【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及碳化硅单晶晶圆和碳化硅单晶锭。
技术介绍
1、专利文献1至7中公开了相关的技术。
2、专利文献1公开了以溶液生长法得到的碳化硅单晶。而且，专利文献1公开了碳化硅单晶的基底面位错密度等。
3、专利文献2公开了以升华重结晶法得到的碳化硅单晶。而且，专利文献2公开了碳化硅单晶的基底面位错密度、载体浓度等。
4、专利文献3公开了以溶液生长法得到的碳化硅单晶。而且，专利文献3公开了碳化硅单晶的硼浓度、氮浓度等。
5、专利文献4公开了以升华重结晶法得到的碳化硅单晶。而且，专利文献4公开了碳化硅单晶的硼浓度、氮浓度、铝浓度、电阻率等。
6、专利文献5公开了以升华重结晶法得到的碳化硅单晶。而且，专利文献5公开了碳化硅单晶的硼浓度、氮浓度、铝浓度、电阻率等。
7、专利文献6公开了以升华重结晶法得到的碳化硅单晶。而且，专利文献6公开了碳化硅单晶的氮浓度、铝浓度、电阻率、层叠缺陷密度等。
8、专利文献7公开了以溶液生长法得到的碳化硅单晶。
9、现有技术文献
10、专利文献
11、专利文献1：国际公开第2017/047536
12、专利文献2：日本特开2016-164120号公报
13、专利文献3：日本特开2016-88794号公报
14、专利文献4：日本特表2011-506253号公报
15、专利文献5：日本特开2009-167047号公报
16、专利文献6：
17、专利文献7：日本特开2018-111639号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、本专利技术的课题在于，实现专利文献1至7中未公开的高品质的碳化硅单晶。
3、用于解决问题的方案
4、根据本专利技术，提供一种碳化硅单晶晶圆，其中，
5、在前述碳化硅单晶晶圆内以1.0×1016atoms/cm3以下的浓度包含硼，
6、在前述碳化硅单晶晶圆的表面存在有前述碳化硅单晶晶圆的晶面内的取向差为50arcsec以下的区域，
7、前述区域包含前述表面的中心，
8、前述区域的面积为前述表面的面积的四分之一以上。
9、另外，根据本专利技术，提供一种碳化硅单晶锭，
10、其为大致圆柱状或大致多棱柱状的碳化硅单晶锭，
11、在相对于晶体生长方向垂直切出的晶圆内以1.0×1016atoms/cm3以下的浓度包含硼，
12、在前述晶圆的表面存在有前述晶圆的晶面内的取向差为50arcsec以下的区域，
13、前述区域包含前述表面的中心，
14、前述区域的面积为前述表面的面积的四分之一以上。
15、专利技术的效果
16、根据本专利技术，实现新的高品质的碳化硅单晶。
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1.一种碳化硅单晶晶圆，其中，
2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶晶圆，其中，所述区域的基底面位错密度为100个/cm2以下。
3.根据权利要求2所述的碳化硅单晶晶圆，其中，所述区域为圆形，所述区域的中心与所述表面的中心重叠。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的碳化硅单晶晶圆，其中，所述碳化硅单晶晶圆的电阻率为60mΩcm以下。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的碳化硅单晶晶圆，其中，所述碳化硅单晶晶圆的直径为100mm以上。
6.一种碳化硅单晶锭，其为大致圆柱状或大致多棱柱状的碳化硅单晶锭，
7.根据权利要求6所述的碳化硅单晶锭，其中，所述碳化硅单晶锭的晶体生长方向的长度为10mm以上。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种碳化硅单晶晶圆，其中，
2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶晶圆，其中，所述区域的基底面位错密度为100个/cm2以下。
3.根据权利要求2所述的碳化硅单晶晶圆，其中，所述区域为圆形，所述区域的中心与所述表面的中心重叠。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的碳化硅单晶晶圆，其中，所述碳化硅单晶...
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