一种缓解第一镜表面沉积的方法技术

本发明专利技术公开了一种缓解第一镜表面沉积的方法，首先将第一镜样品组装至每个防护管道内，并将所有防护管道紧密地固定到安装板上，此外还有一组防护管道的第一镜样品作为对比也固定在安装板上，安装板与支架连接，支架安装至EAST的窗口平板上；然后将挡板通过EAST窗口法兰进行密封，保护防护管道前端；最后壁处理时关闭挡板，主等离子体放电时打开挡板。本发明专利技术结构稳定，可普遍使用在各聚变装置中且能够长期辐照。

Method for relieving deposition of first mirror surface

The invention discloses a method for alleviating the first mirror surface deposition, the first lens sample assembly to each door in the pipeline, and all the protection of pipeline is closely fixed to the mounting plate, in addition to the first lens samples a set of protection of pipeline as the contrast is fixed on the mounting plate, the mounting plate is connected with a bracket. The window plate bracket installation to EAST; then the baffle is sealed by the EAST window flange, pipeline protection front; finally closed baffle wall treatment, the main plasma discharge when the baffle plate is opened. The invention has a stable structure and can be widely used in various fusion devices and can be irradiated for a long time.

【技术实现步骤摘要】
一种缓解第一镜表面沉积的方法
本专利技术涉及磁约束核聚变
，具体是一种缓解第一镜表面沉积的方法。
技术介绍
在国际热核聚变实验堆（ITER）中，等离子体的运行状态主要依靠各种光学诊断系统来获取，这些诊断系统中有一半都需要在前端设置反射镜，其中设置在真空室中距离等离子体最近的反射镜称之为第一镜样品。由于直接面对等离子体，第一镜样品表面会遭受高能离子和电荷交换原子等的轰击产生溅射、杂质再沉积以及各种射线辐照，光学性能急剧恶化，其中溅射和沉积作用是使第一镜样品性能恶化的主要原因，会缩短第一镜样品的使用寿命，进而造成相关光学诊断系统参数的失实，甚至可能会威胁到反应堆的运行安全。选择低溅射率的金属材料可有效缓解地溅射作用对第一镜样品的影响，但是沉积在第一镜样品表面的杂质层会发生光波信号的吸收和相消干涉等一系列现象严重降低第一镜样品光学性能（特别是反射率），甚至仅10nm的沉积层也会使光学信号变形失真，因此必须采种各种办法缓解第一镜样品表面杂质沉积层的生长。目前国际采用的主要有防护挡板、加热、气体注入三种方法，其中防护挡板是最为简单可操作且有效的方法，现行的防护挡板有U型、圆筒型等形状，在短期辐照的情况下都取得了较好的效果，但是长期辐照仍然无法有效阻挡壁处理元素或者等离子体杂质的沉积，而利用磁性材料来操作挡片的磁力工作系统可用于长期辐照的环境，但其磁场状态不同的装置中无法普遍使用且此系统存在着结构不稳定经常失效的问题。因此，急需专利技术一种结构稳定可普遍使用在各聚变装置中且能够长期辐照的缓解第一镜样品表面沉积的方法。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种缓解第一镜表面沉积的方法，以解决现有技术存在的问题。为了达到上述目的，本专利技术所采用的技术方案为：一种缓解第一镜表面沉积的方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤A：将第一镜样品组装至每个防护管道内，并将所有防护管道紧密地固定到安装板上，此外还有一组防护管道的第一镜样品作为对比也固定在安装板上，将安装板与支架连接，并将支架安装至EAST的窗口下表面；步骤B：挡板通过EAST窗口法兰进行密封，保护防护管道前端；步骤C：壁处理时关闭挡板，主等离子体放电时打开挡板。所述一种缓解第一镜表面沉积的方法，其特征在于：所述步骤A中，第一镜样品材料为金属，表面高度抛光至镜面后组装至各防护管道末端以远离等离子体。所述一种缓解第一镜表面沉积的方法，其特征在于：所述步骤A中，多组具有不同筒径比的防护管道紧密地固定到安装板上，并保持前端平齐面向等离子体。所述一种缓解第一镜表面沉积的方法，其特征在于：所述步骤A中，支架用于与EAST的窗口下表面连接，在支架与窗口表面之前留有一定的空间。所述一种缓解第一镜表面沉积的方法，其特征在于：所述步骤B中，挡板由真空连接、传动幅以及挡片三部分组成，真空连接采用直推式、手动与电动一体的方式，传动幅为拉杆式，挡片为长方形并在上方设置了一个直角结构，可完全包围防护管道的前端。所述一种缓解第一镜表面沉积的方法，其特征在于：所述的真空连接与步进电机相连，以实现自动远程控制挡片；手动式是当电动式发生故障时作为备用；真空连接与EAST窗口通过法兰密封。所述一种缓解第一镜表面沉积的方法，其特征在于：传动幅的螺杆有支点进行加固以防在推拉过程中弯曲变形，从支架下方的空间通过与挡片相连。所述一种缓解第一镜表面沉积的方法，其特征在于：所述的挡片与传动幅之间有加强筋连接。所述一种缓解第一镜表面沉积的方法，其特征在于：所述步骤C中，在EAST进行壁处理时，关闭挡片阻挡壁处理元素进入管道；当主等离子体放电时，真空连接驱动传动幅打开挡片，使第一镜样品处于工作状态。所述一种缓解第一镜表面沉积的方法，其特征在于：所述的挡板、安装板、防护管道、支架均采用无磁不锈钢材料。本专利技术的优点：本专利技术提供的缓解第一镜样品表面沉积的方法步骤科学合理，该技术可普遍应用于磁约束装置中，并考虑到复杂的装置环境可能出现的情况，使得该方法更加稳定可靠。附图说明图1为本专利技术原理图。具体实施方式如图1示，一种缓解第一镜表面沉积的方法，包括以下步骤：步骤A：将第一镜样品1组装至每个防护管道2内，并将所有防护管道2紧密地固定到安装板3上，此外还有一组防护管道4的第一镜样品作为对比也固定在安装板上，将安装板3与支架5连接，并将支架5安装至EAST的窗口下表面6；步骤B：挡板通过EAST窗口法兰7进行密封，保护防护管道前端；步骤C：壁处理时关闭挡板，主等离子体放电时打开挡板。步骤A中，第一镜样品1材料为金属（如316不锈钢、钼、钨、铜等），表面高度抛光至镜面后组装至各防护管道末端以远离等离子体。步骤A中，多组具有不同筒径比的防护管道2紧密地固定到安装板3上，并保持前端平齐面向等离子体。步骤A中，支架5用于与EAST的窗口下表面连接，在支架5与窗口表面之前留有一定的空间。步骤B中，挡板由真空连接8、传动幅9以及挡片10三部分组成，真空连接8采用直推式、手动与电动一体的方式，传动幅9为拉杆式，挡片10为长方形并在上方设置了一个直角结构11，可完全包围防护管道的前端。真空连接8与步进电机12相连，以实现自动远程控制挡片；手动式是当电动式发生故障时作为备用，当电动式发生故障时可旋转手动控制旋钮13切换至手动模式；真空连接与EAST窗口通过法兰7密封。传动幅9的螺杆与窗口下表面6有支点14进行加固以防在推拉过程中弯曲变形，从支架5下方的空间通过与挡片10相连。挡片10的后端为1mm，挡片10与传动幅9之间有加强筋15连接。步骤C中，在EAST进行壁处理时，关闭挡片10阻挡壁处理元素进入管道；当主等离子体放电时，真空连接8驱动传动幅9打开挡片10，使第一镜样品1处于工作状态。挡板、安装板3、防护管道2、支架5均采用无磁不锈钢材料。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种缓解第一镜表面沉积的方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤A：将第一镜样品组装至每个防护管道内，并将所有防护管道紧密地固定到安装板上，此外还有一组防护管道的第一镜样品作为对比也固定在安装板上，将安装板与支架连接，并将支架安装至EAST的窗口下表面；步骤B：挡板通过EAST窗口法兰进行密封，保护防护管道前端；步骤C：壁处理时关闭挡板，主等离子体放电时打开挡板。

【技术特征摘要】
1.一种缓解第一镜表面沉积的方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤A：将第一镜样品组装至每个防护管道内，并将所有防护管道紧密地固定到安装板上，此外还有一组防护管道的第一镜样品作为对比也固定在安装板上，将安装板与支架连接，并将支架安装至EAST的窗口下表面；步骤B：挡板通过EAST窗口法兰进行密封，保护防护管道前端；步骤C：壁处理时关闭挡板，主等离子体放电时打开挡板。2.根据权利要求1所述一种缓解第一镜表面沉积的方法，其特征在于：所述步骤A中，第一镜样品材料为金属，表面高度抛光至镜面后组装至各防护管道末端以远离等离子体。3.根据权利要求1所述一种缓解第一镜表面沉积的方法，其特征在于：所述步骤A中，多组具有不同筒径比的防护管道紧密地固定到安装板上，并保持前端平齐面向等离子体。4.根据权利要求1所述一种缓解第一镜表面沉积的方法，其特征在于：所述步骤A中，支架用于与EAST的窗口下表面连接，在支架与窗口表面之前留有一定的空间。5.根据权利要求1所述一种缓解第一镜表面沉积的方法，其特征在于：所述步骤B中，挡板由真空连接、...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭姣，鄢容，陈俊凌，
申请(专利权)人：中国科学院合肥物质科学研究院，
类型：发明
国别省市：安徽,34