRC结构；图12为本专利技术实施例提供的POLY间距以及高度说明。具体实施例方式本专利技术实施例为了有效的缩短Trench DMOS的制造周期，提高其生产效率，提 供了一种Trench DMOS的制作方法，该方法包括在栅氧化层处理后的沟槽(Trench) 中沉积多晶硅(POLY)层，使沉积的每个POLY柱子的高度较Trench的水平面高，在 BODY层注入第一类型的离子，根据每个POLY柱子的高度，以及相邻的两个POLY柱 子的间距，调整离子注入机的注入角度，使第二类型的离子以一定的角度注入SRC层得 到Trench DMOS。本专利技术实施例中通过沉积较Trench的水平面高的POLY层，在进行 SRC层注入时调整离子注入机的角度，使第二类型的离子以一定的角度注入SRC层，由 于SRC层中注入的离子具有一定的角度，因此实现了在BODY层形成部分区域阻挡SRC 层离子注入的目的，从而省去了在SRC层上光刻的工序，进而缩短了 TrenchDMOS的制 造周期，并提高了生产效率，并且降低了 TrenchDMOS的制作成本。下面结合说明书附图，对本专利技术实施例进行详细描述。Trench DMOS 包括 Trench、POLY 层、BODY 层和 SRC 层，其中 Trench 为承载 POLY层、BODY层和SRC层的基底。图6A为本专利技术实施例提供的Trench DMOS的制作过程，该过程包括以下步骤S601 在栅氧化层处理后的Trench中沉积POLY层，使沉积的每个POLY柱子的高度较Trench的水平面高。在沉积每个POLY柱子之前还包括在硅片上生长厚氧化层，其中厚氧化层的厚度根据Trench的高度确定，在生长后的厚氧化层上进行Trench光刻、刻蚀，从而得到 Trench。S602 刻蚀POLY层及去除Trench层外的厚氧化层，在BODY层注入第一类型的离子。BODY层注入的第一类型的离子包括N型杂质离子或P型杂质离子。其中N 型杂质离子包括磷离子或砷离子等，P型杂质离子包括硼离子等。S603 根据每个POLY柱子的高度，以及相邻的两个POLY柱子的间距，调整离 子注入机的注入角度，在SRC层中注入第二类型的离子。SRC层注入的第二类型的离子与BODY层注入的第一类型的离子正好相反，当 BODY层注入N型杂质离子时，SRC层注入的第二类型的离子为P型杂质离子，当BODY 层注入P型杂质离子时，SRC层注入的第二类型的离子为N型杂质离子。在本专利技术实施例中由于沉积的每个POLY柱子较Trench的水平面高，因此在 SRC层注入第二类型的离子时，可以调整离子注入机的注入角度，使离子注入机以倾斜 角度在SRC层中注入第二类型的离子。由于离子注入机的角度倾斜，因此注入的第二类 型的离子的方向也是倾斜的，由于每个POLY柱子的高度较高，因此当采用该角度进行 SRC层注入时，其第二类型的离子注入的位置在BODY层上存在盲区，即存在BODY层 上不能注入进第二类型的离子的位置，因此无需为形成胶块阻挡结构，而本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种沟槽型双扩散氧化物半导体场效应管的制作方法，所述沟槽型双扩散氧化物半导体场效应管包括多晶硅ＰＯＬＹ层、体区ＢＯＤＹ层和源极ＳＲＣ层，沟槽Ｔｒｅｎｃｈ用于承载各层，其特征在于，所述方法包括：在栅氧化层处理后的沟槽Ｔｒｅｎｃｈ中沉积多晶硅ＰＯＬＹ层，使沉积的每个ＰＯＬＹ柱子的高度较Ｔｒｅｎｃｈ的水平面高；在体区ＢＯＤＹ层中注入第一类型的离子；根据每个ＰＯＬＹ柱子的高度，以及相邻的两个ＰＯＬＹ柱子的间距，调整离子注入机的注入角度，使第二类型的离子以一定的角度注入源极ＳＲＣ层得到沟槽型双扩散氧化物半导体场效应管Ｔｒｅｎｃｈ　ＤＭＯＳ。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马万里，赵文魁，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]