【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及数据处理，具体涉及一种用于砷化镓半导体生长的智能化温度监测方法。
技术介绍
1、砷化镓（gaas）半导体是一种广泛用于光电子器件和微波器件的材料，因其优异的电学性能和光学性能而备受关注，在砷化镓半导体的生长过程中，确保适当的生长温度对于获得高质量的晶体结构和提高器件性能至关重要。
2、传统的温度监测方法主要依赖于热电偶和红外测温技术，这些方法虽然能够提供一定程度的温度信息，然而在使用智能化温度监测方法监测砷化镓半导体生长过程中的温度时，传感器的测量精度对于确保正确的温度读数至关重要，实验室环境中的温度波动、震动、电磁干扰等因素会影响传感器的性能，使得温度监测数据采集过程中引入一定程度的噪声成分，进而导致温度的监测结果出现误差，降低了温度监测的效果。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种用于砷化镓半导体生长的智能化温度监测方法，以解决现有的问题。
2、本专利技术的一种用于砷化镓半导体生长的智能化温度监测方法采用如下技术方案：
3、本专利技术一...
【技术保护点】
1.一种用于砷化镓半导体生长的智能化温度监测方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种用于砷化镓半导体生长的智能化温度监测方法，其特征在于，所述温度信号曲线，具体的获取方法为：
3.根据权利要求1所述的一种用于砷化镓半导体生长的智能化温度监测方法，其特征在于，所述生长速率的拟合曲线，具体的获取方法为：
4.根据权利要求1所述的一种用于砷化镓半导体生长的智能化温度监测方法，其特征在于，所述获得温度信号中噪声强度的基本估测值，包括的具体方法为：
5.根据权利要求4所述的一种用于砷化镓半导体生长的智能...
【技术特征摘要】
1.一种用于砷化镓半导体生长的智能化温度监测方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种用于砷化镓半导体生长的智能化温度监测方法，其特征在于，所述温度信号曲线，具体的获取方法为：
3.根据权利要求1所述的一种用于砷化镓半导体生长的智能化温度监测方法，其特征在于，所述生长速率的拟合曲线，具体的获取方法为：
4.根据权利要求1所述的一种用于砷化镓半导体生长的智能化温度监测方法，其特征在于，所述获得温度信号中噪声强度的基本估测值，包括的具体方法为：
5.根据权利要求4所述的一种用于砷化镓半导体生长的智能化温度监测方法，其特征在于，所述获得生长末期阶段温度信号中每条分量信号的温度变化周期性，包括的具体方法为：
6.根据权利要求5所述的一种用于砷化镓半导体生长的智能化温度监测方法，其特征在于，所述根据每条分量信号中局部信号段中的温度...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵云红，邵广育，卜英瀚，鞠少功，吴岳龙，
申请(专利权)人：浙江康鹏半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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