碳化硅单晶晶圆、碳化硅单晶锭和碳化硅单晶的制造方法技术

技术编号：41365205 阅读：4 留言：0更新日期：2024-05-20 10:13

本发明专利技术的碳化硅单晶晶圆(31)以1.0×10<supgt;16</supgt;atoms/cm<supgt;3</supgt;以下的浓度包含硼，在表面存在有基底面位错密度为100个/cm<supgt;2</supgt;以下的中央区域(33)。中央区域(33)包含碳化硅单晶晶圆(31)的表面的中心。中央区域(33)面积为碳化硅单晶晶圆(31)的表面的面积的四分之一以上。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及碳化硅单晶晶圆、碳化硅单晶锭和碳化硅单晶的制造方法。

技术介绍

1、专利文献1至7中公开了相关的技术。

2、专利文献1公开了以溶液生长法得到的碳化硅单晶。而且，专利文献1公开了碳化硅单晶的基底面位错密度等。

3、专利文献2公开了以升华重结晶法得到的碳化硅单晶。而且，专利文献2公开了碳化硅单晶的基底面位错密度、载体浓度等。

4、专利文献3公开了以溶液生长法得到的碳化硅单晶。而且，专利文献3公开了碳化硅单晶的硼浓度、氮浓度等。

5、专利文献4公开了以升华重结晶法得到的碳化硅单晶。而且，专利文献4公开了碳化硅单晶的硼浓度、氮浓度、铝浓度、电阻率等。

6、专利文献5公开了以升华重结晶法得到的碳化硅单晶。而且，专利文献5公开了碳化硅单晶的硼浓度、氮浓度、铝浓度、电阻率等。

7、专利文献6公开了以升华重结晶法得到的碳化硅单晶。而且，专利文献6公开了碳化硅单晶的氮浓度、铝浓度、电阻率、层叠缺陷密度等。

8、专利文献7公开了以溶液生长法得到的碳化硅单晶。

9、现有技术文献

10、专利文献

11、专利文献1：国际公开第2017/047536

12、专利文献2：日本特开2016-164120号公报

13、专利文献3：日本特开2016-88794号公报

14、专利文献4：日本特表2011-506253号公报

15、专利文献5：日本特开2009-167047号公报

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【技术保护点】

1.一种碳化硅单晶晶圆，其中，

2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶晶圆，其中，所述碳化硅单晶晶圆的电阻率为60mΩcm以下。

3.根据权利要求1或2所述的碳化硅单晶晶圆，其中，所述碳化硅单晶晶圆的直径为100mm以上。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的碳化硅单晶晶圆，其中，所述碳化硅单晶晶圆的晶面内的取向差为50arcsec以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的碳化硅单晶晶圆，其中，所述区域为圆形，所述区域的中心与所述表面的中心重叠。

6.一种碳化硅单晶锭，其为大致圆柱状或大致多棱柱状的碳化硅单晶锭，

7.根据权利要求6所述的碳化硅单晶锭，其中，所述碳化硅单晶锭的晶体生长方向的长度为10mm以上。

8.一种碳化硅单晶的制造方法，所述制造方法边使碳化硅的晶种自上方与包含硅和碳的原料溶液接触边使晶体生长，其中，

9.根据权利要求8所述的碳化硅单晶的制造方法，其中，在所述加热工序中，在卤素气体气氛中将所述构件进行加热。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种碳化硅单晶晶圆，其中，

2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶晶圆，其中，所述碳化硅单晶晶圆的电阻率为60mωcm以下。

3.根据权利要求1或2所述的碳化硅单晶晶圆，其中，所述碳化硅单晶晶圆的直径为100mm以上。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的碳化硅单晶晶圆，其中，所述碳化硅单晶晶圆的晶面内的取向差为50arcsec以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的碳化硅单晶晶圆，其中，所述区域为圆形，所述区...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅崎智典，熊谷和人，高野学，
申请(专利权)人：中央硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：

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