一种二维Cs2SnI6晶体的化学气相沉积制备方法及其应用技术

本发明专利技术属于纳米半导体材料领域，并具体公开了一种二维Cs<subgt;2</subgt;SnI<subgt;6</subgt;晶体材料的化学气相沉积制备方法及其应用。该制备方法具体为：将碘化铯和二碘化锡混合获得前驱体，将云母衬底倒扣在前驱体粉末之上，但不接触粉末。然后在惰性气体中将前驱体置于中心温区前端15厘米处对其加热生成Cs<subgt;2</subgt;SnI<subgt;6</subgt;晶体材料，从而在位于前驱体上方的云母衬底上进行沉积，形成二维Cs<subgt;2</subgt;SnI<subgt;6</subgt;晶体材料。利用本发明专利技术方法，制备了高质量的二维Cs<subgt;2</subgt;SnI<subgt;6</subgt;单晶，拓展了新的二维Cs<subgt;2</subgt;SnI<subgt;6</subgt;晶体的合成方法，所得产物晶面平整、形貌均一、元素分布均匀，解决了传统铅基钙钛矿有毒及不稳定的缺点，便于钙钛矿的实际应用及大规模生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于二维纳米材料制备领域，更具体地，涉及一种二维钙钛矿cs2sni6纳米片的制备方法及其应用。

技术介绍

1、金属卤化物钙钛矿具有吸收系数高、载流子寿命长、光电性能可调、加工成本低等优点，是高性能光电器件的理想选择。然而，目前还缺乏既稳定又具有优异光电性能和无毒性的低维钙钛矿。近年来，无铅金属卤化物双钙钛矿因其环境友好、载流子扩散长度长和检测灵敏度高而引起了广泛的研究兴趣。在这些钙钛矿中，abx3钙钛矿中的两个b2+阳离子以b+和b3+的组合或b4+和空位的组合形成化学式为a2b+b3+x6或a2b4+x6的卤化物双钙钛矿(空位有序双钙钛矿)。

2、无铅空位有序卤化物双钙钛矿cs2sni6可以被认为是cssni3钙钛矿的缺陷变体。它缺少卤化锡八面体中一半的锡原子，形成了独特的结构这种缺陷可能是由于锡稳定的四价态和强的sn-i共价键。cs2sni6钙钛矿对空气和水的降解具有很高的稳定性。此外，它们还表现出高空穴迁移率和显著的吸收系数等理想特性。cs2sni6的直接带隙在1.26～1.62ev范围内，使其成为传统铅基钙钛矿在光电器件应用中本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种二维Cs2SnI6晶体的化学气相沉积制备方法，其特征在于，该制备方法具体步骤为：

2.如权利要求1所述的超薄二维Cs2SnI6晶体材料的制备方法，其特征在于，在S1中，所述上游沉积区的温度为350℃～400℃。

3.如权利要求1所述的二维Cs2SnI6晶体材料的制备方法，其特征在于，在S1中，所述衬云母底为为氟金云母。

4.如权利要求1所述的二维Cs2SnI6晶体材料的制备方法，其特征在于，在S1中，所述云母衬底和前驱体粉末间的垂直距离小于等于1mm。

5.如权利要求1所述的二维Cs2SnI6晶体材料的制备方法，其特征在于，在S2中...

【技术特征摘要】

1.一种二维cs2sni6晶体的化学气相沉积制备方法，其特征在于，该制备方法具体步骤为：

2.如权利要求1所述的超薄二维cs2sni6晶体材料的制备方法，其特征在于，在s1中，所述上游沉积区的温度为350℃～400℃。

3.如权利要求1所述的二维cs2sni6晶体材料的制备方法，其特征在于，在s1中，所述衬云母底为为氟金云母。

4.如权利要求1所述的二维cs2sni6晶体材料的制备方法，其特征在于，在s1中，所述云母衬底和前驱体粉末间的垂直距离小于等于1mm。

5.如权利要求1所述的二维cs2sni6晶体材料的制备方法，其特征在于，在s2中，所述载气为高纯氩气...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵梅，张礼杰，谢军，邹超，金辉乐，王舜，
申请(专利权)人：温州大学新材料与产业技术研究院，
类型：发明
国别省市：