使用邻近头准备基片表面的装置、系统和方法包括在该基片的表面和该邻近头的头部表面之间施加非牛顿流体。该非牛顿流体沿着该头部表面和该基片的表面之间的一个或多个侧面限定容纳壁。具有该非牛顿流体的该一个或多个侧面在该头部表面和该基片的表面之间的该基片上限定处理区域。通过该邻近头向该基片的表面施加牛顿流体，以便所施加的牛顿流体大体上被保持在由该容纳壁限定的该处理区域内。该牛顿流体帮助从该基片的表面除去一种或多种污染物。在一个实施例中，该非牛顿流体还可用于创建环境可控隔离区域，其可以帮助控制该区域内的表面的可控处理。在一个替代实施例中，向该处理区域施加第二非牛顿流体而非该牛顿流体。该第二非牛顿流体作用于该基片的表面上的一种或多种污染物并大体上从该基片的表面除去它们。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体涉及半导体基片处理，更详细的说，涉及在 制造操作过程中从半导体基片表面除去微粒的包容(contained)化学表面处J里的系统和方法。
技术介绍
在基片制造工艺过程中，基片表面被不断地暴露于各种 化学制品中。在各种制造工艺操作中使用的化学制品可能是一种或 多种形成于基片表面上的污染物的来源。这些污染物作为凝Ui沉积 在基片表面，而且很可能对污染物微粒附近的器件和特征造成损 害。因jt匕，必须以一种及时而有岁文的方式/人基片表面清除这些污染 物，同时又不石皮坏特;f正和器件。传统的基片清洁方法依赖机械力或化学制品以从基片表 面除去樣吏粒污染物。随着器件和特征的尺寸不断缩小而且变得更加 脆弱，清洁方法中施加的机械力增加了对这些特征与器件造成损害 的可能性。使用化学制品来除去污染物证明有另外的挑战。化学制 品的施加和除去导致不受控制的去湿润(de-wetting)(相对其他问 题最突出)，其导致在表面上出现水印及其它缺陷。另外，传统的 清洁方法在清洗操作过程中不能在处理区域提供大体上无氧或低 氧的环境。清洁过程中在处理区域中氧的存在可导致铜和其它金属 的氧4匕，它们用于在该处理区i或形成特征，比如互连线 (interconnects )，这种氧化使得被这些互连线连接的特征和器件无法工作。因此，在制造过程中有效率而非^C坏性地除去污染物仍然存在挑战。鉴于上文所述，需要一种用于/人基片表面除去污染物的更有效而且更少磨损的清洁:技术。
技术实现思路
通过提供可以高效率地从该基片表面除去污染物的改进 的方法和装置，本专利技术满足了该需要。应当理解，本专利技术可以用多 种方式实现，包括装置和方法。下面描述本专利技术的几个创新性实施方式。在一个实施方式中，揭露一种^f吏用邻近头准备基片表面力口非牛顿流体。该非牛顿流体沿着该头部表面和该基片的表面之间 的一个或多个侧面限定容纳壁。具有该非牛顿流体的该一个或多个 侧面在该头部表面和该基片的表面之间的该基片上限定处理区域。 通过该邻近头向该基片的表面施加牛顿流体，以Y更该牛顿流体大体上^d呆持在由该容纳壁限定的该处理区i或内，该牛顿流体帮助乂人该 基片的表面除去一种或多种污染物。在另 一个实施方式中，揭露一种使用邻近头准备基片表 面的方法。该方法包括在该基片的表面和该邻近头的头部表面之间 施加第一非牛顿流体。该第一非牛顿流体沿着该头部表面和该基片的表面之间的 一个或多个侧面限定容纳壁。具有该第 一非牛顿流体 的该一个或多个侧面在该头部表面和该基片的表面之间的该基片 上限定处理区i或。通过该邻近头向该基片的表面施加不同于该第一 非牛顿流体的第二非牛顿流体，以便该施加的第二非牛顿流体大体 上容纳于由该容纳壁限定的该处理区i或内。该第二非牛顿;充体帮助从该基片的表面大体上除去一种或多种污染物。在另一个实施方式中，揭露一种使用邻近头准备基片表施力。非牛顿流体。该非牛顿流体沿着该头部表面和该基片的表面之 间的 一个或多个侧面限定容纳壁。具有该非牛顿;危体的该一个或多 个侧面在该头部表面和该基片的表面之间的该基片上限定处理区 i或。通过该邻近头向该基片的表面施加第一牛顿;危体，以Y更i亥施力口 的第 一牛顿流体大体上容纳于由该容纳壁限定的该处理区i或中的 第一处理子区i或内。通过该邻近头向该基片的表面施力口不同于该第 一牛顿流体的第二牛顿流体，以1更该施力口的第二牛顿流体大体上容 纳于由该容纳壁限定的该处理区i或中的第二处理子区i或内。该第一 牛顿流体和该第二牛顿流体作用于该处理区域覆盖的该基片的表 面上形成的一种或多种污染物并大体上除去这些污染物。在一个替代实施方式中，在该基片的表面和该邻近头的 头部表面之间施加第一非牛顿流体以形成限定处理区域的容纳壁， 在该处理区域中的第一和第二子区域中施加第二和第三非牛顿流 体。该第二和该第三非牛顿流体4皮此不同，而且不同于该第一非牛 顿流体。该第二和该第三非牛顿流体作用于该处理区域覆盖的该基 片的表面上形成的一种或多种污染物并大体上除去这些污染物。在一个## 实施方式中，在该基片的表面和该邻近头的 头部表面之间施加第一非牛顿流体以形成限定处理区域的容纳壁。 向该基片表面施加第二非牛顿流体和牛顿流体，以1更该第二非牛顿 流体和该牛顿流体大体上容纳于该处理区域中的第 一和第二子区 域。该处理区域中的该牛顿流体和该第二非牛顿流体作用于该处理 区域^隻盖的该基片的表面上形成的一种或多种污染物并大体上除 去这些污染净勿。在另一个实施方式中，揭露一种使用邻近头准备基片表面的方法。该方法包4舌在该基片的表面和该邻近头的头部表面之间 施力o非牛顿流体。该非牛顿流体沿着该头部表面和该基片的表面之间的 一 个或多个侧面限定容纳壁。具有该非牛顿流体的该 一个或多 个侧面在该头部表面和该基片的表面之间的该基片上限定处理区 域，该处理区域被该容纳壁大体上与外部不可控环境隔离。通过邻 近头向该处理区域施加惰性气体，以便该惰性气体代替现存的气体 和化学制品而占据该处理区域，在该处理区域中施加该惰性气体在 该处理区域中提供了大体上低氧的或无氧的环境以便于其它制造 过程。在又一个实施方式中，揭露一种^f吏用邻近头准备基片表 面的装置。该装置包括基片支7 义装置，其沿着一个平面4妄收和固定 该基片，以及施加非牛顿流体和牛顿流体的邻近头。该邻近头包括 非牛顿流体施加器，以在该基片的表面和该邻近头的头部表面之间 施加非牛顿流体。该施加的非牛顿流体沿着该头部表面和该基片的 表面之间的一个或多个侧面限定容纳壁，具有该非牛顿流体的该一 个或多个侧面在该头部表面和该基片的表面之间的该基片上限定 处理区域。该邻近头进一步包括牛顿流体施加器，以向该基片的表 面施加牛顿流体，以<更该施力。的牛顿流体由于所限定的容纳壁大体 上容纳于该处理区i或中。该牛顿流体作用于由该处J里区i或覆盖的该 基片的表面上形成的污染物并除去它们。在上述装置的一个替代实施方式中，4吏用第二非牛顿流 体施力口器，以向由该容纳壁限定的该处理区域施加第二非牛顿流 体。该第二非牛顿流体大体上容纳于该处理区域中并作用于形成在 基片表面的污染物并大体上除去它们。通过下面结合附图、作为本专利技术示例的详细说明，本发 明的其它方面和优点会变4寻更加明显。附图说明参考下面的描述，结合附图，可以最佳地理解本专利技术。 这些图不应当用来将本专利技术限制于这些优选实施方式，而4义<又是为 了it明和理解。图1是描绘在本专利技术的一个实施方式中施加非牛顿流体 和牛顿流体的邻近头的简化框图。图2描绘了使用邻近头向基片表面施加非牛顿流体和牛 顿流体的 一 个4戈实施方式的侧面示意图。图3A是描绘在本专利技术的一个实施方式中施加到基片表 面的牛顿流体的相对移动的示意图。图3B是图3A中描绘的实施方式的一个替^实施方式。图3C是在图3A和图3B中描绘的实施方式的替代实施方式。图3D是在图3C中描绘的实施方式的替代实施方式。图4描绘了在本专利技术的一个实施方式中用于向基片表面 施加非牛顿流体和牛顿流体的双邻近头的简化示意图。图5描绘了在本专利技术的一个实施方式中用于向基片表面 施加非牛顿流体和两种不同类型的牛顿流体的邻近头的简化示意图。图6A描绘了在本专利技术的 一个实本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种使用邻近头准备基片表面的方法，包含： 在该基片的表面和该邻近头的头部表面之间施加非牛顿流体，该非牛顿流体沿着该头部表面和该基片的表面之间的一个或多个侧面限定容纳壁，该非牛顿流体的一个或多个侧面在该头部表面和该基片的表面之间的该基片 上限定处理区域；以及 通过该邻近头向该基片的表面施加牛顿流体，以便该牛顿流体大体上被从由该非牛顿流体占据的区域赶出，并由于该容纳壁而大体上被保持在该处理区域内，该牛顿流体帮助从该基片的表面除去一种或多种污染物。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：卡特里娜米哈利钦科，弗里茨雷德克，埃里克M弗里尔，米哈伊尔科罗利克，约翰M德拉里奥斯，迈克拉维肯，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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