激光剥离用的层叠基板、基板处理方法以及基板处理装置制造方法及图纸

激光剥离用的层叠基板依次具备使激光光线透过的第一基板、吸收所述激光光线的第一绝缘层、使所述激光光线透过的第一多晶硅层、吸收所述激光光线的第二绝缘层、使所述激光光线透过的第二多晶硅层、以及第一器件层。所述层叠基板还具备贯通所述第一绝缘层来将所述第一基板与所述第一多晶硅层电连接的第一电极、以及贯通所述第二绝缘层来将所述第一多晶硅层与所述第二多晶硅层电连接的第二电极。所述第一电极与所述第二电极包含使所述激光光线透过的材料，所述第一电极与所述第二电极在俯视时不重叠，是相分离的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及一种激光剥离用的层叠基板、基板处理方法以及基板处理装置。

技术介绍

1、在硅晶圆等基板上形成器件层时，使用等离子体cvd(chemical vapordepositon：化学气相沉积)、等离子体ald(atomic layer deposition：原子层沉积)、或等离子体蚀刻等。当由于等离子体的照射而蓄积带电粒子时，器件层会破损。因此，提出有形成放电路径以避免器件层破损(例如参照非专利文献1)。

2、现有技术文献

3、非专利文献

4、非专利文献1：z.wang,a.scarpa,s.smits,c.salm,f.kuper,“temperatureeffect on antenna protection strategy for plasma-process induced chargingdamage,”international symposium on plasma and process-induced damage,pp.134-137,2002.

技术实现思路<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种激光剥离用的层叠基板，

2.根据权利要求1所述的激光剥离用的层叠基板，其中，

3.根据权利要求1或2所述的激光剥离用的层叠基板，其中，

4.根据权利要求1或2所述的激光剥离用的层叠基板，其中，

5.根据权利要求1或2所述的激光剥离用的层叠基板，其中，

6.根据权利要求1或2所述的激光剥离用的层叠基板，其中，

7.一种基板处理方法，包括：

8.一种基板处理装置，具备：

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种激光剥离用的层叠基板，

2.根据权利要求1所述的激光剥离用的层叠基板，其中，

3.根据权利要求1或2所述的激光剥离用的层叠基板，其中，

4.根据权利要求1或2所述的激光剥离用的层叠基板，...

【专利技术属性】
技术研发人员：大池昇，今井清隆，广田良浩，佐藤基之，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：