【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及发光二极管，特别涉及提高发光二极管的外部 量子效率，在所述发光二极管中，部分或全部去除生长基底并 添力口载体基底。
技术介绍
发光二极管(LEDs)是一类通过促进在适当的半导体材料中 的电子空穴复合过程而将外加电压转换为光的光子半导体器 件。而且，在复合过程中释放的一些或全部能量产生光子。发光二极管享有其他半导体器件的许多有利特性。这些通 常包括强的物理特性、长的寿命、高的可靠性和依赖于特殊材 料的低成本。本文4吏用了工业上普遍且熟知的i午多术语。然而，在该工 业中，这些术语有时在其含义方面非正式地混用。因此，本文 尽可能准确地使用这些术语，但是，在每一情况中，其含义在 上下文中是清楚的。因此，术语"二极管"或"芯片"典型地指最低限度地包括两 种相反传导性类型(p和n)的半导体部分以及当施加电位差时使 得电流流过所得p-n结的 一些形式的欧姆^^妻触的结构。术语"灯"用于指发光二极管，所述发光二极管与适当的机 械支承体和电接触以及潜在的透镜匹配，以形成能够添加至或 包括于电路或照明器材或该二者的独立装置。正如本文中使用的，术语"封装"典型地是指适当...
【技术保护点】
一种发光二极管，其包含： 激活结构，其至少由第Ⅲ族氮化物的ｐ型和ｎ型外延层形成； 导电性载体基底； 导电性接合体系，其连接所述激活结构与所述导电性载体基底； 相对于与所述导电性载体基底邻近的所述激活结构的第一透明欧姆接触； 相对于 与所述导电性载体基底相对的所述激活结构的第二透明欧姆接触；和 相对于与所述激活结构相对的所述导电性载体基底的第三欧姆接触。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：约翰A埃德蒙德，小大卫B斯雷特，迈克尔J伯格曼恩，
申请(专利权)人：科里公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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