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本发明属于纳米半导体材料领域，并具体公开了一种二维Cs<subgt;2</subgt;SnI<subgt;6</subgt;晶体材料的化学气相沉积制备方法及其应用。该制备方法具体为：将碘化铯和二碘化锡混合获得前驱体，...
该专利属于温州大学新材料与产业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过温州大学新材料与产业技术研究院授权不得商用。

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