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一种多晶硅的修复刻蚀方法，属于微电子制造技术领域。本发明提供的方法用于ＥＥＰＲＯＭ中形成控制栅的多晶硅的修复刻蚀，其特征在于只采用Ｏ２和ＣＦ４的混合化学气体进行等离子刻蚀。这种刻蚀方法是一种化学作用刻蚀，对衬底硅的刻蚀非常慢，因此，不会损伤...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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