光电子器件和用于制造多个光电子器件的方法技术

本发明专利技术提出了一种光电子器件（１），其具有半导体本体（２）和两个设置在半导体本体上的电接触部（７，８），所述半导体本体具有适于产生辐射的有源区（４），其中接触部与有源区导电地连接，接触部分别具有背离半导体本体的连接面（７０，８０），连接面设置在器件的连接侧上，并且器件的不同于连接侧的侧被镜面化。此外，提出了一种用于制造多个这种器件的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种光电子器件，特别是一种适于产生辐射的光电子器件，以及涉及一种用于制造多个这种器件的方法。 本专利技术的任务是，提出一种带有高发射率的光电子器件，该光电子器件可以被简 化地制造。此外，还要提出一种用于制造这种器件的成本低廉的制造方法。 发射率在此是在器件工作中每平方米器件的耦合输出面从器件发出的辐射功率 的瓦特数。其中带有该辐射功率的辐射穿过器件的耦合输出面。 该任务通过根据独立权利要求的器件和制造方法来解决。有利的扩展方案和改进 方案是从属权利要求的主题。 根据本专利技术的光电子器件包括半导体本体和至少两个设置在半导体本体上的电 接触部，其中该半导体本体具有适于产生辐射的有源区。在此，接触部导电地与有源区连接 并且分别具有背离半导体本体的连接面。连接面设置在器件的连接侧、特别是共同的连接 侧上，并且器件的不同于该连接侧的侧被镜面化(verspiegelt)。 优选的是，半导体本体具有半导体层序列，其包括有源区。半导体层序列可以形成 半导体本体并且特别是可以外延地生长。 器件的镜面化的侧合乎目的地对于有源区中要产生的辐射反射性地构建。射到器 件的镜面化的侧上的辐射由于该镜面化而向回反射到器件中。借助镜面化，可以将在该侧 上没有镜面化的情况下会从器件出射的辐射向器件的一个或多个耦合输出面引导。于是减 小或者完全避免了辐射在镜面化的侧上从器件出射。由此，提高了通过耦合输出面来耦合 输出的辐射功率并且相应提高了在耦合输出面方面的发射率。 镜面化对于有源区中要产生的辐射的反射率优选为80%或者更高，特别优选为 90%或者更高，通常优选为95%或者更高，例如为96%或者更高。 合乎目的是，器件的镜面化的侧为了镜面化而设置有反射层。反射层优选沉积在 器件上，例如借助PVD或者CVD方法(PVD :物理气相沉积；CVD :化学气相沉积)，譬如通过 溅射、气相淀积或者反应溅射来进行。 此外，该器件优选在外侧镜面化。例如，为此该器件的在有源区的横向主延伸方向 上形成器件边界的侧面被镜面化。 在一个优选的扩展方案中，反射层具有反射金属化物或者反射合金(Spiegellegier皿g)，其又优选含有至少一种金属。反射层可以特别是导电地构建。例如，反射层包含Ag、 Al或者Au。反射层可以特别是构建为例如带有所提及的金属之一的反射金属化物，或者构建为例如带有所提及的金属之一的合金层。金属或者合金表现出在宽的频谱范围上的高反射率，然而通常也在热辐射的频谱范围中的高反射率。 对于导电的反射层(譬如导电的反射金属化物或者导电的反射合金)替选地或者补充地，镜面化部、特别是反射层可以具有冷光镜。合乎目的地，冷光镜可以实施为使得其反射有源区中产生的辐射，然而透射在器件中在产生辐射时积聚的损耗热。通过这种方式，降低了器件中由于过高的内部温度而以热学方式引起的器件损坏的危险。 在一个优选的扩展方案中，镜面化部以及特别是反射层包括介电的反射层。在介电的反射层情况下，可以省去将反射层与器件的导电元件绝缘以避免短路的费事的绝缘措 施。介电的反射层可以构建为多层结构，该结构包括带有不同折射率的介电层。特别是，冷 光镜可以实施为介电的多层结构。 在另一优选的扩展方案中，镜面化部以及特别是反射层具有介电的反射层和导电 的反射层。介电的反射层例如冷光镜于是也可以结合导电的反射层、例如上面详细描述类 型的反射金属化物或者反射合金来使用。在这种情况中，导电的反射层合乎目的地设置在 介电的反射层的背离器件的侧上。在有源区中产生的辐射于是首先射到介电的反射器上并 且已经可以在那里被部分反射。穿过介电的反射层的辐射部分可以在导电的反射层上被反 射。介电的反射层以及导电的反射层由此有助于镜面化部的总反射率。对于反射金属化物 或者反射合金，因此必要时可以使用带有比较低的反射率的材料，例如80%或者更小、并且 优选为70%或者更大的反射率的材料。通过设置介电的反射层，可以实现提高包括介电的 反射层和导电的反射层的镜面化部的总反射率。 优选的是，该器件构建为发光二极管，特别优选用于产生和特别是用于耦合输出 非相干辐射。此外，该器件优选构建用于产生可见的辐射。 该器件可以通过接触部的外表面从连接侧来外部地电接触。由此，可以避免将电 接触部设置在器件的另一侧上。光电子器件的电接触部、例如接触金属化物或者基于合金 的接触部通常并不明显地吸收有源区中产生的辐射。因为在此两个连接面都设置在器件的 相同侧上，所以基本上可以通过器件的任意的另一侧来将辐射耦合输出，而不将接触部设 置在该侧上。于是避免了在耦合输出侧方面的接触部中的吸收。除了连接侧之外，尚未镜 面化的器件的其余外侧可以没有阻碍耦合输出的、吸收性的结构，譬如吸收性的金属。通过 附加的反射性的镜面化，可以提高耦合输出侧的发射率。 耦合输出面合乎目的地未被镜面化。 此外，将两个接触部设置在光电子器件的共同的连接侧上使得以复合结构成本低 廉地制造这种器件变得容易。 在一个优选的扩展方案中，器件的连接侧是器件的安装侧。在此，器件的如下侧视 为器件的安装侧在器件安装在外部的连接支承体、优选平坦的连接支承体、例如电路板上 的情况下该侧朝向连接支承体。器件的接触部可以与连接支承体的连接导体导电连接，使 得有源区可以被输送外部的电功率以驱动器件。导电连接可以通过导电的连接层来建立。 可以省去由于线弯曲而具有大的位置需求的用于接触器件的接合线。 器件的接触部的连接面优选构建用于借助导电的层连接来与连接支承体的连接 导体导电连接。例如，连接面分别借助焊剂来形成。该器件可以构建为可表面安装的器件(SMD :可表面安装器件)。 在一个根据本专利技术的用于制造多个光电子器件的方法中，首先提供带有支承层和多个优选并排地设置在支承层上的半导体本体的复合元件，其中所述半导体本体分别具有适于产生辐射的有源区。 随后，将反射层施加到复合元件上。特别是，反射层可以沉积到复合元件上。为此， 例如上面提及的PVD或者CVD方法是合适的。 半导体本体优选实施为分立的半导体本体，它们彼此间隔地设置在共同的支承层 上。 在施加反射层之后，复合元件分割为多个光电子器件，其中这些器件分别具有耦 合输出面以及形成该器件的边界的、不同于耦合输出面的并且设置有反射层的镜面化的侧 面。 镜面化的侧面优选在横向方向上、特别是在有源区的延伸方向上形成该器件的边 界。该侧面可以朝着远离器件的连接侧的方向延伸并且优选延伸直到器件的背离连接侧的 施加到复合元件上的反射层和/或支承层在分割时优选被分开。从复合元件分割 出的器件可以相应地分别设置有施加到复合元件上的反射层的一部分。 带有镜面化的侧面的器件于是可以以复合结构来制造，这使得成本低廉地制造多 个相同类型的器件变得容易。 根据本专利技术的制造方法优选用于制造根据本专利技术的光电子器件，使得上面和下面 针对该器件所描述的特征也可以用于制造方法，反之亦然。 复合元件的半导体本体优选类似地构建，特别是构建为具有相同顺序的相同组成 的半导体层。 器件的耦合输出面可以是分割的、即在分割中构建的耦合输出面。耦合输出面在 这种情况中优选横向地形成器件的边界。 在一个优选的扩展方案中，在施加反射层之前设置用于电接触要制造的器件的半 导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电子器件（１），具有半导体本体（２）和两个设置在该半导体本体上的电接触部（７，８），所述半导体本体具有适于产生辐射的有源区（４），其中接触部与有源区导电地连接，接触部分别具有背离该半导体本体的连接面（７０，８０），所述连接面设置在器件的连接侧上，并且器件的不同于连接侧的侧被镜面化。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：斯特凡伊莱克，安德烈亚斯普洛斯尔，亚历山大海因德尔，帕特里克罗德，迪特尔艾斯勒，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]