【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、先进集成电路的制造通常涉及在半导体的大量制造中的小特征的图案化。多重图案化技术可使特征尺寸微缩超过光刻技术。自对准双重及四重图案化为多重图案化技术的示例。
2、这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。在此
技术介绍
部分中描述的范围内的当前指定的专利技术人的工作以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
技术实现思路
1、一方面涉及一种用于处理衬底的方法，该方法包括：在半导体衬底上的心轴的暴露表面上直接沉积牺牲层；以及引入间隔物材料前体与含氧反应物并且点燃第一等离子体，以同时去除所述牺牲层并且在所述心轴的所述暴露表面上沉积间隔物材料。
2、在多种实施方案中，所述牺牲层包括碳。例如，在一些实施方案中，所述牺牲层包括非晶形碳。
3、在多种实施方案中，所述牺牲层通过等离子体增强化学气相沉积来沉积。
4、在多种实施方案中，所述牺牲层被保形地沉积。
5、在多种实施...
【技术保护点】
1.一种用于处理衬底的方法，该方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层包括碳。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述牺牲层通过等离子体增强化学气相沉积来沉积。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层被保形地沉积。
5.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述牺牲层以相较于所述心轴的底部，优先在所述心轴的顶部处或附近沉积较厚的牺牲层材料。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层的密度小于所述心轴的密度。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层的模量小于所述心轴的模量
8....
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于处理衬底的方法，该方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层包括碳。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述牺牲层通过等离子体增强化学气相沉积来沉积。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层被保形地沉积。
5.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述牺牲层以相较于所述心轴的底部，优先在所述心轴...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨诺亚，普尔凯特·阿加瓦尔，詹尼弗·利·佩特拉利亚，张净云，何钟硕，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。