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本发明的碳化硅单晶晶圆(31)以1.0×10<supgt;16</supgt;atoms/cm<supgt;3</supgt;以下的浓度包含硼，在表面存在有基底面位错密度为100个/cm<supgt;2<...
该专利属于中央硝子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过中央硝子株式会社授权不得商用。

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