基片处理装置和基片处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术的基片处理装置包括：处理容器，其在内部包含能够被减压至比大气压低的压力的处理室；在上述处理室中保持基片的保持部；和喷嘴，其为了对由上述保持部保持的上述基片的第1主面照射气体团簇而喷射气体。上述处理容器具有：相对壁，其包括与上述基片的上述第1主面相对的第1相对面；板，其设置于上述相对壁的上述第1相对面的一部分；和贯通孔，其贯通上述相对壁和上述板。上述板具有与上述基片的上述第1主面相对的第2相对面。上述贯通孔是上述气体的通路，并在上述板的上述第2相对面具有出口。在上述相对壁与上述基片之间形成有第1间隙，在上述板与上述基片之间形成有第2间隙，上述第2间隙比上述第1间隙窄。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及基片处理装置和基片处理方法。

技术介绍

1、在专利文献1所记载的加工方法中，使由反应性气体(例如clf3气体)和添加气体(例如ar气体)构成的混合气体从喷嘴出口向真空处理室喷出，利用混合气体的隔热膨胀而生成反应性团簇，利用该反应性团簇对基片表面进行加工。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2013-46001号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的技术问题

2、本专利技术的一个方式提供一种调整基片周边的气体的流动来抑制颗粒再次附着于基片的技术。

3、用于解决技术问题的技术方案

4、本专利技术的一个方式的基片处理装置包括：处理容器，其在内部包含能够被减压至比大气压低的压力的处理室；在上述处理室中保持基片的保持部；和喷嘴，其为了对由上述保持部保持的上述基片的第1主面照射气体团簇而喷射气体。上述处理容器具有：相对壁，其包括与上述基片的上述第1主面相对的第1相对面；板，其设置在上述相对壁的上述第1相对面的一部本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：

4.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：

5.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：

6.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：

7.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：

8.如权利要求7所述的基片处理装置，其特征在于：

9.如权利要求7所述的基片处理装置，其特征在于：

10.一种基片处理装置，...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：

4.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：

5.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：

6.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：

7.如权利要求1或2...

【专利技术属性】
技术研发人员：川渕洋介，安武孝洋，中岛常长，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：