多晶硅的修复刻蚀方法技术

一种多晶硅的修复刻蚀方法，属于微电子制造技术领域。本发明专利技术提供的方法用于ＥＥＰＲＯＭ中形成控制栅的多晶硅的修复刻蚀，其特征在于只采用Ｏ２和ＣＦ４的混合化学气体进行等离子刻蚀。这种刻蚀方法是一种化学作用刻蚀，对衬底硅的刻蚀非常慢，因此，不会损伤源极和衬底之间的ｐｎ结以及漏极和衬底之间的ｐｎ结，从而能保证ＥＥＰＥＯＭ器件的可靠性，提高产品的良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微电子制造
，具体涉及一种。
技术介绍
电可擦写可编程只读存储器(EEPR0M)是一种不挥发存储器，其栅的结 构中具有多晶硅(Polysilicon)材料的浮栅(Floating Gate)和控制棚-(Control Gate),浮4册和控制4册之间有氧化石圭-氮化硅-氧化珪(Oxide-Nitride-Oxide)的介质层结构，用来捕获电荷。当前晶圆厂中，EEPROM的栅极的主要制造过程如图1所示，EEPR0M的沟 道掺杂初步完成以后，构图形成第一层栅介质层，进一步，步骤Sll在第一 层栅介质上先淀积第一层多晶硅，对第一层多晶硅进行构图刻蚀，用以形成 浮栅，刻蚀时以第一层栅介质层作为刻蚀终止层；进一步，步骤S12，依次淀 积Oxide-Nitride-Oxide介质层，覆盖在浮栅之上；进一步，步骤S13,淀积 第二层多晶硅，用以形成控制栅；；进一步，步骤S14,光刻定义第二层多晶 硅图形，为刻蚀做准备；进一步，步骤S15,构图对第二层多晶硅进行主要刻 蚀，主要刻蚀分为两步，首先构图刻蚀第二层多晶硅层，然后再继续刻蚀第 二层多晶硅之下的Oxide-Nitrid本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅的修复刻蚀方法，用于ＥＥＰＲＯＭ中形成控制栅的多晶硅的修复刻蚀，其特征在于采用Ｏ↓［２］和ＣＦ↓［４］的混合化学气体进行等离子刻蚀。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅的修复刻蚀方法，用于EEPROM中形成控制栅的多晶硅的修复刻蚀，其特征在于采用O2和CF4的混合化学气体进行等离子刻蚀。2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述02与CF4气体的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王芳，周朝锋，张凯元，田三河，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]