薄膜晶体管形成方法以及薄膜晶体管技术

本发明专利技术实施例公开了一种薄膜晶体管形成方法以及薄膜晶体管。所述薄膜晶体管形成方法，在沟道区刻蚀成型后，包括：利用辉光放电装置对含磷气体进行解离，得到等离子体；采用所述等离子体对刻蚀形成的沟道区表面进行等离子体处理。本发明专利技术还提供了如下的一种薄膜晶体管：所述薄膜晶体管沟道区的非晶硅中掺杂有磷原子；所述沟道区上方覆盖有沟道保护层。本发明专利技术实施例所提供的技术方案，在薄膜晶体管沟道区的非晶硅掺杂注入了磷原子中，所述沟道区中的载流子的数量会明显的提高，因此可以有效的提高薄膜晶体管的开态电流(提高约30％)，进而能够明显的改善TFT-LCD产品的显示品质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管形成方法以及薄膜晶体管。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(TFT-IXD)在现代生活中有着广泛的应用如手机显示屏、电脑的显示器、MP3、MP4的显示屏等。显示画面均勻、高解析度、无窜扰、对比度高等是对高品质TFT-LCD的关键要求之一，与此密切相关的是TFT之电性参数-开态电流(Ion)， 开态电流作为重要的电性参数，对TFT-LCD的显示效果有着非常大的影响，当开态电流过低时，由于充电不足会导致显示画面不均勻、对比度下降、交叉效应等显示缺陷，对TFT-LCD 的品质产生严重影响，同时随着市场对高解析度的TFT-LCD产品需求的日益增多，也亟待要求提高薄膜晶体管的开态电流。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术的目的在于提供一种薄膜晶体管形成方法以及薄膜晶体管，以提高薄膜晶体管的开态电流，进而提高TFT-LCD产品的显示品质。为解决上述问题，本专利技术实施例提供了如下技术方案一种薄膜晶体管形成方法，在沟道区刻蚀成型后，包括利用辉光放电装置对含磷气体进行解离，得到等离子体；采用所述等离子体对刻蚀形成的沟道区表面进行等离子体处理。优选的，所述含磷气体为=PH3、或者PH3与H2、N2, HN3> Ar、He中的一种或多种气体的混合气体。优选的，所述辉光放电装置为干刻机台。优选的，在等离子体处理之后，还包括进行沟道保护层的沉积，所述沟道保护层覆盖所述沟道区。优选的，采用化学气相沉积、溅射、蒸镀或涂布工艺形成所述沟道保护层。优选的，所述辉光放电装置为化学气相沉积机台。优选的，所述等离子体处理步骤和沟道保护层的沉积在同一设备内完成或者在不同的设备内完成。本专利技术还提供了一种薄膜晶体管所述薄膜晶体管沟道区的非晶硅中掺杂有磷原子；所述沟道区上方覆盖有沟道保护层。与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点本专利技术实施例所提供的技术方案，在薄膜晶体管沟道区的非晶硅掺杂注入了磷原子中，所述沟道区中的载流子的数量会明显的提高，因此可以有效的提高薄膜晶体管的开态电流(提高约30% )，进而能够明显的改善TFT-IXD产品的显示品质。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为实施例一提供的薄膜晶体管形成方法流程示意图。 具体实施例方式本专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管形成方法以及薄膜晶体管，该方案能够有效的提高薄膜晶体管的开态电流，进而提高TFT-LCD产品的显示品质。所述薄膜晶体管形成方法，在沟道区刻蚀成型后，包括利用辉光放电装置对含磷气体进行解离，得到等离子体；采用所述等离子体对刻蚀形成的沟道区表面进行等离子体处理。本专利技术还提供了如下的一种薄膜晶体管所述薄膜晶体管沟道区的非晶硅中掺杂有磷原子；所述沟道区上方覆盖有沟道保护层。本专利技术实施例所提供的技术方案，在薄膜晶体管沟道区的非晶硅掺杂注入了磷原子中，所述沟道区中的载流子的数量会明显的提高，因此可以有效的提高薄膜晶体管的开态电流(提高约30% )，进而能够明显的改善TFT-IXD产品的显示品质。以上是本申请的核心思想，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例， 而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。实施例一如图1所示，为本专利技术提供的薄膜晶体管形成方法流程示意图，该方法具体包括以下步骤步骤SlOl，进行沟道区刻蚀；步骤S102，在沟道区刻蚀成型后，利用辉光放电装置对含磷气体进行解离，得到等离子体；步骤S103，采用所述等离子体对刻蚀形成的沟道区表面进行等离子体处理。其中，所述步骤S102中，所述含磷气体可以为PH3、或者PH3与H2、N2、願3、Ar、He中的一种或多种气体的混合气体。在所述步骤S103中，呈现等离子体状态的磷原子被注入或掺杂到沟道区的非晶硅中，因此，所述沟道区中的载流子的数量会明显的提高，进而可以有效的提高薄膜晶体管的开态电流。4通常，薄膜晶体管沟道的刻蚀通过干刻机台完成，因此本实施例中所述的辉光放电装置可以为干刻机台。此外，所述的辉光放电装置还可以为其它可以产生等离子体的装置。上述等离子处理步骤可以在沟道刻蚀后顺序进行，无需更换设备，具有较高的效率。此外，上述薄膜晶体管沟道上方还可以设置有与沟道直接接触的保护层，所述保护层对沟道区进行覆盖保护，因此，如图1所示，在上述步骤S103之后，还可以包括步骤S104，进行沟道保护层的沉积，所述沟道保护层覆盖所述沟道区。等离子处理步骤可以设置在沟道保护层沉积步骤之前进行。现有技术中通常采用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition, CVD)工艺形成所述沟道保护层，如等离子增强型化学气相沉积PECVD)、低压化学气相沉积(LPCVD)或者常压化学气相沉积(APCVD) 等，本步骤通常通过化学气相沉积机台完成，因此，所述辉光放电装置还可以为化学气相沉积机台，以便于后续沟道保护层沉积步骤中无需更换设备，提高生产效率。此外，所述沟道保护层还可以通过溅射、蒸镀或涂布工艺形成。等离子等离子体处理步骤和沟道保护层的沉积可以在同一设备(如化学气相沉积机台)内完成，也可以在不同的设备内完成。本实施例提供的薄膜晶体管形成方法中，针对不同类型的辉光放电装置，可设置为其设置不同的工艺参数，通过调整相关工艺参数，使薄膜晶体管在提高自身开态电流的同时，不影响其漏电流。本实施例提供的薄膜晶体管形成方法中，在沟道区的非晶硅掺杂注入了磷原子中，所述沟道区中的载流子的数量会明显的提高，因此可以有效的提高薄膜晶体管的开态电流(提高约30% )，进而能够明显的改善TFT-IXD产品的显示品质。实施例二 相应于实施例一中提供的方法，本实施例提供了一种应用该方法形成的薄膜晶体管，如下所述所述薄膜晶体管沟道区的非晶硅中掺杂有磷原子；所述沟道区上方覆盖有沟道保护层。其中，沟道区的磷原子可以通过等离子体注入工艺掺杂形成，所述沟道保护层可以通过化学气相沉积工艺形成。由于本实施例为实施例一对应的产品实施例，其类同之处相互参见即可，在此不再赘述。本实施例提供的薄膜晶体管中，沟道区的非晶硅中掺杂有了磷原子，所述沟道区中的载流子的数量较高，因此所述提高薄膜晶体管的开态电流也较高(相对于现有薄膜晶体管高约30% )，其应用到TFT-IXD产品中时，能够明显的改善TFT-IXD产品的显示品质。本说明书中各个部分采用递进的方式描述，每个部分重点说明的都是与其他部分的不同之处，各个部分之间相同相似部分互相参见即可。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本专利技术。对这些实施例的多本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种薄膜晶体管形成方法，其特征在于，在沟道区刻蚀成型后，包括：利用辉光放电装置对含磷气体进行解离，得到等离子体；采用所述等离子体对刻蚀形成的沟道区表面进行等离子体处理。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管形成方法，其特征在于，在沟道区刻蚀成型后，包括 利用辉光放电装置对含磷气体进行解离，得到等离子体；采用所述等离子体对刻蚀形成的沟道区表面进行等离子体处理。2.根据权利1所述的薄膜晶体管形成方法，其特征在于所述含磷气体为=PH3、或者？!13与!12、队、願3、41~、彻中的一种或多种气体的混合气体。3.根据权利1或2所述的薄膜晶体管形成方法，其特征在于 所述辉光放电装置为干刻机台。4.根据权利1所述的薄膜晶体管形成方法，其特征在于，在等离子体处理之后，还包括进行沟...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝付泼，谢凡，胡君文，何基强，
申请(专利权)人：信利半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：44