【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，尤其涉及III族氮化物基高电子迁移率晶体管(HEMT)。
技术介绍
HEMT是可用于包括微波和毫米波通信、雷达、射电天文学、移动电话、直接广播卫星接收器和电子对抗系统的各种应用的半导体器件。传统半导体通常需要掺杂有η型杂质的导电层以生成自由电子；然而，该层内的电子趋于与这些杂质碰撞，这使得该层内的电子的速度降低。HEMT是利用具有不同带隙的两种材料之间的异质结形成导电沟道而不是掺杂区域的场效应晶体管。HEMT通常不需要杂质来形成导电层，因此允许更高的电子迁移率。通常由硅(Si)和砷化镓(GaAs)等半导体材料制备ΗΕΜΤ。Si具有低电子迁移率， 这生成高源阻抗；因此，Si半导体材料可能不太适用于高功率、高频率和高温度应用。雷达、蜂窝和卫星通信中的信号放大装置常常使用GaAs基ΗΕΜΤ。与Si相比，GaAs 半导体材料具有较高的电子迁移率和较低的源阻抗，这允许GaAs半导体材料以较高频率工作。然而，GaAs具有相对小的带隙，这限制了 GaAs HEMT在高频率应用时在高功率下的使用。氮化镓(GaN)半导体材料及由氮化铝和氮化镓组成的合金...
【技术保护点】
１．一种用于形成高电子迁移率晶体管的方法，包括以下步骤：利用离子在限定位置处对ＩＩＩ族氮化物层进行注入，以提供离子注入区域，其中利用在３０μＡ和１３０μＡ之间的离子束电流进行注入；以及在所述离子注入区域上添加接点，从而形成欧姆接点。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：亚利山大·苏沃洛夫，斯科特·T·夏普德，
申请(专利权)人：科里公司，
类型：发明
国别省市：US
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