【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体生长设备，特别是涉及一种用于生长晶体的智能晶体生长设备。
技术介绍
1、晶体相关领域的发展对晶体的质量提出了更高的要求，传统的晶体生长设备在晶体生长的过程中需要进行人为干预，这种人为干预是完全依靠操作者的经验做出的判断，这对操作者提出了很高的要求，同时也严重影响了晶体生长的一致性、晶体的质量以及生产效率。
2、现有的技术(cn115613128a)使用公开了一种晶体生长用智能控制系统，通过中枢控制模块与数据采集模块和生长控制模块相连接；数据采集模块与若干类型数据传感器相连接，生长控制模块与晶体生长设备相连接；获取晶体生长整个过程的视频数据，基于视频数据构建或者及时更新晶体生长模型；将晶体生长模型与构建的标准晶体模型进行比较，根据二者差异确定控制参数，通过生长控制模块对晶体生长设备进行控制；通过晶体生长模型来实现监控，降低了成本和劳动强度；通过与标准晶体模型进行比较来确定晶体生长设备的调整幅度，实现高精度的自动化调节。
3、现有技术在进行在实际的晶体生长过程中操作复杂，同时基于视频数据构建晶体生长模型，不能对生长过程中的实时温场、固液界面以及熔体流动状态进行建模，从而真正指导晶体生长。
技术实现思路
1、为了克服现有技术的不足，本专利技术的目的是提供一种用于生长晶体的智能晶体生长设备。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了如下方案：
3、一种用于生长晶体的智能晶体生长设备，包括：提拉系统部件、控制系统部件、仿真系统部件
4、所述仿真系统部件用于搭建虚拟炉体以进行生长仿真，得到仿真结果，并根据所述仿真结果确定晶体启动生长功率；所述控制系统部件用于根据所述晶体启动生长功率进行升温；所述边界条件提供部件用于监测所述炉体内的熔体温度；所述仿真系统还用于根据反馈的所述熔体温度确定边界条件，以对升温前的晶体启动生长功率进行修正，得到修正参数；所述控制系统部件还用于根据所述修正参数操作所述提拉系统部件开始晶体生长操作；
5、晶体开始生长后，所述提拉系统部件用于将工作信息实时反馈给所述控制系统部件，所述控制系统部件将所述工作信息提供给所述仿真系统部件作为仿真的边界条件，同时所述边界条件提供部件将选点温度提供给所述仿真系统部件作为边界条件，各个所述边界条件作为所述仿真系统部件进行仿真计算的已知条件，以使所述仿真系统部件实时预测炉体内的温场分布、流场分布、固液界面形状信息。
6、优选地，所述边界条件提供部件为高温热成像系统部件。
7、优选地，所述控制系统部件和仿真系统部件集成于一个设备中。
8、优选地，所述仿真系统部件还用于根据实时预测的预测结果进行工艺参数优化。
9、根据本专利技术提供的具体实施例，本专利技术公开了以下技术效果：
10、本专利技术提供了一种用于生长晶体的智能晶体生长设备，包括：提拉系统部件、控制系统部件、仿真系统部件、边界条件提供部件和炉体；所述仿真系统部件用于搭建虚拟炉体以进行生长仿真，得到仿真结果，并根据所述仿真结果确定晶体启动生长功率；所述控制系统部件用于根据所述晶体启动生长功率进行升温；所述边界条件提供部件用于监测所述炉体内的熔体温度；所述仿真系统还用于根据反馈的所述熔体温度确定边界条件，以对升温前的晶体启动生长功率进行修正，得到修正参数；所述控制系统部件还用于根据所述修正参数操作所述提拉系统部件开始晶体生长操作；晶体开始生长后，所述提拉系统部件用于将工作信息实时反馈给所述控制系统部件，所述控制系统部件将所述工作信息提供给所述仿真系统部件作为仿真的边界条件，同时所述边界条件提供部件将选点温度提供给所述仿真系统部件作为边界条件，各个所述边界条件作为所述仿真系统部件进行仿真计算的已知条件，以使所述仿真系统部件实时预测炉体内的温场分布、流场分布、固液界面形状信息。本专利技术在晶体生长过程中实现了实时监测，并能够自动调整生长参数。这种实时性和自动化程度，是对传统晶体生长方法的重大改进，提高了生长过程的精确性和可控性。
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1.一种用于生长晶体的智能晶体生长设备，其特征在于，包括：提拉系统部件、控制系统部件、仿真系统部件、边界条件提供部件和炉体；
2.根据权利要求1所述的用于生长晶体的智能晶体生长设备，其特征在于，所述边界条件提供部件为高温热成像系统部件。
3.根据权利要求1所述的用于生长晶体的智能晶体生长设备，其特征在于，所述控制系统部件和仿真系统部件集成于一个设备中。
4.根据权利要求1所述的用于生长晶体的智能晶体生长设备，其特征在于，所述仿真系统部件还用于根据实时预测的预测结果进行工艺参数优化。
【技术特征摘要】
1.一种用于生长晶体的智能晶体生长设备，其特征在于，包括：提拉系统部件、控制系统部件、仿真系统部件、边界条件提供部件和炉体；
2.根据权利要求1所述的用于生长晶体的智能晶体生长设备，其特征在于，所述边界条件提供部件为高温热成像系统部件。
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