双极ＮＰＮ型带隙基准电压电路制造技术

本发明专利技术公开了一种双极ＮＰＮ型带隙基准电压电路，在传统双极ＮＰＮ型带隙基准电压源电路结构基础上，增加固定偏置电路和保护控制电路，利用标准双极ＮＰＮ型带隙基准源电压源输出基准电压约为１．２伏总是小于二倍ＢＪＴ管基极发射极电压约１．４伏的特性，在固定偏置电路中实现二倍ＢＪＴ管基极发射极电压约为１．４伏，再通过比较器实现二倍ＢＪＴ管基极发射极电压与带隙基准源输出基准电压的比较控制，既能兼顾带隙基准电压源启动又能起过压保护作用。本发明专利技术的双极ＮＰＮ型带隙基准电压电路，当输出的基准电压过高时，能实现电路的自动保护，并且适合在各种双极型晶体管和金属氧化物场效应管兼容的工艺下制造。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电源电路，特别涉及一种双极NPN型带隙基准电压电路。技术背景电源管理集成电路中最经典的电压基准电路就是双极NPN型带隙基准电压源。双 极NPN型带隙基准电压源的原理是利用双极型晶体管(BJT)的基极发射极电压Vbe负温度 系数和等效热电压Vt正温度系数的相互抵消实现零温漂电压基准。传统的双极NPN型带 隙基准电压源一般由VBE+kVT 二部分组成，Vbe是负温度系数约为-2!1^/1，而Vt是正温度系 数约0. 086mV/°C, Vbe约0. 7V，加上k倍(k > 1)的等效热电压VT, Vt又与同类型比例BJT 管的基极发射极电压的差八\^相关，故输出电压基准也可表达为￥皿+1^1八\^，1^1为比例常 数，输出电压基准的值约1.2V，它是一种稳定可靠的不随温度变化的基准电压。在实际电路 设计中常把带隙基准电压再通过电阻网络分压或倍压得到各种不同的基准电压。附图说明图1所示是双极NPN型晶体管工艺下通常的双极NPN型三管带隙基准电压源，由 一偏置电流源部分5、三个NPN型比例双极型晶体管(BJT)和三个电阻等组成，图中三个 NPN型比例双极型晶体管分别本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双极ＮＰＮ型带隙基准电压电路，其特征在于，包括一双极ＮＰＮ型带隙基准电压源，一保护控制电路，一两倍ＢＪＴ基极发射极电压固定偏置电路；所述双极ＮＰＮ型带隙基准电压源，包括ＮＰＮ型比例双极型晶体管第一ＢＪＴ管、第二ＢＪＴ管、第三ＢＪＴ管，以及ＮＰＮ型第四ＢＪＴ管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻，第四ＢＪＴ管的集电极连接电源，第四ＢＪＴ管的发射极连接基准电压输出端，即第一电阻、第二电阻的一端，第一电阻的另一端连接第一ＢＪＴ管的集电极与基极同时连接第二ＢＪＴ管的基极，第二电阻的另一端接第二ＢＪＴ管的集电极和第三ＢＪＴ管的基极，第一ＢＪＴ管的发射极接地，第二ＢＪＴ管的发射极通过第三电阻后接地...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：崔文兵，李兆桂，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]