碳化硅单晶晶圆、碳化硅单晶锭和碳化硅单晶的制造方法技术

本发明专利技术的碳化硅单晶晶圆(31)以1.0×10<supgt;16</supgt;atoms/cm<supgt;3</supgt;以下的浓度包含硼，在表面存在有基底面位错密度为100个/cm<supgt;2</supgt;以下的中央区域(33)。中央区域(33)包含碳化硅单晶晶圆(31)的表面的中心。中央区域(33)面积为碳化硅单晶晶圆(31)的表面的面积的四分之一以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及碳化硅单晶晶圆、碳化硅单晶锭和碳化硅单晶的制造方法。

技术介绍

1、专利文献1至7中公开了相关的技术。

2、专利文献1公开了以溶液生长法得到的碳化硅单晶。而且，专利文献1公开了碳化硅单晶的基底面位错密度等。

3、专利文献2公开了以升华重结晶法得到的碳化硅单晶。而且，专利文献2公开了碳化硅单晶的基底面位错密度、载体浓度等。

4、专利文献3公开了以溶液生长法得到的碳化硅单晶。而且，专利文献3公开了碳化硅单晶的硼浓度、氮浓度等。

5、专利文献4公开了以升华重结晶法得到的碳化硅单晶。而且，专利文献4公开了碳化硅单晶的硼浓度、氮浓度、铝浓度、电阻率等。

6、专利文献5公开了以升华重结晶法得到的碳化硅单晶。而且，专利文献5公开了碳化硅单晶的硼浓度、氮浓度、铝浓度、电阻率等。

7、专利文献6公开了以升华重结晶法得到的碳化硅单晶。而且，专利文献6公开了碳化硅单晶的氮浓度、铝浓度、电阻率、层叠缺陷密度等。

8、专利文献7公开了以溶液生长法得到的碳化硅单晶。</p>

9、现有本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅单晶晶圆，其中，

2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶晶圆，其中，所述碳化硅单晶晶圆的电阻率为60mΩcm以下。

3.根据权利要求1或2所述的碳化硅单晶晶圆，其中，所述碳化硅单晶晶圆的直径为100mm以上。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的碳化硅单晶晶圆，其中，所述碳化硅单晶晶圆的晶面内的取向差为50arcsec以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的碳化硅单晶晶圆，其中，所述区域为圆形，所述区域的中心与所述表面的中心重叠。

6.一种碳化硅单晶锭，其为大致圆柱状或大致多棱柱状的碳化硅单晶锭，

7....

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种碳化硅单晶晶圆，其中，

2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶晶圆，其中，所述碳化硅单晶晶圆的电阻率为60mωcm以下。

3.根据权利要求1或2所述的碳化硅单晶晶圆，其中，所述碳化硅单晶晶圆的直径为100mm以上。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的碳化硅单晶晶圆，其中，所述碳化硅单晶晶圆的晶面内的取向差为50arcsec以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的碳化硅单晶晶圆，其中，所述区域为圆形，所述区...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅崎智典，熊谷和人，高野学，
申请(专利权)人：中央硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：