【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及作为用于制造光产酸剂的中间体有用的含氟磺酸盐类及其制造方法,其中,光产酸剂作为适于半导体元件等的制造工序中的微细加工技术、特别是光刻法的化学增幅抗蚀材料而有用。进一步,本专利技术涉及作为光产酸剂发挥作用的含氟磺酸鎓盐类的制造方法。
技术介绍
近年来伴随着LSI的高集成化和高速度化,图案规则(pattern rule)的微细化正在急速发展。该背景下有曝光光源的短波长化,例如利用从汞灯的i射线(365nm)向KrF准分子激光(248nm)的短波长化,可以实现64M比特(加工尺寸为0.25μm以下)的DRAM(动态随机存取存储器,Dynamic RandomAccess Memory)的批量生产。进而为了实施集成度256M和1G以上的DRAM制造,而使用利用了ArF准分子激光(193nm)的平版印刷术。 作为适用于这种曝光波长的抗蚀剂,“化学增幅型抗蚀材料”正备受瞩目。该抗蚀材料是,含有利用放射线的照射(以下称为“曝光”。)而形成酸的感放射线性酸产生剂(以下称为“光产酸剂”),通过以利用曝光产生的酸作为催化剂的反应,来改变曝光部和非曝光部对显影液的溶解度,从而形成图案的图案形成材料。 对于这样的化学增幅型抗蚀材料中使用的光产酸剂也进行了各种研究。作为上述的ArF化学增幅型抗蚀材料的成分,使用以现有的KrF准分子激光作为光源的化学增幅型抗蚀材料中一直使用的产生烷烃或者芳烃磺酸的光产酸剂时,可知用于切断树脂的酸不稳定基团的酸强度不够,完全无法分辨,或者由于低感光度而无法适用于设备制造。 因此,作为ArF化学增幅型抗蚀材料的光产酸剂,产生酸强 ...
【技术保护点】
一种下述式[2]所示的亚磺酸铵盐, *** [2] 所述式[2]中,A↑[+]表示铵离子,R表示碳原子数1~10的直链状或者支链状的烷基、碳原子数3~20的脂环式有机基团、由碳原子数3~20的脂环式有机基团和直链状的亚烷基构成的有机基团 、碳原子数3~30的单环式或者多环式内酯、或者碳原子数6~20的芳基,这里,该烷基、脂环式有机基团、由脂环式有机基团和直链状的亚烷基构成的有机基团、单环式或者多环式内酯和芳基上的一部分或者全部的氢原子任选被氟、羟基、羟基羰基、碳原子数1~6的直链状、支链状或者环状的烷氧基取代,此外,构成该烷基、脂环式有机基团或者由脂环式有机基团和直链状的亚烷基构成的有机基团的同一碳上的2个氢原子任选被1个氧原子取代而成为酮羰基,其中,作为R,除去其结构内具有非共轭不饱和部位(双键或三键)的基团。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2007-9-18 241606/2007;JP 2008-8-19 210510/20081.一种下述式[2]所示的亚磺酸铵盐,所述式[2]中,A+表示铵离子,R表示碳原子数1~10的直链状或者支链状的烷基、碳原子数3~20的脂环式有机基团、由碳原子数3~20的脂环式有机基团和直链状的亚烷基构成的有机基团、碳原子数3~30的单环式或者多环式内酯、或者碳原子数6~20的芳基,这里,该烷基、脂环式有机基团、由脂环式有机基团和直链状的亚烷基构成的有机基团、单环式或者多环式内酯和芳基上的一部分或者全部的氢原子任选被氟、羟基、羟基羰基、碳原子数1~6的直链状、支链状或者环状的烷氧基取代,此外,构成该烷基、脂环式有机基团或者由脂环式有机基团和直链状的亚烷基构成的有机基团的同一碳上的2个氢原子任选被1个氧原子取代而成为酮羰基,其中,作为R,除去其结构内具有非共轭不饱和部位(双键或三键)的基团。2.一种下述式[3]所示的磺酸铵盐,所述式[3]中,A+表示铵离子,R表示碳原子数1~10的直链状或者支链状的烷基、碳原子数3~20的脂环式有机基团、由碳原子数3~20的脂环式有机基团和直链状的亚烷基构成的有机基团、碳原子数3~30的单环式或者多环式内酯、或者碳原子数6~20的芳基,这里,该烷基、脂环式有机基团、由脂环式有机基团和直链状的亚烷基构成的有机基团、单环式或者多环式内酯和芳基上的一部分或者全部的氢原子任选被氟、羟基、羟基羰基、碳原子数1~6的直链状、支链状或者环状的烷氧基取代,此外,构成该烷基、脂环式有机基团或者由脂环式有机基团和直链状的亚烷基构成的有机基团的同一碳上的2个氢原子任选被1个氧原子取代而成为酮羰基,其中,作为R,除去其结构内具有非共轭不饱和部位(双键或三键)的基团。3.根据权利要求1或2所述的盐,其中,A+为式[I]所示的铵离子,所述式[I]中,G1、G2和G3相互独立地表示氢原子、碳原子数1~6的烷基、碳原子数1~6的烷氧基烷基、碳原子数3~12的环烷基、任选被取代的苯基、任选被取代的碳原子数7~12的芳烷基、任选被取代的萘基、任选被取代的碳原子数5~10的杂芳香族基、或者G1、G2和G3的至少2个以上构成可以包含杂原子的环。4.一种2-(1-金刚烷)羰氧基-1,1-二氟乙烷磺酸三乙铵。5.一种1,1-二氟-2-(新戊酰氧基)乙烷磺酸三乙铵。6.一种式[2]所示的2-(烷基羰氧基)-1,1-二氟乙烷亚磺酸铵盐的制造方法,其包括使下述式[1]所示的羧酸溴二氟乙基酯在胺的存在下与亚磺化剂反应的工序,所述式[1]和式[2]中,R表示碳原子数1~10的直链状或者支链状的烷基、碳原子数3~20的脂环式有机基团、由碳原子数3~20的脂环式有机基团和直链状的亚烷基构成的有机基团、碳原子数3~30的单环式或者多环式内酯、或者碳原子数6~20的芳基,这里,该烷基、脂环式有机基团、由脂环式有机基团和直链状的亚烷基构成的有机基团、单环式或者多环式内酯和芳基上的一部分或者全部的氢原子任选被氟、羟基、羟基羰基、碳原子数1~6的直链状、支链状或者环状的烷氧基取代,此外,构成该烷基、脂环式有机基团或者由脂环式有机基团和直链状的亚烷基构成的有机基团的同一碳上的2个氢原子任选被1个氧原子取代而成为酮羰基,其中,作为R,除去其结构内具有非共轭不饱和部位(双键或三键)的基团,A+表示铵离子。7.一种式[3]所示的2-(烷基羰氧基)-1,1-二氟乙烷磺酸铵盐的制造方法,其包括下述2个工序第1工序(亚磺化工序),使下述式[1]所示的羧酸溴二氟乙基酯在胺的存在下与亚磺化剂反应,得到式[2]所示的2-(烷基羰氧基)-1,1-二氟乙烷亚磺酸铵盐的工序;第2工序(氧化工序),使由第1工序(亚磺化工序)得到的式[2]所示的2-(烷基羰氧基)-1,1-二氟乙烷亚磺酸铵盐与氧化剂反应,得到式[3]所示的2-(烷基羰氧基)-1,1-二氟乙烷磺酸铵盐的工序;所述式[1]~式[3]中,R表示碳原子数1~10的直链状或者支链状的烷基、碳原子数3~20的脂环式有机基团、由碳原子数3~20的脂环式有机基团和直链状的亚烷基构成的有机基团、碳原子数3~30的单环式或者多环式内酯、或者碳原子数6~20的芳基,这里,该烷基、脂环式有机基团、由脂环式有机基团和直链状的亚烷基构成的有机基团、单环式或者多环式内酯和芳基上的一部分或者全部的氢原子任选被氟、羟基、羟基羰基、碳原子数1~6的直链状、支链状或者环状的烷氧基取代,此外,构成该烷基、脂环式有机基团或者由脂环式有机基团和直链状的亚烷基...
【专利技术属性】
技术研发人员:萩原勇士,永盛将士,藤原昌生,JJ约德里,成塚智,
申请(专利权)人:中央硝子株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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