具有腔室处理与处理层等离子体放电以释放晶片的等离子体浸没离子注入工艺制造技术

在等离子体浸没离子注入工艺中，在不会因为增加处理层的厚度而损失晶片夹钳静电力的情况下，增加注入前腔室处理层的厚度，以允许在不用更换处理层的情况下进行一连串晶片的注入。可通过先以等离子体放电来除掉厚处理层的残留静电荷来实现上述动作。通过在每个晶片处理完之后，部分地补充该处理层，并且接着可在处理下一个晶片之前进行该补充处理层的简短等离子体放电，以进一步提高使用同一个处理层所能处理的晶片数量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术有关于具有腔室处理与处理层等离子体放电以释放晶片的等离子体浸没 离子注入工艺。
技术介绍
等离子体浸没离子注入是通过产生包含欲注入在半导体晶片或工件中的离子物 种的等离子体而执行。可使用位于反应器腔室顶板处的等离子体源，例如环形等离子体源， 来产生等离子体。透过晶片支撑基座内部的绝缘阴极电极将非常高的射频偏压电压(例 如，IOkV至20kV)耦合至半导体晶片以提供足以在晶片表面下方达成所需的离子注入深度 分布的离子能量。这类高偏压电压需要静电夹盘上相应的高直流静电晶片夹钳电压，以在 等离子体浸没离子注入期间固持着晶片。高注入剂量率需要高等离子体离子密度，可使用 在低腔室压力下操作的环形等离子体源达成高等离子体离子密度。所需的离子注入深度分 布需要非常高的离子能量，可通过在晶片表面的等离子体鞘施加非常高的射频偏压电压来 达成高离子能量。用在等离子体浸没离子注入中的工艺气体可为欲注入的掺杂剂物种的氟 化物或氢化物。在DRAM/快闪存储器制造中，必须将半导体掺杂剂物种注入至多晶硅 (polysilicon)栅极电极中以增加其导电率。通过在薄栅极氧化物层上沉积非晶硅 (amorp本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在等离子体反应器中离子注入连续多个半导体晶片的方法，包含：引入含硅气体及含氧气体至该腔室中，在该腔室中产生沉积等离子体，并且维持该沉积等离子体直到具有目标厚度的氧化硅处理层沉积在该腔室的内部空间表面上为止，该腔室内部空间表面包含静电夹盘的晶片支撑表面；引入氩气至该腔室中，在该腔室中产生导电放电等离子体，并且维持该导电放电等离子体直到在该处理层中的残留静电荷释放掉为止；对该连续多个半导体晶片中的每个晶片：（ａ）将该半导体晶片引入该反应器中，并且在该覆盖处理层的晶片支撑表面上静电夹钳该晶片；（ｂ）引入含有半导体掺杂剂的气体至该腔室中，并且在该腔室中产生离子注入等离子体，以及维持该离子注入等离子...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：麦诺基韦列卡，卡提克桑瑟南姆，扬B塔，马丁A希尔金，马修D斯科特奈伊卡斯尔，坎芬莱，彼得I波尔什涅夫，马耶德A福阿德，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]