集成有原子层沉积工艺的化学气相沉积设备制造技术

一种集成有原子层沉积工艺的化学气相沉积设备，包括：化学气相沉积设备的气体输送系统、反应腔、尾气处理系统、加热系统、控制系统，其特征在于所述载气入口分别与原子层沉积工艺的载气阀（１１）、（１４）连接，载气阀（１１）、（１４）的另一端分别与尾气管路、反应腔入口连接，源气体入口分别与载气阀（１３）、（１２）连接，载气阀（１３）、（１２）的另一端分别与尾气管路、反应腔入口连接。本实用新型专利技术的优点是充分利用了原子层沉积工艺的优点，克服了金属有机物化学气相沉积技术无法精确控制纳米级膜厚及组分等缺点，同时也摆脱原子层沉积工艺中的生长速度低的限制。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体制造设备，特别涉及一种集成有原子层沉积工艺的化 学气相沉积设备。
技术介绍
纳米薄膜材料被誉为“21世纪最具有前途的材料”，是近年来发展最迅速的纳米技 术之一。人们对纳米薄膜材料的制备、结构、性能及其应用，进行了广泛而深入的研究。纳米 薄膜材料在微电子技术、光电通讯开关、微机电系统、传感器等领域发挥着重要的作用。此 夕卜，在生物医学、航空航天、国防装备、节能环保、故障诊断等许多重要领域都有非常广阔的 应用前景。薄膜材料的研究严重依赖于薄膜的制备手段。高质量的薄膜材料有利于薄膜器件 物理的研究和薄膜器件应用的发展。长期以来，人们发展了多种薄膜制备技术和方法，如真 空蒸发沉积、磁控溅射沉积、离子束溅射沉积、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)和分子束 外延(MBE)等。上述方法各具特色，在一定的范围内得到大量的应用。尽管如此，随着人们 对材料尺度进一步减小的需求，传统的薄膜材料制作方法由于其各自的局限性，已经越来 越不能满足未来高质量纳米级薄膜材料及器件的制造需要。MOCVD工艺是将反应物在载气的携带下送入反应腔，控制反应腔内反应物的浓度 和温度，从而控制在衬底上生本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成有原子层沉积工艺的化学气相沉积设备，包括：化学气相沉积设备的气体输送系统、反应腔、尾气处理系统、加热系统、控制系统。其特征在于：载气入口分别与原子层沉积工艺的常开载气阀（１１）及常闭载气阀（１４）连接，常开载气阀（１１）的另一端与尾气管路连接，常闭载气阀（１４）的另一端与反应腔入口连接，源气体入口分别与原子层沉积工艺的常开载气阀（１３）及常闭载气阀（１２）连接，常开载气阀（１３）的另一端与反应腔入口连接，常闭载气阀（１２）的另一端与尾气管路连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：甘志银，王亮，胡少林，陈倩翌，朱海科，
申请(专利权)人：广东昭信半导体装备制造有限公司，
类型：实用新型
国别省市：44[中国|广东]