【技术实现步骤摘要】
本申请涉及图像处理，具体涉及一种砷化镓衬底晶片缺陷智能检测方法。
技术介绍
1、gaas砷化镓材料在半导体领域具有重要应用，作为一种优质衬底晶片，被广泛应用于光电子器件和微电子器件的制造中。然而，在生产过程中，砷化镓衬底晶片上常常存在各种缺陷，这些缺陷会直接影响器件的性能和稳定性。因此，设计一种高效准确的智能检测方法对砷化镓衬底晶片上的缺陷进行分析具有重要意义。
2、砷化镓衬底晶片中常见的螺旋状位错缺陷对器件性能产生严重影响，然而其微小尺度和复杂形态使得难以准确检测和定位，容易导致漏检和误检。此外，螺旋状位错缺陷在晶片中的分布较为离散，增加了检测的难度。因此，针对这一特定类型的缺陷，需要开发一种智能化的检测方法，能够实现对螺旋状位错缺陷的快速、准确检测和定位，提高对螺旋状位错缺陷的检测准确性和稳定性，成为当前研究亟需解决的关键问题之一。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种砷化镓衬底晶片缺陷智能检测方法，以解决现有的问题。
2、本专利技术的一种...
【技术保护点】
1.一种砷化镓衬底晶片缺陷智能检测方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的一种砷化镓衬底晶片缺陷智能检测方法，其特征在于，所述根据砷化镓衬底晶片图像获得各边缘线和各直线型边缘线，包括：
3.如权利要求2所述的一种砷化镓衬底晶片缺陷智能检测方法，其特征在于，所述获取非直线边缘线，根据各边缘线的邻域内直线型边缘线和非直线边缘线的数量，获得邻域非直线边缘密度，包括：
4.如权利要求2所述的一种砷化镓衬底晶片缺陷智能检测方法，其特征在于，所述根据邻域非直线边缘密度获得缺陷区域，包括：
5.如权利要求1所述的...
【技术特征摘要】
1.一种砷化镓衬底晶片缺陷智能检测方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的一种砷化镓衬底晶片缺陷智能检测方法，其特征在于，所述根据砷化镓衬底晶片图像获得各边缘线和各直线型边缘线，包括：
3.如权利要求2所述的一种砷化镓衬底晶片缺陷智能检测方法，其特征在于，所述获取非直线边缘线，根据各边缘线的邻域内直线型边缘线和非直线边缘线的数量，获得邻域非直线边缘密度，包括：
4.如权利要求2所述的一种砷化镓衬底晶片缺陷智能检测方法，其特征在于，所述根据邻域非直线边缘密度获得缺陷区域，包括：
5.如权利要求1所述的一种砷化镓衬底晶片缺陷智能检测方法，其特征在于，所述根据外延层缺陷区域中的各像素点到所有缺陷区域的像素点之间的欧氏距离获得各外延层缺陷区域对应的缺陷区域，包括：
6.如权利要求1所述的一种砷化镓衬底晶片缺陷智能检测方法，其特征在于，所述根...
【专利技术属性】
技术研发人员：邵广育，鞠少功，卜英瀚，
申请(专利权)人：浙江康鹏半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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