【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及集成电路的制造中的量测应用。
技术介绍
1、光刻设备是被构造成将期望的图案施加至衬底上的机器。光刻设备可以用于(例如)集成电路(ic)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如掩模)处的图案(也常常被称为“设计布局”或“设计”)投影至被设置在衬底(例如晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
2、为了将图案投影于衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定可以形成在衬底上的特征的最小大小。当前在使用中的典型波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。相比于使用例如具有193nm的波长的辐射的光刻设备，使用具有在4nm至20nm的范围内的波长(例如，6.7nm或13.5nm)的极紫外(euv)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成较小特征。
3、低k1光刻可以用于处理尺寸小于光刻设备的经典分辨率极限的特征。在这样的过程中，可以将分辨率公式表达为cd＝k1×λ/na，其中，λ是所使用的辐射的波长，na是光刻设备中的投影光学器件的数值孔径，cd是“临界尺寸”(通常是所印制的最小特...
【技术保护点】
1.一种确定测量选配方案的方法，所述测量选配方案描述用于从衬底上的复合结构测量所关注的参数的测量设置；所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述复合结构包括产品复合结构或其代表性代替物。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所关注的参数是重叠且所述引发设置值是重叠偏差。
4.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，所述一个或更多个隔离的特征目标中的一个或更多个隔离的特征目标中的每个特征目标包括被包括于所述复合结构内的仅一个特征的重复。
5.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，所述一个或更多个隔离的特征目...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种确定测量选配方案的方法，所述测量选配方案描述用于从衬底上的复合结构测量所关注的参数的测量设置；所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述复合结构包括产品复合结构或其代表性代替物。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所关注的参数是重叠且所述引发设置值是重叠偏差。
4.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，所述一个或更多个隔离的特征目标中的一个或更多个隔离的特征目标中的每个特征目标包括被包括于所述复合结构内的仅一个特征的重复。
5.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，所述一个或更多个隔离的特征目标中的一个或更多个隔离的特征目标被形成在单个层中。
6.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，所述训练步骤包括训练所述一个或更多个机器学习模型以确定特征不对称性指标的值，所述特征不对称性指标对被包括在所述一个或更多个隔离的特征目标中的至少一个隔离的特征目标中的所述一个或更多个特征的所述特征不对称性贡献进行量化。
7.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，所述第一训练数据还涉及使用用于采集所述第一训练数据的多个不同采集设置来测量所述参考目标，并且所述训练步骤包括：...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·范德翁根，A·齐亚托马斯，A·维尔马，V·范德麦登，E·G·麦克纳马拉，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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